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模拟电子技术基础第四版课后答案第五章模拟电子技术基础第四版白)课后答案第五章(童诗第5章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是(A)。输入电压幅值不变,改变频率输入电压频率不变,改变幅值输入电压的幅值与频率同时变化放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(A)。A.耦合电容和旁路电容的存在C.半导体管的非线性特性B.半导体管极间电容和分布电容的存在放大电路的静态工作点不合适当信号频率等于放大电路的fL或fH时,放大倍数...

模拟电子技术基础第四版课后答案第五章
模拟电子技术基础第四版白)课后答案第五章(童诗第5章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是(A)。输入电压幅值不变,改变频率输入电压频率不变,改变幅值输入电压的幅值与频率同时变化放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(A)。A.耦合电容和旁路电容的存在C.半导体管的非线性特性B.半导体管极间电容和分布电容的存在放大电路的静态工作点不合适当信号频率等于放大电路的fL或fH时,放大倍数的值约下降到中频时的(B)。A.0.5倍;B.0.7倍;C.0.9倍即增益下降(A)。A.3dBB.4dB;C.5dB对于单管共射放大电路,当f=fL时,Uo与Ui相位关系是(C)。9A.+45°B.-90°C.—135°当/时,矶与U相位关系是(C)。A.-45°B.-135°C.-225°二、电路如图T5.2所示。已知:rcc=12r;晶体管的Cp=4pF,fr=5QMHz,/-,=iooq,/?o=8O。试求解:(1)中频电压放大倍数仏;⑵C;;(3)/;和/〃;(4)画出波特图。图T5.2解图T5.2解:(1)静态及动态的 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 估算:IBQ=%«22.6阳;IEQ=(1+P)1BQ«1&必Kb伉=(1+0)・26〃〃1.17mf+(1+0)26〃〃1EQ=1・27K1尺=©//仇U1.27K19=如"=69.2mAIV5九严爲于(一也)j兀估算c;fT^虫2伽(Q+C“)C川——C«214pF;2叭J“C;=Q+(l+g屁)C“"602pF求解上限、下限截止频率:R=处〃(加+R,〃位)Q处〃(加+RJ=567GOJh=1"RC;u175kHzfi.=27T(RrR)C“°止°⑷在中频段的增益:20lg|<.|-45^o频率特性曲线如解图T5.2所示。三、已知某放大电路的波特图如图T5.3所示,填空:电路的2oig如=(60)dB^Aum=(103)0⑵电路的下限频率1(10)Hz9上限频率/,,«(10)kHzo⑶电路的电压放大倍数的 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 达式(A-1。3九一10f(i)(1j—jf104)(1%100jf5)(1吐)(1j£4)(「j匚)。1060图T5.340200JO'io1io2io3io1io'jop//h^201g|JJ/dB如B/十倍频说明:该放大电路的中频放大倍数可能为+”,也可能为“-”。习题5.1在图P5.1所示电路中,已知晶体管的仏、C.i.、C二,RirbeO填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。(1)在空载情况下,下限频率的表达式f「(2g;//rbe)G)o当RS减小时,fL将(①);当带上负载电阻后,fL将(②)。(2)在空载情况下,若b-e间等效电容为c,则上限频率的表达式fH:-(12代[rb'e〃(rbb'+Rb〃Rs)]C兀);当Rs为零时,fH将①);当Rb减小时,gm将(①),C将①),fH将(③)。20lgUJ/dBt(O2】『】於应io'io1io'107/h^炉1I图P5.1图P5.25.2已知某电路的波特图如图P5.2所示,试与出Au的表达式解:设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。Au-32st10f(1)(Vj5jf105-3.2jf—st)(1j”5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出Au的表达式,201g|j^sl/dB-20dB/十倍频]A\/厂卜20dB叶倍频1\阿十倍频2」厅11■1t11||图403020100io1io°io1io2io3ioJio-io7/h60201g|JJ/dB40200io1io3IO3IOJio5〃丄P5.3图P5.4解:观察波特图可知,中频电压增益为40dB,即中频放大倍数为-100;下限截止频率为1Hz和10Hz,上限截止频率为250kHz。故电路Au的表达式为:-1001(1)(1jfj2.510510f2)(1jf)(1j£)(1j5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示,试问:⑴该电路的耦合方式;(2)该电路由几级放大电路组成;(3)当f=104Hz时,附加相移为多少?当f=105Hz时,附加相移又约为多少?(4)该电路的上限频率fH为多少?解:(1)因为下限截止频率为0,所以电路为直接耦合电路;因为在高频段幅频特性为-60dB/十倍频,所以电路为三级放大电路;当f=104HZ时,’一45。3-135。;当f=105Hz时,'=_90o3=一2700。_103右33该电路的—;上限频率为f、3(1JH=与5.2kHz1.1:35.5已知某电路电压放大倍数:-10jf(「j訥jH:'?(2)画出波特试求解:(1)Aum=?fL"?图。解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出為、fL和fH。-10jfA°j命)°jAm=-100;fL=10Hz;一100咗)5)(1j)(1j5105‘101055fH=10Hz。⑵波特图如解图P5.5所示。解图P5.5解图P5.65.6已知两级共射放大电路的电压放大倍数200jf4)(1j2.5105)(2)画出波特图。(1)Aum=?fL?解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出fL和fH。200jf103匹(1jj10)4)(1j2.5105(Vj5)(Vj^)(1j2.510••Aum=10;fL=5H?4fH:10Hz。⑵波特图如解图P5.6所示。5.7电路如图P5.7所示。已知:晶体管的卩、张、C」均相等,所有电容的容量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流Ieq均相等。定性分析各电路,将结论填入空内(a)(c)(b)(d)P5.7低频特性最差即下限频率最咼的电路是(a)。低频特性最好即下限频率最低的电路是(c)。咼频特性最差即上限频率最低的电路是5.8在图P5.7(b)所示电路中,若要求Ci与C2所在回路的时间常数相等,且已知rbe=IkQ,则GC=?若Ci与C2所在回路的时间常数均为25ms,则Ci、C2各为多少?下限频率fL=?解:⑴求解GG因为Ci(RsRHC2(RcRl)将电阻值代入上式,求Hj:Ci:C2=5:1。(2)求解Ci、C2的容量和下限频率"CEF;SCR:6.4Hz;fL:1.1“2匸1:10Hz5.9在图P5.7(a)所示电路中,若Ce突然开路,则中频电压放大倍数Ausm、fH和fL各产生什么变化(是增大、减小、还是基本不变)?为什么?解:為将减小。因为在同样幅值的U作用下,山将减小,肌随之减小,U。,必然减小。fL减小。因为少了一个影响低频特性的电容。fH增大。因为CH会因电压放大倍数数值的减小而大大减小,所以虽然cl所在回路的等效电阻有所增大,但时间常数仍会减小很多,故fH增大。5.10电路如图P5.10已矢口Cgs=Cgd=5pF,gm=5mS,Ci=C?=Cs=10"Fo试求fH、fL各约为多少,并写出Aus的表达式。图P5.10解:fH、fL和Aus的表达式分析如下:Ausm(-gmRL):-gmRL:一12・4RRsCgs二Cgs(1gmRL)Cgd:72pF1厂:1.1MHz「12.4嚅Aus:(1片)(176)2二(Rg〃Rs)Cgs2二RsCgs5.11在图5.4.7(a)所示电路中,已知Rg=2M「,Rd二Rl=102,C=10」F;场效应管的Cgs=Cgd=4pFgm=4mS。试画出电路的波特图,并标出有关数据。解:Aum—gmR>—20,20lgAm26dBCgs二Cgs(1gmRL)Cgd:88pFL2Rd+RlC)0.7Hz61fH—-904Hz2RgCgs其波特图参考解图P5.55.12已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为:AUoi-25jfA11一U-fUi(1j-)(Vj4-2jf(1j-0解:(1)电压放大倍数的表达Au二AU1AU2-50f2(1jf)(1j占)(1j4CI20睾^式:町I蚀厂、'和胡门”倍频11!IIIioL|io'—i?―io'淞y/H?石105(2)-L和fH分别为:-钳-9012115'-ISO'fL50Hz;2(「gmRL)_7611•fH1.1.2105?・・fH:64.3kHz解图P5.12(3)根据电压放大倍数的表达式可知,中频电压放大倍数为104,增益为80dB。波特图如解图P5.12所示。5.13电路如图P5.13所示。试定性分析下列问题,并简述理由。哪一个电容决定电路的下限频率;若T1和T2静态时发射极电流相等,且rbb和5相等,则哪一级的上限频率低。图P5.13解:(1)决定电路下限频率的是Ce,因为它所在回路的等效电阻最小。(2)因为R2//R3//R^R1//Rs,Cm所在回路的时间常数大于C',所在回路的时间常数,所以第二级的上限频率低。补充1在图P5.7(a)所示电路中,若3=100,rbe=1kQ,Ci=C2=Ce=100aF,则下限频率仕=?解:由于所有电容容量相同,而Ce所在回路等效电阻最小,所以下限频率决定于Ce所在回路的时间常数。•/R=Re//~佟,[^上,20八1+B1+P二L-80Hz2兀RCe补充2在图P5.7(d)所示电路中,已知晶体管的仏=100。,rbe=1k0,静态电流lEQ=2mA,CH=800pF,R=2k「,Rb=500^1,Rc=3.3k「」,C=10」F。试分别求出电路的fH和fL,并画出波特图。解:(1)求解fL:1L5.3Hz2:(RsR)C2二Rrbe)C(2)求解fH和中频电压放大倍数:Ge"be-rb'^0.9k'.1fH;:匸'316kHz2叫rb;e〃(rbb;+Rb〃Rs)]C血2叫咲〃(®+Rs)]Cjrgm:Ieq:77mA/VymUT20lg入sm严37.6dB其波特图参考解图P5.5(1)写出该放大电路的电压放大倍数的表达式;(2)求出该电路的-L和-H各约为多少;(3)画出该电路的波特图。十借频
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