De-Coupling_and_Tap_cellsDe-Coupling_and_Tap_cellsDe-Coupling&Tapcells2014年9月14日adminDCAP由MOS晶体管构建，当作MOSgatecap来用.加在电源和地之间，减小开关噪声（去耦）,降低IR_DROP。但是增加decap，会产生gateleakage，也会影响ESD，所以需要MOSD-SResister连接到MOScap的gate端。PR之后，可以用DCap代替filler，和fillercells不同，由于DCap包含transistor，需要进行LVS，可以忽略ERCwarn...
De-Coupling_and_Tap_cellsDe-Coupling&Tapcells2014年9月14日adminDCAP由MOS晶体管构建，当作MOSgatecap来用.加在电源和地之间，减小开关噪声（去耦）,降低IR_DROP。但是增加decap，会产生gateleakage，也会影响ESD，所以需要MOSD-SResister连接到MOScap的gate端。PR之后，可以用DCap代替filler，和fillercells不同，由于DCap包含transistor，需要进行LVS，可以忽略ERCwarning.而tapfiller、nwelltap是为了给Nwell、psub加偏置电位，一般是棋盘式或者经典式插入。这个和stdcelllib的类型有关，如果不是每个stdcell都是nwell，psub有偏置p/g电位，就要加这种tapcell了。
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