LED制造工艺流程

nullLED制造工艺 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 LED制造工艺流程工艺过程工艺过程例如GaAs、Al2O3 、Si、 SiC等制造衬底封状成 成品制造 芯片 40000个制造发光二极管外延片例如MOCVD一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片硅(Si)氮化镓(GaN)50毫米200微米=0.2毫米上游产业： 材料的外延与生长中游产业： 芯片制造下游产业： 器件封装与应用技术路线技术路线衬底制备外延材料生长外延片检测N面工艺薄膜转移P面工艺芯片点测划片芯片分选衬底制备衬底制备直拉法 主要包括以下几个过程： 加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长null切片 磨片 抛光null清洗:2h 光刻: 刻蚀:1h一炉(8片)null光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶涂粘结剂，正胶并前烘null曝光曝光后null显影并坚膜腐蚀null去胶等离子去胶机null正胶 :腐蚀，去除被照的部分 负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘null刻蚀RIE和 ICP 以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2ORIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀ICP (Induced Coupled Plasma) 电感耦合等离子体ICP (Induced Coupled Plasma) 电感耦合等离子体外延材料生长外延材料生长MOCVD 记编号 放片子反应原理、反应方程式反应原理、反应方程式氨气NH3氢气H 2三甲基镓源 TMG反应管衬底石墨支撑盘Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)外延层结构外延层结构外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子　　 　阱发光层、P型导电层氮化铝(AlN)缓冲层氮化镓(GaN)缓冲层5×InGaN/GaN多量子阱Si(111)衬底N型导电GaN掺Si层P型导电GaN掺Mg层430um3~4um 2nm=0.002um8nm=0.008um200nmSilicon Substrate外延片检测外延片检测PL机 半峰宽 主波长 台阶仪 清洗，去除有机物等BOEnull外延片P面工艺P面工艺反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt保护Cr， CrPt互补 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度 蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5min Ni/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃 合金 P面电极图形 nullP型接触层蒸发合金null粘结层蒸发null粘结层光刻薄膜转移薄膜转移bonding双面镀金基板压力/温度石墨外延片与基板压头null灌蜡 堵住沟槽，保护Agnull金锡邦定 金金邦定不牢， 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面不干净，因在邦定前不能用H2SO4泡（Ag不允许）null去Si衬底 522( HNO3:HF:冰乙酸)null去沟槽，去蜡 丙酮超声null去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长null去边 （2）SiO2掩膜光刻null去边 （3）去边腐蚀null去边 （4）去Pt (P型接触层)null去边 （5）去SiO2null剥离？LLON面工艺N面工艺表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小 钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2 N电极蒸发Al/Ti/Au 电极光刻 null钝化 （1）SiN生长null钝化 （2）SiN光刻nullN电极蒸发（Al）nullN电极光刻（Al）芯片点测芯片点测划片划片芯片分选芯片分选自动分选 扫描null手选null崩膜，扩膜 贴标签 计数 封装封装 LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。null封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。LAMP 食人鱼TOP LED 大功率LED封装工艺说明封装工艺说明芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）芯片尺寸及电极大小是否符合工艺 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 电极图案是否完整 扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 null点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。null备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在ＬＥＤ背面电极上，然后把背部带银胶的ＬＥD安装在支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 手工刺片 将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。null 自动装架 自动装架其实是结合了粘胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先后在LED支架点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。 自动装架在工艺上主要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。null烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。 绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。null压焊 压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程在在压第一点前先烧个球，其余过程类似。 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈力（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）null 灌胶封装 Lamp-LED的封装采用灌胶的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。 固化与固化后 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘结强度非常重要。一般条件为120℃，4小时。null 切筋和划片 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。 测试 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。 包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。 null