有色行业_国家标准-碳化硅外延片-编制说明（讨论稿）

PAGEPAGE6国家 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 《碳化硅外延片》（讨论稿）编制说明工作简况立项目的和意义碳化硅外延片具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速率、高热导率等优异的电学性能，特别适用于制作大功率、高频、高温及抗辐射电子器件，在太阳能风能发电、轨道交通、智能电网、电动汽车等领域具有广泛的应用。世界各国均将碳化硅材料作为第三代半导体战略发展的首选对象，美国更是对我国实行碳化硅材料全面禁运封锁。碳化硅电力电子技术显著的性能优势以及巨大的潜在市场，特别是上升到国家产业战略层面的国策，推动了国内多家碳化硅材料和器件研制单位进行技术开发。我国的碳化硅材料已经发展多年，被认定是最有可能实现弯道超车、领先国际同行的先进半导体材料。国内碳化硅外延片的制备技术发展迅速，已实现批量生产，具备制定碳化硅外延片产品标准的技术基础，迫切需要出台碳化硅外延片产品相关的国家标准， 规范 编程规范下载gsp规范下载钢格栅规范下载警徽规范下载建设厅规范下载 碳化硅外延片的各项技术指标，确保国内碳化硅外延片整体的研发和产业化水平紧紧跟随国际发展趋势。任务来源根据《国家标准委关于下达2022年第一批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2022]17号）的要求，由南京国盛电子有限公司（以下简称“国盛公司”）负责《碳化硅外延片》的编制，项目计划编号：20220134-T-469，计划于2024年完成。项目承担单位概况国盛公司成立于2003年，是中国电科半导体材料公司控股的国有企业。国盛公司引进国际最新型的碳化硅外延生产线和各种高端检测设备，依托母公司中国电科集团完整的碳化硅产业链和尖端的研发技术，是国内早期能提供产业化3、4英寸碳化硅外延片的生产商，成功研制了高性能的6英寸碳化硅外延片，成为国际上仅有的几家6英寸碳化硅外延片生产商之一，产品性能满足3-6英寸碳化硅外延片产品开发及产业化的供片要求，填补了国内市场空白，相关系列产品分别获得了2015年、2017年中国电子材料创新产品和技术奖，为国内碳化硅器件芯片完成由研发阶段向批量生产过渡做出了重要贡献。具备编制本标准的能力和资质。南京盛鑫半导体材料有限公司是国盛公司的全资子公司，该公司总投资###亿人民用于碳化硅外延片产业化，预计全年可产出碳化硅外延片###万片。主要工作过程2022年10月，南京国盛电子有限公司接到《碳化硅外延片》国家标准正式下达计划后，组建了由**、**、**、***等公司专家成立的标准编制组。编制组详细讨论并认真填写了标准制定项目任务落实书，广泛调研收集整理了国内外与本标准项目相关的标准、论文、专著等文献资料，结合目前碳化硅外延片的客户端产品质量需求情况，于2023年3月完成了标准讨论稿。。。。。。。标准主要起草人及起草工作本标准编制组起草人均从事碳化硅外延行业多年，有丰厚的产品生产经验。起草人的工作包括收集和整理相关文献资料，制备不同规格的样品，撰写标准和相关文件等。标准编制原则和确定标准主要内容的论据编制原则本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等信息，初步确定了《碳化硅外延片》标准起草所遵循的基本原则和编制依据：查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；根据国内碳化硅外延片生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用性；按照GB/T1.1的要求进行 格式 pdf格式笔记格式下载页码格式下载公文格式下载简报格式下载 和结构编写。确定标准主要内容的论据本标准结合我国行业内碳化硅外延片的实际生产和使用情况，考虑碳化硅外延片的发展和行业现状制定而成。主要内容是各项技术指标、参数、公式、性能要求、试验方法、检验规则等。碳化硅外延片的关键评判指标，具体有：碳化硅单晶抛光片的质量要求、以及碳化硅外延层的电阻率和允许偏差、厚度及厚度变化、径向电阻率变化、碳化硅外延层过渡区、正/背表面质量、晶格缺陷、几何参数、表面颗粒等。本标准所规定的碳化硅外延片主要用于制作碳化硅电力电子器件。主要内容产品分类碳化硅外延片按导电类型分为n型和p型。n型碳化硅外延层掺杂元素为氮，p型碳化硅外延层掺杂元素为铝。目前碳化硅电力电子器件用碳化硅硅外延片，基本都是n型碳化硅单晶抛光片上生长碳化硅同质外延层，p型碳化硅外延片比较稀少。本标准中碳化硅外延片按直径尺寸分为76.2mm、100mm、125mm、150mm。结合目前国内外碳化硅材料产业发展的现状，删除了直径为50.8mm的2寸碳化硅外延片；考虑目前直径为200mm的8寸碳化硅外延片还处于实验室阶段，8寸碳化硅材料以及器件端暂不具备产业化能力，本次标准中未将其纳入，待8寸碳化硅材料及其应用成熟后，可对本标准进行修改。碳化硅外延片按晶型分为4H<0001>、6H<0001>，目前碳化硅电力电子器件用碳化硅外延片全部为4H晶型。技术要求3.2.1碳化硅外延片用衬底材料碳化硅单晶衬底片的电阻率应符合表1的规定，其他参数包括合格质量区要求、几何参数、表面取向及偏离、基准标记、缺陷密度、表面质量均应符合GB/T30656中工业级（P级）的规定。衬底片的技术要求由供方保证，如有需求可由供方提供检测值。表1碳化硅单晶衬底片的电阻率导电类型晶型电阻率(Ω•cm)电阻率径向不均匀性直径76.2mm直径100.0mm直径150.0mmn型4H0.015~0.028≤5%≤10%≤10%3.2.1外延层参数1.导电类型碳化硅外延层的导电类型为n型、p型。n型外延层掺杂元素为氮，p型外延层掺杂元素为铝。2.载流子浓度外延层载流子浓度及其允许偏差、载流子浓度变化应符合表2的规定。外延层载流子浓度值为由中心点和在平行与垂直于主参考面的两条直径上多点载流子浓度测量值的平均值。表2外延层载流子浓度及其允许偏差导电类型载流子浓度cm-3允许偏差载流子浓度变化（CV）n型5E13～1E19±25%20%p型5E13～1E19±50%25%3.外延层厚度外延层厚度及其允许偏差、径向厚度变化应符合表3的规定。外延层厚度值为由中心点和在平行与垂直于主参考面的两条直径上多点厚度测量值的平均值。表3外延层厚度及其允许偏差厚度μm允许偏差径向厚度变化（TV）1～150±10％8%4.缓冲层n型碳化硅外延层的缓冲层要求见表4。如客户对缓冲层有特殊要求，也可由供需双方协商确定。表4外延层厚度及其允许偏差外延厚度μm缓冲层浓度cm-3缓冲层厚度μm＜20μm1E180.5≥20μm1E181.03.2.3晶格完整性碳化硅外延层的晶格缺陷包括3C夹杂物、彗星尾、颗粒、硅滴、台阶聚集、多型、微管、三角型缺陷、胡萝卜缺陷、梯形缺陷等外延层缺陷，其晶格缺陷密度应不大于0.5cm-2。3.2.4表面质量外延片的正表面质量应符合表5的规定。表面缺陷要求的区域为直径76.2mm边缘去除2mm，直径100mm、150mm边缘去除3mm。表5正表面缺陷序号检验项目要求直径76.2mm直径100.0mm直径150.0mm1划痕a≤3条且累计长度≤38.1mm≤5条且累计长度≤50.0mm≤5条且累计长度≤75.0mm2崩边b无无无3裂纹无无无4沾污无无无5点状缺陷c无无无碳化硅外延片的背表面应颜色均匀一致，背表面质量要求由供需双方协商确定。3.2.5表面粗糙度碳化硅外延片正面的表面粗糙度应符合表6的规定。表6表面粗糙度检验项目要求直径76.2mm直径100.0mm直径150.0mm表面粗糙度0.2μm≤外延层厚度≤20μm≤0.3nm≤0.3nm≤0.3nm20μm＜外延层厚度≤50μm≤0.4nm≤0.4nm≤0.4nm50μm＜外延层厚度≤100μm≤0.8nm≤0.8nm≤0.8nm注1：表面粗糙度扫描范围为10μm×10μm，采用Rq值即均方根粗糙度。注2：外延层厚度在100μm以上的表面粗糙度由供需双方协商决定。3.2.7几何参数碳化硅外延片的几何参数应符合表7的规定。表7碳化硅外延片几何参数序号项目几何参数要求1直径及允许偏差mm76.2±0.2100.0±0.5150.0±0.52厚度及允许偏差μm350±25350±25350±253总厚度变化TTVμm≤5μm≤5μm≤5μm4局部厚度变化SBIR/LTVμm≤3≤3≤35翘曲度BOWμm≤20≤20≤356弯曲度（绝对值）WARPμm≤15μm≤15μm≤20μm3.2.8其他需方对产品技术指标的特殊要求，可由供需双方协商确定并在订货单中注明。标准水平分析碳化硅外延片目前尚无相应的国家标准和行业标准，本标准是新制定的国家标准，主要目的是规范和统一碳化硅外延片的相关性能项目，便于采购订单制定和生产厂家对产品需求和标准的识别。本标准达到国内先进水平。与我国有关的现行法律、法规和相关强制性标准的关系。本标准与国家现行法律、法规和相关强制性标准不存在相违背和抵触的地方。重大分歧意见的处理经过和依据。无。标准作为强制性标准或推荐性标准的建议建议本标准作为推荐性国家标准发布实施。代替或废止现行有关标准的建议无。其他需要说明的事项本标准根据目前国内碳化硅外延片的实际生产现状和订货 合同 劳动合同范本免费下载装修合同范本免费下载租赁合同免费下载房屋买卖合同下载劳务合同范本下载 情况制定，考虑随着新材料的开发使用和生产装备的更新，如果以后生产或订货合同中对产品的性能指标有其它具体需求，可在下一版中进行补充修订。预期效果本标准的制定和推广，有利于规范行业的发展，对国内碳化硅外延片的生产具有促进作用。