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L6561 功率因数校正 1 ■ ■ 特征 非常精确的可调输出 过电压保护 微功率启动电流(50µA TYP.) 非常低的电源 电流（4mA TYP.) 内部启动定时器 片上电流 检测 工程第三方检测合同工程防雷检测合同植筋拉拔检测方案传感器技术课后答案检测机构通用要求培训 滤波器 禁止功能 1%精密(@ T j = 25°C)内部 参考电压 过渡模式操作 图腾柱输出电流：±400mA DIP-8/SO-8套餐 图1.软件包 DIP-8 SO-8 ■ 订购代码表1. 部件号 L6561 L6561D L6561D013TR 包装 DIP-8 SO-8 带卷 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 2 描述 L6561是改良版的L6560 stan- dard功率因数修正器.完全兼容 with the standard version, it has a superior perfor- mant乘数使设备的工作能力， 在宽输入电压范围的应用ing（从 85V到265V)了一个良好的THD.此外 当前开始向上在数已减少tens mA和禁用的功能已经实现， 教育署对ZCD针，保证较低的电流 消费模式下的立场. 图2.框图 COMP 2 INV 1 2.5V - + 在混合BCD技术变现，该芯片提供 以下好处： –微功率启动电流 – 1%高精度内部参考电压 – (Tj = 25°C) –软输出过电压保护 –无需外部低通滤波器需要对电流， 租金感 –非常低的静态电流最低， es功耗 图腾柱输出级驱动能力 一个电源MOS或源IGBT和汇电流 租金的±400mA.设备运行中tran- sition模式，它是电子灯优化 镇流管应用，AC-DC适配器和SMPS. MULT 3 4 40K CS MULTIPLIER VOLTAGE REGULATOR OVER-VOLTAGE DETECTION - + 5pF V CC 8 V CC INTERNAL SUPPLY 7V R1 + UVLO R S DRIVER Q 7 20V GD R2 V REF2 2.1V 1.6V ZERO CURRENT DETECTOR STARTER 6 GND June 2004 - + - DISABLE 5 ZCD D97IN547E REV的. 16 1/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料【 L6561 表2.绝对最大额定值 符号 IVcc IGD INV, COMP MULT CS ZCD P tot T j T stg 针 8 7 1, 2, 3 4 5 Iq + I Z; (I GD = 0) 图腾柱输出电流(2µs) 峰值 模拟输入和输出 电流检测输入 零电流检测器 功率消耗@T amb = 50 °C 结温工作范围 贮藏温度 (DIP-8) (SO-8) 参数 价值 30 ±700 -0.3到7 -0.3到7 50（源） -10（汇） 1 0.65 -40到150 -55到150 单位 mA mA V V mA mA W W °C °C 图3.引脚连接 （顶视图） INV COMP MULT CS 1 2 3 4 DIP8 8 7 6 5 VCC GD GND ZCD 热数据表3. 符号 R th j-amb 参数 结到环境的热阻 苏8 150 MINIDIP 100 单位 °C/W 表4.引脚说明 N. 1 2 3 4 5 6 7 8 名称 INV COMP MULT CS ZCD GND GD V CC 功能 反相误差放大器的输入.一个电阻分压器的输出之间连接 稳压这一点，提供电压反馈. 误差放大器的输出.一个反馈补偿网络之间设置这个引脚和 INV引脚. 乘法器的输入阶段.一个电阻分压器连接到这个引脚的整流电源.一个电压 信号，比例整流电源，出现在该引脚. 输入到控制回路比较.该感应电流通过电阻和由此产生的 电压施加到该管脚. 零电流检测输入.如果是连接到GND,设备被禁用. 当前返回驱动器和控制电路. 门驱动器输出.一个推挽输出级可驱动峰值目前电源MOS 400mA（源和接收器）. 电源电压驱动器和控制电路. (1)参数由设计保证，而不是在生产测试. 2/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 电气特性表5. (V CC = 14.5V; T amb = -25°C到125°C，除非另有规定） 符号 V CC V CC ON V CC OFF Hys I START-U I q ICC Iq V Z V INV 针 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 1 齐纳电压 电压反馈输入 门槛 线路调整 IINV G V GB ICOMP V COMP 2 2 1 电流输入偏置 电压增益 增益带宽 源电流 灌电流 上钳位电压 低钳位电压 乘第 V MULT ∆V CS-----------------∆V mult K V CS ICS td (H-L) 4 4 4 4 V ZCD 5 3 线性工作电压 输出最大.斜坡 V MULT 从= 0V到0.5V V COMP =上钳位电压 V MULT = 1V V COMP = 4V V MULT = 2.5V V COMP =上钳位电压 V OS = 0 0到3 1.65 0到3.5 1.9 V V COMP = 4V, V INV = 2.4V V COMP = 4V, V INV = 2.6V I SOURCE = 0.5mA I Sink = 0.5mA -2 2.5 开环 60 误差放大器部分 T amb = 25°C 12V < V CC < 18V V CC = 12到18V 2.465 2.44 2 -0.1 80 1 -4 4.5 5.8 2.25 -8 2.5 2.535 2.56 5 -1 V V mV µA dB MHz mA mA V V 参数 工作范围 启动阈值 关断阈值 迟滞 启动电流 静态电流 工作电源电流 静态电流 C L = 1nF @ 70KHz 在OVP条件V pin1 = 2.7V V PIN5 ≤150mV, V CC > V CC off V PIN5 ≤150mV, V CC < V CC off I CC = 25mA 20 18 前开启(V CC =11V) 测试条件 后开启 最小. 11 11 8.7 2.2 20 12 9.5 2.5 50 2.6 4 1.4 1.4 50 20 Typ. 最大. 18 13 10.3 2.8 90 4 5.5 2.1 2.1 90 22 单位 V V V V µA mA mA mA mA µA V 电源电压一节 当前节供应 Gain 电流检测基准 钳 电流输入偏置 到输出的延 电流检测失调 输入阈值电压上升 边缘 迟滞 上钳位电压 上钳位电压 (1) (1) 0.45 1.6 0.6 1.7 -0.05 200 0 2.1 0.75 1.8 -1 450 15 1/V V µA ns mV V 电流检测比较器 零电流检测器 0.3 4.5 4.7 0.5 5.1 5.2 0.7 5.9 6.1 V V V V ZCD V ZCD 5 5 I ZCD = 20µA I ZCD = 3mA 3/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 电气特性表5. （续） (V CC = 14.5V; T amb = -25°C到125°C，除非另有规定） 符号 V ZCD IZCD IZCD IZCD V DIS IZCD V GD 针 5 5 5 5 5 5 7 参数 低钳位电压 灌电流偏置 源出电流能力 灌电流能力 禁用门槛 禁用后，重新启动电流 漏失电压 V ZCD < V dis ; V CC > V CCOFF I GDsource = 200mA I GDsource = 20mA I GDsink = 200mA I GDsink = 20mA tr tf IGD off I OVP 7 7 7 2 输出电压上升时间 输出电压下降时间 IGD灌电流 OVP触发电流 阈值静态OVP 重新启动定时器 tSTART 启动定时器 70 150 400 µs C L = 1nF C L = 1nF V CC =3.5V V GD = 1V 5 35 2.1 40 40 10 40 2.25 测试条件 I ZCD = -3mA 1V ≤V ZCD ≤4.5V -3 3 150 -100 200 -200 1.2 0.7 最小. 0.3 Typ. 0.65 2 -10 10 250 -300 2 1 1.5 0.3 100 100 - 45 2.4 最大. 1 单位 V µA mA mA mV µA V V V V ns ns mA µA V 输出部分 输出过压段 3 过电压保护OVP 输出电压，预计将在电路的PFC接近其标称值操作保存. 这是由两个外部电阻R1和R2比例设置（见图.5),同时考虑到 非反相误差放大器的输入偏置内部L6561在2.5V. 在稳态条件下，通过R1和R2电流为： V出 –2.5 2.5V-IR1sc = ------------------------- =IR2 = ------------R1 R2 并且，如果外部补偿网络是由只有一个电容C comp,电流通过C comp 输出电压等于zero.When突然增大电流通过R1变为： V outsc + ∆V出 –2.5IR1 = ---------------------------------------------------- =I R1sc + ∆IR1-R1 由于电流通过R2不改变， ∆IR1 必须流过电容器C comp 并输入 误差放大器. 这个电流进行监测，当内L6561达到约37µA了多输出电压 钳被迫减少，从而减少电源得出的能量.如果电流超过40µA, 保护的OVP触发（动态OVP),和外部功率晶体管切换到关闭 电流降至大约比10µA. 但是，如果过压仍然存在，一个内部比较器（静态OVP)证实了OVP条件 外部电源开关保持关闭（见图.4）.最后，过压触发OVP 功能是： ∆V 出 = R 1 · 40µA. 为R典型值 1, R 2和C显示在应用电路.可设置过压indepen - 4/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 判断的平均输出电压.在设置过压阈值精度的7% ov- ervoltage值（例如 ∆V = 60V ± 4.2V). 3.1 Disable功能 零电流检测器(ZCD)引脚可用于设备以及禁用.通过接地ZCD电压 年龄的设备被禁用减低1.4mA典型(@ 14.5V电源电压，电源电流消耗， 年龄）. 释放ZCD引脚的内部启动定时器将重新启动设备. 图4. 过电压 VOUT nominal ISC 40µA 10µA é / A输出 2.25V 动态OVP 静态OVP D97IN592A 图5.过电压保护电路 Ccomp. +Vo R1 1 R2 - + 2.5V - 2.25V ∆I + E/A ∆I 2 X PWM DRIVER 40µA D97IN591 5/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 图6.典型应用电路(80W, 110VAC) D1 BYT03-400 C6 T R7 (*) 950K C3 680nF 68K 5 2 1 7 4 + Vo=240V Po=80WR3 (*) 240K BRIDGE + 4 x 1N4007 FUSE 4A/250V - Vac (85V to 135V) NTC R10 10K D3 1N4150 D2 1N5248B R2 100 10nF R1 C1 1µF 250V R9 (*) 950K 8 R5 10L6561 3 C2 22µF 25V C7 10nF 6 MOS STP7NA40 C5 100µF 315V R6 (*) 0.31 1W R8 10K 1% D97IN549B - (*) R3 = 2 x 120KΩ R6 = 0.619Ω/2 R7 = 2 x 475KΩ, 1% R9 = 2 x 475KΩ TRANSFORMER T: core THOMSON-CSF B1ET2910A (ETD 29 x 16 x 10mm) OR EQUIVALENT (OREGA 473201A7) primary 90T of Litz wire 10 x 0.2mm secondary 11T of #27 AWG (0.15mm) gap 1.8mm for a total primary inductance of 0.7mH 图7.典型应用电路(120W, 220VAC) D1 BYT13-600 C6 T R7 (*) 998K C3 1µF 68K 5 2 1 7 4 + Vo=400V Po=120WR3 (*) 440K BRIDGE + 4 x 1N4007 FUSE 2A/250V - Vac (175V to 265V) NTC R10 10K D3 1N4150 D2 1N5248B R2 100 10nF R1 C1 560nF 400V R9 (*) 1.82M 8 R5 10L6561 3 C2 22µF 25V C7 10nF 6 MOS STP5NA50 C5 56µF 450V R6 (*) 0.41 1W R8 6.34K 1% D97IN550B - (*) R3 = 2 x 220KΩ R6 = 0.82Ω/2 R7 = 2 x 499KΩ, 1% R9 = 2 x 909KΩ TRANSFORMER T: core THOMSON-CSF B1ET2910A (ETD 29 x 16 x 10mm) OR EQUIVALENT (OREGA 473201A8) primary 90T of Litz wire 10 x 0.2mm secondary 7T of #27 AWG (0.15mm) gap 1.25mm for a total primary inductance of 0.8mH 图8.典型应用电路(80W,宽范围电源） D1 BYT13-600 C6 T R7 (*) 998K C3 1µF 68K 5 2 1 7 4 + Vo=400V Po=80WR3 (*) 240K BRIDGE + 4 x 1N4007 FUSE 4A/250V - Vac (85V to 265V) NTC R10 10K D3 1N4150 D2 1N5248B R2 100 12nF R1 C1 1µF 400V R9 (*) 1.24M 8 R5 10L6561 3 C2 22µF 25V C7 10nF 6 MOS STP8NA50 C5 47µF 450V R6 (*) 0.41 1W R8 6.34K 1% D97IN553B - (*) R3 = 2 x 120KΩ R6 = 0.82Ω/2 R7 = 2 x 499KΩ, 1% R9 = 2 x 620KΩ TRANSFORMER T: core THOMSON-CSF B1ET2910A (ETD 29 x 16 x 10mm) OR EQUIVALENT (OREGA 473201A8) primary 90T of Litz wire 10 x 0.2mm secondary 7T of #27 AWG (0.15mm) gap 1.25mm for a total primary inductance of 0.8mH 6/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 图9.电气原理演示板(EVAL6561-80) D1 STTH1L06 R4 180 k R5 180 k T D8 1N4150 C5 12 nF R14 100 R1 750 k D2 1N5248B R6 68 k R50 12 k C3 470 nF R12 750 k R11 750 k Vo=400V Po=80W NTC 2.5 BRIDGE FUSE 4A/250V + W04M C1 1 µF 400V C23 1 µF R2 750 k 8 3 6 C2 10nF 5 2 1 7 4 R7 33 C6 47 µF 450VVac (85V to 265V) - L6561 MOS STP8NM50 R3 10 k C29 22 µF 25V C4 100 nF D3 1N4148 C7 10 µF 35 V R16 91 k R15 220 R9 0.41 1W R10 0.41 1W R13 9.53 k - Boost Inductor Spec (ITACOIL E2543/E) E25x13x7 core, 3C85 ferrite 1.5 mm gap for 0.7 mH primary inductance Primary: 105 turns 20x0.1 mm Secondary: 11 turns 0.1mm THD REDUCER (optional) 图10. EVAL6561-80: PCB和组件布局（顶视图，实际尺寸57x108mm) 表6. EVAL6561-80:评价结果. V in （VAC） 85 110 135 175 220 265 针(W) 87.2 85.2 84.2 83.5 83.1 82.9 V o (Vdc) 400.1 400.1 400.1 400.1 400.1 400.1 ∆Vo (Vdc) 14 14 14 14 14 14 Po (W) 80.7 80.7 80.7 80.7 80.7 80.7 η (%) 92.8 94.7 95.8 96.6 97.1 97.3 W / O型THD减速 PF 0.999 0.996 0.989 0.976 0.940 0.890 THD (%) 3.7 5.0 6.2 8.3 10.7 13.7 与THD减速 PF 0.999 0.996 0.989 0.976 0.941 0.893 THD (%) 2.9 3.2 3.7 4.3 5.6 8.1 7/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 图11. OVP电流阈值随 温度 D94IN047A 图13.电源电流与电源 电压 ICC (mA) 10 D97IN548A IOVP (µA) 41 5 1 40 0.5 0.1 0.05 39 0.01 0.005 发光= 1nF f = 70KHz 电讯局长= 25˚C 0 5 10 15 20 VCC (V) 38 -50 -25 0 25 50 75 100 125 T (˚C) 0 图12.欠压阈值分离 与温度的关系 VCC-ON (V) 13 12 11 VCC-OFF (V) 10 9 -25 0 25 50 T (˚C) 75 100 125 D94IN044A 图14.电压反馈输入阈值 与温度的关系 VREF (V) D94IN048A 2.50 2.48 2.46 -50 0 50 100 T (˚C) 8/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 图15.输出饱和电压和接收器 当前 VPIN7 (V) VCC = 14.5V 2.0 D94IN046 图17.乘数特征 系列 V CS(pin4) (V) upper voltage clamp D97IN555A V COMP (pin2) (V) 3.5水槽 1.6 1.4 1.2 5.0 4.5 4.0 3.21.5 1.0 1.0 0.8 0.6 0.5 0.4 0.2 0 0 100 200 300 400 IGD (mA) 0 0 3.0 2.8 2.6 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 V MULT (pin3) (V) 图16.输出饱和电压与 源电流 VPIN7 (V) VCC = 14.5V VCC -0.5 D94IN053 VCC -1.0 VCC -1.5 VCC -2.0 消息来源 0 0 100 200 300 400 IGD (mA) 9/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 图18. DIP-8机械尺寸数据与包装 mm 暗淡. 最小. A a1 B b b1 D E e e3 e4 F I L Z 3.18 7.95 2.54 7.62 7.62 6.6 5.08 3.81 1.52 0.125 0.51 1.15 0.356 0.204 1.65 0.55 0.304 10.92 9.75 0.313 0.100 0.300 0.300 0.260 0.200 0.150 0.060 TYP. 3.32 0.020 0.045 0.014 0.008 0.065 0.022 0.012 0.430 0.384 最大. 最小. TYP. 0.131 最大. 寸 外形与 机械数据 DIP-8 10/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 图19. SO-8机械尺寸数据与包装 mm 暗淡. 最小. A A1 A2 B C D (1) E e H h L k ddd 5.80 0.25 0.40 1.35 0.10 1.10 0.33 0.19 4.80 3.80 1.27 6.20 0.50 1.27 0.228 0.010 0.016 TYP. 最大. 1.75 0.25 1.65 0.51 0.25 5.00 4.00 最小. 0.053 0.004 0.043 0.013 0.007 0.189 0.15 0.050 0.244 0.020 0.050 TYP. 最大. 0.069 0.010 0.065 0.020 0.010 0.197 0.157 寸 外形与 机械数据 0˚（分钟），8˚（最大） 0.10 0.004 Note: (1) Dimensions D does not include mold flash, protru- sions or gate burrs. Mold flash, potrusions or gate burrs shall not exceed 0.15mm (.006inch) in total (both side). SO-8 0016023 C 11/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 表7.修订历史记录 日期 一月2004 June 2004 修订 15 16 创刊号 改良的样式符合期待与“企业技术 刊物设计指南“. 改变了功率放大器的输入连接到乘数（图2). 更改说明 12/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料 L6561 提供的资料被认为是准确和可靠.然而，意法半导体的后果不承担任何责任 这类信息也不对任何第三方的专利或可能导致其使用的其他权利的侵犯使用.未授 通过暗示或以其他方式意法半导体的任何专利或专利的权利.本出版物中提到的规格如有 变更，恕不另行通知.本刊物并取代以前提供的所有信息.意法半导体的产品不 做为关键元件的授权使用寿命支持设备或系统未经明确的书面意法半导体的批准. ST的标志是意法半导体公司的注册商标. 所有其他名称均为其各自所有者的财产 © 2004意法半导体-版权所有 意法半导体公司集团 澳大利亚-比利时-巴西-加拿大-中国-捷克共和国-芬兰-法国-德国- Hong Kong -印度-以色列-意大利-日- 马来西亚-马耳他-摩洛哥-新加坡-西班牙-瑞典-瑞士-英国-美国 www.st.com 13/13 L6562中文数据手册,L6562 Datasheet PDF,L6562芯片中文资料