赛威科技sf6773v 5v2a电源
方案
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_图文
赛威科技SF6773V 5V2A电源方案
电源管理IC，六级能效方案，SF6773V 5V2A方案
据G3综合报道:随着节能减排的要求越来越严，高效率、低待机是电源产品的发展趋势，为了满足目前市场高效率、低待机的需求，赛威科技新推出一款内置MOS QR-PSR IC SF6773V、 其特点:集成4A/600A MOS、SOP-7封装、QR-PSR架构、高效率满足六级能效、低待机小于75mW、全电压输入最大输出功率13W、12W以内的产品可以实现NO“Y”电容设计。
一、芯片特点:
满足6级能效
标准
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专利的super-QR/PSR控制(结合原边反馈和准谐振控制)
实现高效率和优异的EMI性能
小于75mW待机功耗
?5%恒压恒流精度
CV模式下可编程线损补偿
输出过压/短路保护
逐周期电流限制
内置前沿消隐
内置软启动
管脚浮空保护
VDD过压和钳位保护
VDD欠压保护(UVLO
二、方案特性:
输入电压:90-264VAC全电压
输出电压:5VDC
输出电流:2A
待机:<75mW(230V/50Hz AC)
平均效率:>79%(115V/60Hz、230V/50Hz AC)
5%?以内的恒压恒流(CV/CC)精度
VDD过压、欠压、钳位保护、输出短路、过压、过流保护
输出线损补偿可调整
NO“Y”电容设计
四、变压器参数(EE-1606立式加宽)
绕组 起末端(Pin) 绕线 绕线圈数(Ts) 胶带胶带(Ts) 绕线方式 N1 2-3 2UEW 0.20mmx1P 漆包线 62 2 靠初级顺时针密绕 N2 5-8 2UEW 0.22mmx1P漆包线 13.5 2 靠初级顺时针密绕 N3 7-6 TEX-1 0.65mmx1P三层绝缘线 5 2 骨架反向顺时针密绕 N4 8-NC 2UEW 0.20mmx2P漆包线 8 2 靠初级顺时针密绕 N5 3-1 2UEW 0.20mmx1P漆包线 18 2 靠初级顺时针密绕
备注:变压器规格:EE-1606立式加宽5+3PIN AE值:33mm2
电性测试
变压器规格:EE-1606立式加宽5+3PIN
电感量:PIN2- 11.25mH ?5% ; 测试条件:1KHz0.25V
漏感量:PIN2- 1100uHMax ; 测试条件: 1KHz 0.25V，N2与N3绕组短路
高压测试:
初级-次级3750VAC5mA 60S
绝缘电阻: 100MΩ Min; 测试条件:500VDC
五、DEMO板实物图
六、BOM
清单
安全隐患排查清单下载最新工程量清单计量规则下载程序清单下载家私清单下载送货清单下载
七、DEMO基本电性测试
输出电压测试
效率测试
备注;测试数据带线246820AWG30CM
八、EMI测试
输入:230VACCDN辐射(仅供参考)
SF6773V SOP-7封装
十一、设计注意事项
PCB Layout注意事项
1、PCB Layout时地线尽可能短，IC的地和变压器的地分开接地，改善EMC。
2、控制电路上所有的地先连起来然后一起连到输入电解电容的地，提高系统ESD能力。
3、FB上下偏电阻要靠近FB脚，可以降低噪音耦合。
4、VDD脚的电容要尽量靠近VDD脚，得到好的去耦效果。
5、输入π型滤波的两个电解电容地线的负极之间建议加一个102阻抗1K 0805的贴片磁珠,这样可以得到好的EMI。
6、初级RCD吸收电路中的二极管负极需要串联1个100R的贴片电阻，可以改善EMI。
7、 VCC 电压典型设计范围为12-23V。
变压器注意事项
1、变压器设计时反射电压Vro建议按照80V计算，占空比 ?50%设计。
2、90V输入时系统频率设计在50-60KHz左右。
3、IC 3PIN CC脚对地的电容建议取值:15nF-22nF，可以使输出电压更稳定、动态响应更高。
公司:佛山市南海赛威科技技术有限公司
地址:深圳市南山区科技园高新南一道创维大厦C座802室
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