电子元器件采购需求

附件：元器件采购需求如下表序号产品名称及规格需求数量技术指标1BM3803FMGR型SPARCV8畐照加固微处理器432位RISC处理器，指令集与SPARCV8兼容，5级流水结构，片上带有32KB指令Cache及16KB数据Cache、单双精度浮点处理单元，片上外设包括支持PROMSRAMISDRAM和I/O映射空间的存储器控制器，2个24位的定时器，1个看门狗，3个串行通信接口，32个通用I/O接口，PCI总线接口符合PCI2.3规范。抗总剂量：不小于1x103Gy(Si);单粒子锁定(SEL)阈值：不小于75MeVcm2/mg单粒子错误率：GEO轨道优于8X10-5次/天•器件。三温测试合格2B54ACS164245SAR型辐射加固多用途双向收发器18B54ACS164245SARH为性能提升的多用途双向收发器，为一种通用电路，具有双向异步通信、信号缓冲、电平转换、冷备份电路保护(ColdSparing)、温备份电路保护(WarmSparing)及上电保护功能。5V总线到3.3V总线；5V总线到5V总线；3.3V总线到5V总线；3.3V总线到3.3V总线；冷备份：电路关断状态时，IO端等效为高阻抗；温备份：电路单端电源上电时，IO端等效为高阻抗；上电保护采用0.5umCMOS工艺总剂量：100Krad(Si)抗单粒子闩锁：LET>75MeVcm2/mg高速低功耗施密特触发输入端，更好的电平噪声抑制封装：引脚陶瓷扁平封装(CFP48质量等级CAST3B54AC08RH型辐射加固四路2输入与门2B54AC08RH是一款辐射加固四路2输入与门，具有驱动能力高、功耗低、高可靠性等特点，与NSCSTM公司DIP、FP封装的54AC08产品兼容电源电压范围：+2.0V〜6.0V工作温度范围：-55°C〜125°C输出驱动：24mA抗总剂量：》100krad(Si)抗单粒子锁定LET：>75MeV-cm2/mg抗单粒子翻转LET：>75MeV-cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP14(B54AC08RH)质量等级CAST4B54AC138RH型辐射加固3-8线译码器2B54AC138RH是一款辐射加固3-8线译码器，具有驱动能力高、功耗低、高可靠性等特点，与NSGSTM公司DIP、FP封装的54AC138产品兼容电源电压范围：+2.0V〜6.0V工作温度范围：-55°C〜125°C输出驱动：24mA抗总剂量：》100krad(Si)抗单粒子锁定LET：>75MeV-cm2/mg抗单粒子翻转LET：>75MeV-cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP16(B54AC138RHF质量等级CAST5B54AC14RH型辐射加固六路施密特触发输入反相器9B54AC14RH是一款辐射加固六路施密特触发输入反相器，具有驱动能力高、功耗低、高可靠性等特点，与NSCSTM公司DIP、FP封装的54AC14产品兼容。电源电压范围：+2.0V〜6.0V工作温度范围：-55C〜125C输出驱动：24mA抗总剂量：》100krad(Si)抗单粒子锁定LET：>75MeV-cm2/mg抗单粒子翻转LET：>75MeV-cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP14(B54AC14RH)质量等级CAST6B54AC32RHI型辐射加固四路2输入或门1B54AC32RH是一款辐射加固四路2输入或门，具有驱动能力高、功耗低、高可靠性等特点，与NSCSTM公司DIP、FP封装的54AC32产品兼容电源电压范围：+2.0V〜6.0V工作温度范围：-55C〜125C输出驱动：24mA抗总剂量：》100krad(Si)抗单粒子锁定LET：>75MeV-cm2/mg抗单粒子翻转LET：>75MeV-cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP14(B54AC32RH)质量等级CAST7B54AC245RH型辐射加固八位三态输出双向缓冲器4B54AC245RH是一款辐射加固八位三态输出双向缓冲器，具有驱动能力高、功耗低、高可靠性等特点，与NSCSTM公司DIP、FP封装的54AC245产品兼容。电源电压范围：+2.0V〜6.0V工作温度范围：-55°C〜125°C输出驱动：24mA抗总剂量：》100krad(Si)抗单粒子锁定LET：>75MeV-cm2/mg抗单粒子翻转LET：>75MeV-cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP20(B54AC245RHF质量等级CAST8B65170S6RH型辐射加固1553B总线远程终端控制器4包含完整的主机与1553B总线接口逻辑、协议处理逻辑、存储器管理逻辑、中断处理逻辑、双通道收发器以及4KX16位的SRAM内部完成了1553B总线远程终端(RT)功能。抗闩锁能力》200mA抗静电能力》2000V抗总剂量》100krad(Si)抗单粒子锁定LET>75MeVcm2/mg抗单粒子翻转LET>37MeVcm2/mg三温测试合格9B28F256LVRH型256kbit抗辐照PROM4抗辐射加固可编程异步只读存储器，存储容量为32kX8bit，兼容UT28F256LVQLE需专用编程器进行编程90ns据读取时间(-55°C〜125°C)输入输出接口CMO电平，三态双向数据总线电源电压3.0V〜3.6V功耗：IOP@15.4MHz|max=50mAESD2000V环境指标：抗电离总剂量：100kRad(Si)单粒子闩锁(SEL)LET阈值：不小于75MeV?cm2/m单粒子功能错误(SEFI)LET阈值：不小于37MeVcm2/mg三温测试合格10B26LV3仃ERH型辐射加固3.3V四路差分线驱动器7B26LV3仃ER是一款辐射加固3.3V四通道差分线驱动器，接收3.3VCMOS数字信号，输出一对满足RS-422接口电平及时序要求的差分信号，用于驱动差分传输介质。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容TI公司DS26LV31WQML兼容EIARS-422的输出兼容TI公司DS26LV31WQML3.3V工作电压兼容TTL输入较低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad(Si)单粒子闩锁阈值：75MeV•cm2/mg封装形式FP16抗静电能力(HBM)>2000V质量等级CAST11B26LV32TERH型辐射加固3.3V四路差分线接动器4B26LV32TER是一款辐射加固3.3V四通道差分线接收器，接收RS-422差分电平信号，输出3.3VCMOS数字信号。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容TI公司DS26LV32AWQML兼容EIARS-422的差分输入兼容TI公司DS26LV32AWQML3.3V工作电压低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad(Si)单粒子闩锁阈值：75MeV•cm2/mg封装形式FP16抗静电能力(HBM)>2000V质量等级CAST12B26C31CERH型辐射加固5V四路差分线驱动器2B26C31CER是一款辐射加固5V四通道差分线驱动器，接收5VCMO数字信号，输出一对满足RS-422接口电平及时序要求的差分信号，用于驱动差分传输介质。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容Intersil公司HS-26C31RH兼容EIARS-422的输出兼容Intersil公司HS-26C31RH-Q5V工作电压兼容CMO输入较低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad(Si)单粒子闩锁阈值：75MeV•cm2/mg封装形式FP16(B26C31CERHF)抗静电能力(HBM)>2000V质量等级CAST13B26C32CERH型辐射加固5V四路差分线接收器2B26C32CER是一款辐射加固5V四通道差分线接收器，接收RS-422差分电平信号，输出5VCMO数字信号。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容Intersil公司HS-26C32RH兼容EIARS-422的差分输入兼容Intersil公司HS-26C32RH-Q5V工作电压低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad(Si)单粒子闩锁阈值：75MeV•cm2/mg封装形式FP16(B26C32CERHF)抗静电能力(HBM)>2000V质量等级CAST