友达集成电路 ULN2003
高耐压、大电流达林顿陈列—ULN2003
概述与特点
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅 NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下:
ULN2003的每一对达林顿都串联一个 2.7K的基极电阻,在 5V的工作电压下它能与 TTL和 CMOS电路
直接相连,可以直接处理原先需要
标准
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逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003工作电压高,工作电流大,灌电流可达 500mA,并且能够在关态时承受 50V的电压,输出还
可以在高负载电流并行运行。
ULN2003采用 DIP—16或 SOP—16塑料封装。
方框图
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版本 3.1 第一页 共三页 2004-09-20
友达集成电路 ULN2003
极限值 (若无其它规定,Tamb=25℃)
参数名称 符号 数值 单位
输入电压 VIN 30 V
输入电流 IIN 25 mA
功耗 PD 1 W
工作环境温度 Topr -20 to +85 ℃
贮存温度 Tstg -55 to+150 ℃
电特性(若无其它规定, Tamb=25℃)
参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
VCE=50V, Tamb=25℃ 50
输出漏电流 ICEX
VCE=50V, Tamb=70℃ 100
μA
IC=100mA, IS=250μA 0.9 1.1
IC=200mA, IS=350μA 1.1 1.3 饱和压降 VCE(SAT)
IC=350mA, IS=500μA 1.3 1.6
V
IIN(ON) VIN=3.85V 0.93 1.35 mA 输入电流
IIN(OFF) IC=500μA, Tamb=70℃ 50 65 μA
VCE=2.0V, IC=200mA 2.4
VCE=2.0V, IC=250mA 2.7 输入电压 VIN(ON)
VCE=2.0V, IC=300mA 3.0
V
输入电容 CIN 15 25 pF
上升时间 tPLH 0.5 Ein to 0.5 Eout 0.25 1.0 μS
下降时间 tPHL 0.5 Ein to 0.5 Eout 0.25 1.0 μS
VR=50V, Tamb=25℃ 50 μA
钳位二极管漏电流 IR
VR=50V, Tamb=70℃ 100 μA
钳位二极管正向压降 VF IF=350mA 1.7 2.0 V
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友达集成电路 ULN2003
应用电路
封装外形图
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