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IRS驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项

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IRS驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项摘要:三相全桥技术具有应用广泛,控制方便,电路简单等特点,因此,广泛应用于逆变电源,变频技术,电力电子等相关领域,但其功率MOSFET以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET的驱动电路设计不当,MOSFET很容易损坏,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR2181S组成的电路,并设计了具体的电路,为提高MOSFET的可靠性作一些研究,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。关键词:IR2181S驱动芯k;MOSFET;全桥电路;自...

IRS驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项
IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 和注意事项摘要:三相全桥技术具有应用广泛,控制方便,电路简单等特点,因此,广泛应用于逆变电源,变频技术,电力电子等相关领域,但其功率MOSFET以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET的驱动电路设计不当,MOSFET很容易损坏,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR2181S组成的电路,并设计了具体的电路,为提高MOSFET的可靠性作一些研究,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。关键词:IR2181S驱动芯k;MOSFET;全桥电路;自举电路设计;吸收电路IR2181S的结构和驱动电路设计IR2181S是IR公司研发的一款专用驱动芯片电其内部结构参考图1:主要由:低端功率晶体驱动管,高端功率晶体驱动管,电平转换器,输入逻辑电路等组成。IR2181S优点是可靠性高,外围电路简单。它驱动的MOSFET高压侧电压可以达到600V,最大输出电流可达到1.9A(高端)2.3A(低端)。具体设计电路时如将MOSFET或IGBT作为高压侧开关(漏极直接接在高压母线上)需在应用的时候需要注意以下几点:⑴栅极电压一定要比漏极电压高10-15V,作为高压侧开关时,栅极电压是系统中电压最高的。⑵栅极电压从逻辑上看必须是可控制的,低压侧一般是以地为参考点的,但在高端是就必须转换成高压侧的源极电位才相当于将栅极驱动的地悬浮在源极上,所以在实际应用中栅极控制电压是在母线电压之间浮动的。(3)栅极驱动电路吸收的功率不会显著影响整个电路的效率。图2是以IR2181S驱动芯片设计的三相全桥电路:图2中应用到三个IR2181S驱动芯片每路驱动一组桥臂,提供高端和低端两路驱动信号(HO*,LO*),以第一路桥臂为例(其它同理):IR2181S输入是由DSP或其他专用驱动信号发生芯片产生的高端和低端两路驱动信号,经过2181输出同样也为两路,但经过2181内部处理后输出的信号和输入控制信号完全隔离,输出电流可以达到2A,上图中IR218S低端输出(LO1)驱动下管的信号是以直流母线侧负端为参考点,输出信号幅值大概在15V左右满足MOSFET开通要求。高端输出是以U1为参考基准,电位浮在母线上,当上端开通时IR2181S通过自举电路(C4,C5)将电压举升到栅极开启电压值。其电压值约为:UG=U母线+15V上述电路中(以Q2为例)电容C4,C5和自举二极管组成的泵电路,其中自举电容和自举二极管等参数都是要经过精密计算的,其工作原理和计算方法如下:⑴工作原理:当电路工作时Vs被拉倒地(输出接负载)+15V通过二极管给自举电容C4,C5充电也因此给Vs一个工作电压满足了电路工作。⑵参数设计:计算电容参数时应考虑到以下几点,MGT栅极电荷;高压侧栅极静态电流;2181内部电平转换电路电流;MGTG和S之间的电流。(备注:因自举电路一般选择非电解电容设计时电容漏电流可以忽略。)此公式给出了对自举电容电荷的最小要求;Q=2Qg+Iqbs/f+Qls+Icbs/f注:Qg为高端MOSFET栅极电荷。
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吴春小佳佳
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