MEDICI软件的使用介绍魏杰

MEDICI软件的使用简介 关于MEDICI语法的详细描述请参阅使用手册（Manule.pdf），在该手册中有几种不同类型结构的例子（如MOS和NPN），请结合例子来准确理解语句的用途。 一．MEDICI 的功能简介 Medici 是先驱（AVANT！）公司的一个用来进行二维器件模拟的软件，它对势能场和载流子的二维分布建模，通过解泊松方程和电子、空穴的电流连续性等方程来获取特定偏置下的电学特性。用该软件可以对双极型、MOS型等半导体器件进行模拟，这个程序通过解二极管和双极型三极管以及和双载流子有关的电流效应（诸如闩锁效应）的电流连续性方程和泊松方程来分析器件。Medici 也能分析单载流子起主要作用的器件，例如：MOSFET，JFET，MESFET。像热载流子和速度过冲等效应在MEDICI 中都已经考虑了，并能够对他们的影响进行分析。 二．MEDICI 的一些特性 网格（GRID） 在MEDICI 使用了非均匀的三角形网格，可以处理具有平面和非平面表面的特殊器件，并且能够根据电势或杂质分布的情况自动进行优化。电极可以被放在器件结构中的任何地方。 杂质分布的读入 杂质的分布可以通过MEDICI 的函数从AVANT！的其他 工艺 钢结构制作工艺流程车尿素生产工艺流程自动玻璃钢生产工艺2工艺纪律检查制度q345焊接工艺规程 建模软件如：TSUPREM4或者是包含杂质分布的文本文件中获得，也可以在文本文件中描述。 物理模型 为了使模拟的结果精确，下列模型都可以被考虑进来：载流子的复合，PHOTOGENERRATION(光生作用)，碰撞离化效应，禁带变窄效应，隧穿效应，迁移率的变化，载流子寿命，载流子的Boltzman 和 Fermi-Dirac 统计分布，部分离化效应。 图形的输出 1． One-dimensional plots of terminal data 可以用来显示直流特性，例如，所加的电压，接触端的电压，终端电流，时间（瞬态特性），还能够用来显示交流量，如电容，电导，admittance，频率，以及用户定义的一些变量。 2． 可以显示沿着器件结构中特定路径上的某一参量的一维分布 包括：势能，载流子的准费米势能，电场，载流子浓度，杂质浓度，复合和产生率，以及电流密度。 3． 网格，边界，电极，和结的位置，耗尽区边界的二维结构图 4． 量的二维图形分布，例如：势能，载流子的准费米势能，电场，载流子浓度，杂质浓度，复合和产生率，电流密度，电流分布。 5． 电流密度核电场的二维向量分布 6． Three-dimensional projuction plots of quantities，例如：势能，载流子的准费米势能，电场，载流子浓度，杂质浓度，复合和产生率，电流密度， 三．MEDICI 的语法概览 语句简介 器件结构定义语句包括：MESH, X.MESH, Y.MESH, ELIMINATE, SPREAD, TSUPREM4,REGION，ELECTRODE, PROFILE。这些语句定义了器件的结构和模拟用的网格。 器件结构定义 MESH:初始化网表的生成 X.MESH:描述X方向上的网格线的位置 Y.MESH:描述Y方向上的网格线的位置 ELIMINATE:沿着网格线缩减节点 REGION:定义区域材料 SPREAD:沿着水平网格线调整节点的垂直位置 ELECTRODE: 定义电极 PROFILE：定义掺杂 REGRID：可以用来对网格进一步优化. 器件求解的物理模型 MOBILITY描述和各种各样的迁移率模型相关的参数. MODELS用来描述模拟过程中的物理模型. SYBOLIC可用来选择模拟时用的求解 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 . METHOD用来对特定的求解方法选择特殊的技巧. SOLVE用来选择偏置条件和分析类型.,这个语句可以被用于稳态,瞬态和交流小信号. 图形化结果的输出 PLOT.3D被用来初始化三维图显示平台，它的配套语3D.SURFACE,TITLE，COMMENT等。 PLOT.2D用来初始化二维图形显示平台.它的配套语句可以有CONTOUR,VERCTOR,E.LINE,LABEL,TITLE,COMMENT等。 PLOT.1D用来初始化一维图形显示平台,它的配套语句有E.LINE,LABEL,TITIE,COMMEN，CONTOUR等。 语句格式: MEDICI 的输入语句具有自由的格式,并具有下列的一些特性. a)说明语句用comment 或 “$” b)每一个语句都由语句名称开始,后面再跟一些参数名和值. c)每一个语句都可以占用一行以上的地方,行与行之间用连接符号(“+”)连接. d)每一行最多由80个字符构成 参数类型: 参数是指接在每一个语句名称后，用来定量的实现该语句的功能的符号。 a) logical: 默认值为true或者false. b) numerical: 赋予固定数值 c) character: 赋予名称 输入限制: 1. 最多1000个语句 2. 最多2000行 3. 最多60000个字符 关于MOS器件的MEDICI仿真 一、器件结构定义 1.1 标 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 TITLE  P-Channel MOSFET 取的标题，对实际的模拟无用 1.2 MESH（网格） COMMENT  Specify a rectangular mesh COMMENT语句表示该行是注释 MESH  SMOOTH.k=1    cylincri/rectangu 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表,在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需要能够说明器件的不同区域,在后面我们会对该网表进行优化.网表的生成是由一个MESH语句开始的,MESH语句中还可以对smoothing进行设置(好的smoothing可以把SPREAD语句产生的钝角三角形带来的不利影响减小). SMOOTH用来平滑网格的,以减小钝角三角形带来的不利影响,SMOOTH=1表示平滑化时,各个区域的边界不变,SMOOTH=2表示仅仅不同材料的边界保持不变.参数DOPING说明优化网格的 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 是基于杂质分布的,杂质分布变化快的区域自动进行调整. MESH  SMOOTH.k=1  cylincri/rectangu cylincri定义圆柱坐标，rectangu定义矩形坐标，默认情况为矩形坐标。 1.3 X.MESH X.MESH    WIDTH=3.0  H1=0.125 X.MESH语句中的H1=0.125说明在横向区域0—WIDTH之间网格线水平间隔为0.125微米(均匀分布). X.MESH  N=1  L=0 X.MESH  N=10  L=1 N（node）,L(Location),将第一条网格定义在0微米处，第10条网格定义在1微米处。 X.MESH  L=0  SPACING=0.1 X.MESH  L=1.0  SPACING=0.01  summary 在0微米处网格间距为0.1， 在1.0微米处，网格间距为0.01 X.MESH width=1  H1=0.01  ratio=1.2  summary(总结) 1微米宽度，初始网格间距0.01微米，相邻网格间距按1.2的比例增长 1.4  Y.MESH Y.MESH    DEPTH=3.0  H1=0.125 Y.MESH语句中的H1=0.125说明在横向区域0—DEPTH之间网格线水平间隔为0.125微米(均匀分布). Y.MESH  N=1  L=0 Y.MESH  N=10  L=1 N（node）,L(Location),将第一条网格定义在0微米处，第10条网格定义在1微米处。 Y.MESH  L=0  SPACING=0.1 Y.MESH  L=1.0  SPACING=0.01  summary 在0微米处网格间距为0.1， 在1.0微米处，网格间距为0.01 X.MESH DEPTH=1  H1=0.01  ratio=1.2  summary 1微米宽度，初始网格间距0.01微米，相邻网格间距按1.2的比例增长 1.5 ELIMINATE    column（纵队，列） 删除多余网格 ELIMIN    COLUMNS  Y.MIN=1.1 该语句将L大于等于1.1微米的网格线隔列(COLUMNS)删除,以减小节点数 ELIMIN    COLUMNS  iY.MIN=10 该语句将N≥10的网格线隔列(COLUMNS)删除,以减小节点数 ELIMIN    ROWS  X.MIN=1.1 该语句将L≥1.1微米的网格线隔行删除,以减小节点数 ELIMIN    ROWS  iX.MIN=10 该语句将N≥10的网格线隔行删除,以减小节点数 1.6 SPEEAD distort source/drain oxide thickness using SPREAD ENC means the abruptness of two reagion, the number more less, more sharp SPREAD    LEFT  WIDTH=.625  UP=1  LO=3  THICK=.1  ENC=2 SPREAD语句用来对网格线进行扭曲,以便更好的描述器件的边界.这个SPREAD语句将前三条网格线在左边(0-WIDTH之内)的间隔从0.025(栅区氧化层)过渡到0.1微米，其中UP指要定义的区域的上边界(此处为第一条网格线),LO指要定义的区域的下边界(此处为第三条网格线),THICK定义了这个区域的厚度. WIDTH在这里以过渡区域的中点为准。 SPREAD    RIGHT  WIDTH=.625  UP=1  LO=3  THICK=.1  vol.rat=0.7 SPREAD    LEFT  WIDTH=100  UP=3  LO=4  Y.LO=0.125 这个SPREAD语句将第四条网格线固定在0.125微米处（Y.LO=0.125） 1.7 REGION Specify REGIONs: SILICON | GAAS | POLYSILI | GERMANIU | SIC | SEMICOND | SIGE | ALGAAS | A-SILICO | DIAMOND | HGCDTE | INAS | INGAAS | | INP | S.OXIDE | ZNSE | ZNTE | ALINAS | GAASP | INGAP | INASP no more description means all REGION REGION    SILICON REGION是用来定义区域的材料性质,如果不特别说明区域的范围的话,则表示对整个结构进行定义,在这里定义整个区域为硅 REGION    OXIDE    IY.MAX=3 定义第三条网格线以上的区域为二氧化硅 可用以下两定义区域 [ {X.MIN= | IX.MIN=} ] [ {X.MAX= | IX.MAX=} ] [ {Y.MIN= | IY.MIN=} ] [ {Y.MAX= | IY.MAX=} ] 1.8  ELECTRODE 电极可以定义在器件的任何位置 ELECTR    NAME=Gate    X.MIN=0.625  X.MAX=2.375  TOP ELECTR是用来定义电极位置的,在这里将栅极放在栅极二氧化硅的表面 ELECTR    NAME=Substrate  BOTTOM 将衬底接触电极放在器件的底部 ELECTR    NAME=Source  X.MAX=0.5  IY.MAX=3 将源区的接触电极放在器件的左边 ELECTR    NAME=Drain  X.MIN=2.5  IY.MAX=3 将漏区的接触电极放在器件的右边 可以以下量定义电极位置 [ {TOP | BOTTOM | LEFT | RIGHT | INTERFAC | PERIMETE} ] [ {X.MIN= | IX.MIN=} ] [ {X.MAX= | IX.MAX=} ] [ {Y.MIN= | IY.MIN=} ] [ {Y.MAX= | IY.MAX=} ] 1.9 PROFILE COMMENT  Specify impurity profiles and fixed charge 定义区域 [REGION=][X.MIN=] [ {WIDTH= | X.MAX=} ][Y.MIN=] [ {DEPTH= | Y.MAX=} ] 均匀掺杂 PROFILE  P-TYPE  N.PEAK=3E15  UNIFORM PROFILE语句是用来定义掺杂情况的,P-TYPE表示是P型掺杂,N.PEAK描述峰值浓度. 这个语句定义整个衬底的浓度为均匀掺杂(UNIFORM),浓度为P(P-TYPE)3E15(N.PEAK). 非均匀掺杂 ?? PROFILE  uniform  n-type  n.peak=1e16 PROFILE （杂质）IMPURITY=B N.PEAK=1E18 Y.MIN=0 Y.MAX=0 Y.CHAR=.2 X.MIN=0 X.MAX=0.5 +X.CHAR=0.2 PROFILE  N-TYPE  N.PEAK=2E20  Y.JUNC=.34  X.MIN=0.0  WIDTH=.5  XY.RAT=.75 PROFILE  N-TYPE  N.PEAK=2E20  Y.JUNC=.34  X.MIN=2.5  WIDTH=.5  XY.RAT=.75 以上两句定义了源(0-0.5微米处)和漏（2.5-3微米处）的掺杂区,他们的结深(Y.JUNC)为0.34微米,横向扩散率为0.75(XY.RAT),为N型(N-TYPE),浓度为2E20(N.PEAK). 1.10 REGRID Regrid doping log ratio=2 smooth.key=2 REGRID    DOPING  IGNORE=OXIDE  RATIO=2  SMOOTH=1 REGRID语句是用来对网格按要求进行优化的语句. 1.11 Solve initial Model consrh auger conmob fldmob bgn Symbolic gummel carrier=0 Method iccg damped Solve initial MODELS用来描述在模拟中用到的各种物理模型.除非又使用了该语句,否则该语句定义的模型一直有效.参数CONMOB表示使用迁移率与杂质分布有关的模型,consrh表示shockley-Read-Hall复合载流子寿命受掺杂浓度影响，auger俄歇复合模型，conmob迁移率受掺杂浓度影响模型，fldmob迁移率受电场控制模型，bgn能带变窄效应.模型的选取要根据器件的结构及尺寸来定。模型用的越多仿真结果越准确，但同时也更不容易收敛。MEDICI提供了很多器件模型，详见说明书。 Symbolic选用求解方法： 因为在这只需要势能,所以载流子类型为零. 1.12 PLOT Regrid REGION=2 potential ratio=5 smooth.k=1 out.file=mos.mesh 该语句可以在势能变化快的地方将网格进一步优化 PLOT Plot.2d bound grid fill Plot.2d grid fill scale GRID means show/hide grid FILL means reagions is color filled or not SCALE means the plot is reduced from the specified size in x or y directions PLOT.2D是用来显示二维图形的语句,参数GRID表示在图中显示网表，FILL表示不同的区域用颜色填充，使用参数SCALE后,可以使显示图形的大小合适.这个语句本身并不能显示器件的什么特性,只是给器件特性的显示提供一个平台,结合了其他的语句后才能显示所想要的图形.在这里的几个参数都是可有可无的,不妨把他们去掉,看看有什么不同,以加深理解. PLOT.1D  DOPING X.START=.25  X.END=.25  Y.START=0  Y.END=2 +        Y.LOG  POINTS  BOT=1E15  TOP=1E21  COLOR=2 +        TITLE="Example 1 - Source Impurity Profile" PLOT.1D语句是用来显示参数的一维变化的.在这里参数DOPING说明显示的是杂质的分布情况,X.START,X.END,Y.START,Y.END用来定义想要考察的路径（起始坐标是（X.START,Y.START）,终点坐标是（X.END,Y.END））. Y.LOG表示纵坐标使用对数坐标,最大值为TOP,最小值为BOT. points是以数据点的形式画图，color选择线的颜色。 PLOT.2D  BOUND  REGION TITLE="Example 1 - Impurity Contours"  FILL  SCALE CONTOUR  DOPING  LOG  MIN=16  MAX=20  DEL=.5  COLOR=2 CONTOUR  DOPING  LOG  MIN=-16  MAX=-15  DEL=.5  COLOR=1  LINE=2 在这里PLOT.2D语句搭建了一个显示的平台，两个CONTOUR语句则在这个平台上描绘了所需参数的特性，CONTOUR语句是用来在最近的一个PLOT.2D语句上绘制各种物理参量的二维特性的，在这里它们都是用来绘制杂质的二维分布（由参数DOPING说明）。MIN和MAX则指定了参数的显示范围，DEL表示所显示的相邻曲线之间的在参数值上的间隔，负数表示是P型掺杂，正数表示是N型掺杂。COLOR表示线条的颜色，LINE表示线条的类型。 LOG表示MIN，MAX和DEL都采用对数表示。 二、仿真MOS 的VTH  IV  BV特性 2.1 调入存储器件结构信息的网表文件 mesh in.file=mos.mesh 2.2 初始化 model consrh auger conmob fldmob bgn symbolic gummel carrier=0 method iccg damped solve initial 2.3 进一步初始化 model consrh auger conmob fldmob bgn impact.i symbolic newton carriers=2 method itlimit=30 stack=15 可根据情况更改symbolic symbolic newton carriers=1 electron/hole 2.4 设置偏置条件 2.4.1 阈值仿真（nmos为例子） LOG  out.f=vth.log $solve elec=source v(source)=0 solve elec=drain v(drain)=0.1 solve  elec=gate v(gate)=0 vstep=0.2 nstep=25 solve previous out.f=vtout 在MEDICI中，没有定义电压的电极系统默认其为0V Vth.log存储电压电流关系，vthout存储电场电势信息。 2.4.2 开态特性仿真（nmos为例子） LOG  out.f=iv.log $solve elec=source v(source)=0 solve  elec=gate v(gate)=0 vstep=0.2 nstep=25 solve  elec=drain v(drain)=0 continue v(drain)=0 c.imax=1e-3 c.vmax=200 +c.vstep=0.5  c.toler=0.1 solve previous out.f=ivout 2.4.3 关态特性仿真（nmos为例子） LOG  out.f=bv.log $solve elec=source v(source)=0 $solve  elec=gate v(gate)=0 solve  elec=drain v(drain)=0 continue v(drain)=0 c.imax=1e-3 c.vmax=200 +c.vstep=0.5  c.toler=0.1 solve previous out.f=bvout 2.5 PLOT(以开态特性为例) mesh in.file=mos.mesh plot.1d in.f=iv.log x.axis=v(drain) y.axis=i(drain) POINTS  COLOR=2 +        TITLE="Example 1D - Drain Characteristics" LABEL    LABEL="Vgs = 5.0v"  X=2.4  Y=0.1E-4 画出IV特性曲线。LABEL语句用来在图上适当位置添加标志. Load in.f=ivout plot.1d e.field y.start=1  y.end=1 title=”y=1 efield” 画出特性位置的电场线分布,除此之外MEDICI还可以画出电子电流、空穴电流、总电流、电子速度、空穴速度、电子迁移率、空穴迁移率等，详见手册。 Plot.2d bound fill junc depl Junc为画出冶金结边界，del为画出耗尽层边界 Plot.2d bound fill Contour potential ncon=20 Contour flowline  ncon=20 画出20条等势线及20条电流线 关于BJT器件的仿真及介绍 下面是一个npn双集型三极管的描述实例： 1... TITLE TMA MEDICI Example 2P - NPN Transistor Simulation 2... COMMENT Simulation with Modified Emitter REGIONs 3... COMMENT Initial mesh specification 4... MESH;创建一个原始网格 5... X.MESH WIDTH=6.0 H1=0.250；网格横向宽为6u，间距为0.25u 6... Y.MESH Y.MIN=-0.25 Y.MAX=0.0 N.SPACES=2；在纵向－0.25和0之间创建两（N.SPACES）行网格 7... Y.MESH DEPTH=0.5 H1=0.125；纵向添加深度为0.5u的网格，纵向间距为0.125u 8... Y.MESH DEPTH=1.5 H1=0.125 H2=0.4；纵向再添加深度为1.5u的网格，其纵向间距从0.125u变化到0.4u 9... COMMENT REGION definition 10... REGION NAME=Silicon SILICON；定义整个区域性质为silicon 11... REGION NAME=Oxide OXIDE Y.MAX=0；定义从－0.25到0的区域都为二氧化硅 12... REGION NAME=Poly POLYSILI Y.MAX=0 X.MIN=2.75 X.MAX=4.25；再次定义二氧化硅层的中间部分区域为poly 13... COMMENT Electrodes 14... ELECTR NAME=Base X.MIN=1.25 X.MAX=2.00 Y.MAX=0.0；基区电极位置定义 15... ELECTR NAME=Emitter X.MIN=2.75 X.MAX=4.25 TOP；发射区电极位置定义（在整个器件顶部,TOP） 16... ELECTR NAME=Collector BOTTOM；集电区电极位置定义（在器件的最底部BOTTOM） 17... COMMENT Specify impurity profiles 18... PROFILE N-TYPE N.PEAK=5e15 UNIFORM OUT.FILE=MDEX2DS；定义衬底为n型均匀搀杂，浓度为5e15，并将所有定义的搀杂特性 记录 混凝土 养护记录下载土方回填监理旁站记录免费下载集备记录下载集备记录下载集备记录下载 在文件MDEX2DS中，在下次网格优化时方便调用 19... PROFILE P-TYPE N.PEAK=6e17 Y.MIN=0.35 Y.CHAR=0.16 ... + X.MIN=1.25 WIDTH=3.5 XY.RAT=0.75；定义基区为p型搀杂，浓度为6e17，搀杂特征长度（Y.CHAR）为0.16，横向扩散率为0.75 20... PROFILE P-TYPE N.PEAK=4e18 Y.MIN=0.0 Y.CHAR=0.16 ... + X.MIN=1.25 WIDTH=3.5 XY.RAT=0.75;仍旧是定义基区的搀杂特性（和发射区邻接部分浓度较高） 21... PROFILE N-TYPE N.PEAK=7e19 Y.MIN=-0.25 DEPTH=0.25 Y.CHAR=0.17 ... + X.MIN=2.75 WIDTH=1.5 XY.RAT=0.75；定义n型发射区的搀杂特性 22... PROFILE N-TYPE N.PEAK=1e19 Y.MIN=2.0 Y.CHAR=0.27；定义n型集电区的搀杂特性 23... COMMENT Regrids on doping 24... REGRID DOPING LOG RATIO=3 SMOOTH=1 IN.FILE=MDEX2DS；读入文件MDEX2DS,对网格进行优化处理，当网格上某节点的搀杂变化率超过3时，对这个网格进行更进一步的划分（分为四个全等的小三角形） 25... REGRID DOPING LOG RATIO=3 SMOOTH=1 IN.FILE=MDEX2DS；再次进行同样的优化处理，将网格更加的细化 26... COMMENT Extra regrid in emitter-base junction REGION only. 27... REGRID DOPING LOG RATIO=3 SMOOTH=1 IN.FILE=MDEX2DS ... + X.MIN=2.25 X.MAX=4.75 Y.MAX=0.50 OUT.FILE=MDEX2MP；对发射区与基区交界部分的网格进行专门的优化处理。最后将整个完整定义的网格保存在文件MDEX2MP中 28... PLOT.2D GRID SCALE FILL ... + TITLE=”Example 2P - Modified Simulation Mesh”；完成的网格如下图 29... COMMENT Modify properties of polysilicon-emitter REGION 30... MOBILITY POLYSILI CONC=7E19 HOLE=2.3 FIRST LAST；在多晶硅的搀杂浓度为7e19时，空穴的迁移率为2.3（依赖多晶硅的搀杂浓度而变化），不过FIRST和LAST这两个参数的引入表明无论搀杂浓度为多少，空穴的迁移率保持不变 31... MATERIAL POLYSILI TAUP0=8E-8；多晶硅中空穴的寿命保持为8e－8 32... MODEL CONMOB CONSRH AUGER BGN；定义在模拟中用到的各种物理模型，CONMOB表示使用迁移率与杂质分布有关的模型； AUGER表示使用与俄歇复合有关的模型；BGN表示使用与禁带宽度变窄效应有关的模型。 33... COMMENT Initial solution 34... SYMB CARRIERS=0； 35... METHOD ICCG DAMPED；一般使用上述两个参数来解决零载流子模型 36... SOLVE V(Collector)=3.0；在Vc＝3v时求探索解 37... SYMB NEWTON CARRIERS=2； 38... SOLVE；仍旧在Vc＝3v时求解（使用NEWTON模型） 39... COMMENT Setup log files, forward bias base-emitter junction, and ... + calculate the admittance matrix（导纳矩阵） at 1.0 MHz 40... LOG OUT.FILE=MDEX2PI；将上面模拟的数据保存在LOG文件MDEX2PI中,后面要用到 41... SOLVE V(Base)=0.2 ELEC=Base VSTEP=0.1 NSTEP=4 ... + AC.ANAL FREQ=1E6 TERM=Base；在频率为1e6HZ，Vb＝0.2v－0.6v（步长为0.1V）的情况下，进行交流小信号的模拟 42... SOLVE V(Base)=0.7 ELEC=Base VSTEP=0.1 NSTEP=2 ... + AC.ANAL FREQ=1E6 TERM=Base OUT.FILE=MDEX2P7；同样是在频率为1e6HZ，Vb＝0.7－0.9（步长为0.1V）的情况下，进行交流小信号的模拟，并将结果(Vb＝0.7v)保存在文件MDEX2P7中,Vb=0.8v的结果保存在文件MDEX2P8中，Vb=0.9v的结果保存在文件MDEX2P9中 1... TITLE TMA MEDICI Example 2PP - NPN Transistor Simulation 2... COMMENT Post-Processing of MDEX2P Results 3... COMMENT Plot Ic and Ib vs. Vbe 4... PLOT.1D IN.FILE=MDEX2PI Y.AXIS=I(Collector) X.AXIS=V(Base) ... + LINE=1 COLOR=2 TITLE=”Example 2PP - Ic & Ib vs. Vbe”... + BOT=1E-14 TOP=1E-3 Y.LOG POINTS； 5... PLOT.1D IN.FILE=MDEX2PI Y.AXIS=I(Base) X.AXIS=V(Base) ... + Y.LOG POINTS LINE=2 COLOR=3 UNCHANGE；绘制基极电流和电压的曲线图，UNCHANGE表明仍旧绘制在上面一条曲线所在的坐标系中。 6... LABEL LABEL=”Ic” X=.525 Y=1E-8 7... LABEL LABEL=”Ib” X=.550 Y=2E-10 8... LABEL LABEL=”Vce = 3.0v” X=.75 Y=1E-13；上述三句在上面绘制的曲线图上添加标签 11... PLOT.1D IN.FILE=MDEX2PI X.AXIS=I(Collector) Y.AXIS=Beta ... + TITLE=”Example 2PP - Beta vs. Collector Current” ... + BOTTOM=0.0 TOP=25 LEFT=1E-14 RIGHT=1E-3 ... + X.LOG POINTS COLOR=2；绘制集电极电流与增益的关系曲线 12... LABEL LABEL=”Vce = 3.0v” X=5E-14 Y=23；做标签 17... COMMENT Read in the simulation mesh and solution for Vbe=0.9v 18... MESH IN.FILE=MDEX2MS；由于要绘制二维图形，为了方便，重新载入前面描述的网格。 19... LOAD IN.FILE=MDEX2S9； 20... COMMENT Vector plot of total current for Vbe=0.9v 21... PLOT.2D BOUND JUNC SCALE FILL ... + TITLE=”Example 2FP - Total Current Vectors” 22... VECTOR J.TOTAL COLOR=2； 23... LABEL LABEL=”Vbe = 0.9v” X=0.4 Y=1.55 24... LABEL LABEL=”Vce = 3.0v”；做标签 25... COMMENT Potential contour plot for Vbe=0.9v 26... PLOT.2D BOUND JUNC DEPL SCALE FILL ... + TITLE=”Example 2FP - Potential Contours” 27... CONTOUR POTEN MIN=-1 MAX=4 DEL=.25 COLOR=6；绘制等势能曲线（CONTOUR用来绘制等高线），POTEN指势能，MIN和MAX指定参数的显示范围，DEL表示所显示的相邻曲线在参数值上的间隔，负数表示是p型搀杂，正数表示是n型搀杂 28... LABEL LABEL=”Vbe = 0.9v” X=0.4 Y=1.55 29... LABEL LABEL=”Vce = 3.0v”；做标签 30... COMMENT Plot doping and carrier concentrations for Vbe=0.7v 31... LOAD IN.FILE=MDEX2S7；载入模拟结果文件MDEX2S7(Vbe＝0.7v) 32... PLOT.1D DOPING Y.LOG SYMBOL=1 COLOR=2 LINE=1 ... + BOT=1E10 TOP=1E20 ... + X.STA=3.5 X.END=3.5 Y.STA=0 Y.END=2 ... + TITLE=”Example 2FP - Carrier & Impurity Conc.”;绘制器件的杂质浓度特性曲线，使用第一种标志（SYMBOL=1,方块），起始点为（3.5,0）,终止点为（3.5,2） 33... PLOT.1D ELECTR Y.LOG SYMBOL=2 COLOR=3 LINE=2 UNCHANGE ... + X.STA=3.5 X.END=3.5 Y.STA=0 Y.END=2；仍旧在上面曲线的基础上绘制电子的浓度特性曲线 34... PLOT.1D HOLES Y.LOG SYMBOL=3 COLOR=4 LINE=3 UNCHANGE ... + X.STA=3.5 X.END=3.5 Y.STA=0 Y.END=2；绘制空穴的浓度特性曲线 35... LABEL LABEL=”Vbe = 0.7v” X=1.55 Y=4E12 36... LABEL LABEL=”Vce = 3.0v” 37... LABEL LABEL=”Doping” SYMBOL=1 COLOR=2 38... LABEL LABEL=”Electrons” SYMBOL=2 COLOR=3 39... LABEL LABEL=”Holes” SYMBOL=3 COLOR=4；添加标签