首页 VCO Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害

VCO Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害

举报
开通vip

VCO Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害 由于现今智能手机要求的 RF功能越来越多,这连带使得零件数目越来越多,且 越来越要求轻薄短小[1],而零中频架构,由于具备了低成本,低复杂度,以及 高整合度,这使得零中频架构的收发器,在手持装置,越来越受欢迎[2]。但连 带也有一些缺失,其中一项便是所谓的 VCO Pulling,如下图[3-6] : 在零中频架构中,因为主频讯号的频率与 LO相同,所以有可能会泄漏并造成干 扰,而整个发射路径中,最可能的泄漏来源为 PA输出端与天线端,因为 PA输 出端的能量最强,因此会以传导方式...

VCO Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害
由于现今智能手机要求的 RF功能越来越多,这连带使得零件数目越来越多,且 越来越要求轻薄短小[1],而零中频架构,由于具备了低成本,低复杂度,以及 高整合度,这使得零中频架构的收发器,在手持装置,越来越受欢迎[2]。但连 带也有一些缺失,其中一项便是所谓的 VCO Pulling,如下图[3-6] : 在零中频架构中,因为主频讯号的频率与 LO相同,所以有可能会泄漏并造成干 扰,而整个发射路径中,最可能的泄漏来源为 PA输出端与天线端,因为 PA输 出端的能量最强,因此会以传导方式干扰,而天线端则是会直接以辐射方式干扰, 使调变精确度下降,导致相位误差,频率误差,以及 EVM都会有所劣化[6]。 1 由于 PA的输入功率范围一向很广,以 RFMD的 RF3225为例,其输入功率范围 为 0 dBm ~ 6 dBm,这 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 示收发器的输出功率,即便扣掉 Mismatch Loss与 Insertion Loss,仍符合 PA的输入功率范围,因此一般而言,较少调校此处的匹 配。然而 PA的输入端,其实也是 DA(Driver Amplifier)的 Load-pull,因此这部 分的匹配若没调校好,会使 DA的线性度不够,导致在 PA输入端,发射性能已 经不好,再加上 PA是主要的非线性贡献者,如此便会导致 PA输出端的发射性 能更差[8]。 除此之外,这部分的匹配若没调校好,会因反射而干扰 VCO,导致调变精确度下 降,如下图[6] : 而 PA输入端的匹配电路,其摆放位置需依平台而定,例如若为MTK的MT6252, 则需靠近收发器,但若为高通的WTR1605L,则需靠近 PA[8-9]。 2 由[10]可知,像WCDMA这种会用到振幅调变的讯号,只能用线性 PA作放大, 亦即在升频过程中,是采用所谓的 I/Q Modulation,如下图[11] : I/Q Modulation是直接将数字讯号的I/Q讯号,直接升频成RF讯号,因此容易在 混波过程中,产生带外噪声,若带外噪声被PA放大,进而增加LNA的Noise Floor, 会导致灵敏度变差。换句话说,WCDMA接收端的灵敏度,除了会因Tx Leakage 而劣化[13],也会因被PA放大的带外噪声而变差[1]。 3 除此之外,因为GPS接收的是-150 dBm以下,极微弱的讯号,因此当WCDMA与 GPS功能同时开启时,被PA放大的带外噪声,有可能会影响到GPS[1] : 因此通常多半会在PA输入端,添加SAW Filter。但在成本与空间的考虑下,越来 越倾向将SAW Filter拿掉[1],而由[14]得知,若收发器内部设计得宜,即便无SAW Filter,其灵敏度也不会太差。 4 因此在一些电路设计上,会看到以 0奥姆电阻作切换的设计,例如高通的 WTR1605L,在WCDMA的发射端部分,其 SAW Filter会再额外多接一个传输路 径,当 R2615不放组件时,其发射讯号会经过 U2603这颗 SAW Filter,当 R2615 放0奥姆时,其发射讯号并不会经过U2603这颗SAW Filter,而是直接透过R2615 传输过去[15]。 然而有时会遇到的问题是,当 R2615放 0奥姆时,其相位误差与 EVM会变差, 此时可能有人会认为是 SAW Filter的关系,但这是个误解,因为相位误差与 EVM, 都是带内噪声,而 SAW Filter是用来抑制带外噪声,换言之,SAW Filter无法改 善相位误差与 EVM,相反地,若 SAW Filter的 Group Delay过大,会导致信号有 所失真,进而劣化 EVM[1]。 5 因此合理的解释,便是 VCO Pulling,当 R2615不放组件时,其发射讯号会经过 U2603这颗 SAW Filter,此时收发器看出去的 S11很好,不会有讯号反射。 但是当 R2615放 0奥姆时,其发射讯号会直接经过 R2615,由于 Layout走线关 系,导致收发器看出去的 S11不好,讯号反射打到 VCO,使得调变精确度下降, 其相位误差与 EVM变差。故此时应针对 PA输入端的 Matching再作微调,以减 少反射。 6 由下图可知,当 PA输入端的 Matching调校为较收敛的状况时,其 EVM也跟着 改善[1]。 7 然而相较于 PA输入端,由于 PA输出端的能量更强,因此更可能会危害到 VCO, 因此更需特别注意。有可能透过其他邻近的走线,藉由耦合的方式,产生 VCO Pulling。 常见的例子是,在调试过程中,发现相位误差过大,但接收端的 Matching拿掉, 也就是将接收路径断开后,其相位误差便改善,此时可能有人会认为是接收端 Matching的关系,但这是个误解。 8 因为接收端的 Matching,是为了减少接收讯号的 Mismatch Loss,使其灵敏度变 好,并不会影响发射端的相位误差。或是有人怀疑接收讯号干扰发射讯号,因此 将接收路径断开后,便无干扰来源,导致相位误差改善。这也是个误解,因为 GSM是 TDD机制,发射与接收不会同时运作,因此当讯号从发射端发射时,接 收端并无讯号。即便是WCDMA这种 FDD机制,亦即发射与接收会同时运作, 但由于接收讯号远小于发射讯号,其强度不足以干扰发射讯号,反倒是发射讯号 容易干扰接收讯号[2]。 因此合理的解释是,由于 PA输出讯号,耦合到接收路径,流入收发器,进而打 到发射端 VCO,产生 VCO Pulling。 或是打到接收端 VCO,再耦合到发射端 VCO,产生 VCO Pulling[3]。 9 而由[17-19]得知,讯号干扰的机制,会有三要素, 接收路径在这案例中,扮演 Path的角色,因此拿掉接收端的 Matching,等同于 将 Path断开,消除 VCO Pulling,进而改善相位误差。 当然,若接收端有添加 SAW Filter,可以将发射端的讯号挡下来,以[20]为例, 其发射讯号的频率,已经属于带外噪声, 10 因此原则上,接收端有添加 SAW Filter,可以避免该情况发生。但要注意其 SAW Filter的摆放位置,必须离收发器越近愈好,确保发射讯号在进入收发器前,能 被 SAW Filter挡下来。 否则若离收发器过远,则发射讯号一样有机会透过接收路径,窜入收发器,产生 VCO Pulling。 11 但有些收发器的接收端,是属于 SAW-less设计,例如高通的 RTR6285A[21], 其 GSM部分的接收路径,并无摆放 SAW Filter,故此时接收端的 Matching,其 任务除了改善接收讯号的 Mismatch Loss,同时也负责抑制带外噪声,即抵挡发 射讯号。 当然,如前述的接收端 SAW Filter一样,该接收端 Matching,一样需离收发器 越近愈好,确保发射讯号在进入收发器前,能被挡下来。 否则若离收发器过远,一样会产生 VCO Pulling。 12 除了邻近走线外,其发射讯号也可能会透过 Shielding Cover,产生 VCO Pulling, 若 Shielding Cover与 Shielding Frame接触不是很紧密,即接地不是很好,则耦 合到 Shielding Cover上的发射讯号,并不会通通流到 GND,而是会透过反射, 窜入收发器,导致 VCO Pulling。 此时应该加强 Shielding Cover与 Shielding Frame的接触,使其耦合到 Shielding Cover上的发射讯号,通通流到 GND。 13 以及加强 Shielding Cover与 Housing金属的接触[17-19]。 当然在 Layout时,其 Shielding Frame上的 GND Via要尽可能多打,以便加强 GNDING[21]。 14 而也因为会有 VCO Pulling的问题,因此不论是高通,或是 MTK,都会建议收发 器与 PA要分别放在两个独立的屏蔽框里,也是为了避免 VCO Pulling[6]。 而接收端的 SAW Filter以及 Matching,除了如前述离收发器越近越好,也要放 在收发器的屏蔽框里[22]。 15 另外,在收发器到 ASM的长度不变情况下,尽可能缩短 PA到 ASM的距离,主 要是为了 Insertion Loss与 VCO Pulling的考虑。 由前述可知,由于 PA的输入功率范围一向很广,以 RFMD的 RF3225为例,其 输入功率范围为 0 dBm ~ 6 dBm,这表示收发器的输出功率,即便扣掉 Mismatch Loss与 Insertion Loss,仍符合 PA的输入功率范围,因此即便 PA输入端走线长 一点,Insertion Loss大一点,对于 PA的线性度与最大饱和功率,并无太大差异, 校正时自然会补偿回来。 但是 PA输出端的 Insertion Loss,是无法补偿回来的,若因为走线过长,Insertion Loss多 1 dB,那么最大饱和功率,就是硬生生被扣掉 1 dBm。一般 GSM Low Band 的最大输出功率为 32.5 dBm,若其最大饱和功率只有 33 dBm,表示只 Back-off 了 0.5 dBm,PA线性度不佳,其发射性能可能会劣化。若最大饱和功率只有 32 dBm,连最大输出功率 32.5 dBm都达不到,那这只能改 Layout,无其他解法。 16 再者,若 PA输出端的走线越长,则 PA输出讯号耦合到邻近走线的机会就愈高, 亦即 VCO Pulling的风险就越高。虽然 PA输入端的走线越长,一样会提高 VCO Pulling的风险,但由于 PA输入讯号的强度,远小于 PA输出讯号的强度,以杀 伤力来讲,当然是 PA输出讯号较大。原则上最理想情况是 PA输入端走线,以 及 PA输出端走线,都尽可能短,但若因空间限制,使得 Placement时,收发器 到 ASM的距离就是这么长,在两害相权取一轻的情况下,当然是先缩短 PA输出 走线的长度。 17 另外,有一种情况是,作传导测试时,其相位误差都正常,但作无线测试时,天 线一装上去,其相位误差就变大,部分原因也是来自于 VCO Pulling[23]。当 Shielding Cover与 Shielding Frame的接触不够紧密时,亦即屏蔽效果不好, 则由天线发出的无线发射讯号,会泄漏到收发器的屏蔽框内,造成 VCO Pulling。 而由[17-19]可知,任何金属,若 GNDING不完全,等同于辐射体,因此 Shielding Cover与 Shielding Frame的接触不够紧密时,亦即 GNDING不完全,这时整个 Shielding Can 会宛如一个共振腔结构,把残留在 Shielding Cover的Wireless信 号,辐射出去,打到 VCO。 18 此时可以做实验,把 Shielding Cover拿掉,去做Wireless的测试。若相位误差 变好,就表示是第二种情况,因为 Shielding Cover拿掉,等同于破坏共振腔结 构。反之, 若变更差,那就是第一种情况,因为完全没遮蔽效果。而不管是第 一种或第二种,解决之道都是加强 Shielding Cover的 GNDING,亦即如前述,加 强 Shielding Cover与 Shielding Frame的接触,以及加强 Shielding Cover与 Housing金属的接触[17-19, 23]。如果是第一种,这样可以加强遮蔽效果。如果 是第二种,这样可以把残留在 Shielding Cover的Wireless信号,都流到 GND, 削减其共振腔的辐射强度。 19 Reference [1] WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析, 百度文库 [2] WCDMA之 Tx Leakage对于零中频接收机之危害, 百度文库 [3] A Study of Injection Locking and Pulling in Oscillators, IEEE [4] A Single-Chip Digitally Calibrated 5.15–5.825-GHz 0.18- m CMOS Transceiver for 802.11a Wireless LAN, IEEE [5] Recent Developments in High Integration Multi-Standard CMOS Transceivers for Personal Communication Systems, IEEE [6] GSM之调制与开关频谱(ORFS)解析与调校大全,百度文库 [7] Passive Impedance Matching___实战大全, 百度文库 [8] MT6252 4L PCB Application Note, MTK [9] MSM8960 CHIPSET TRAINING - MIGRATION FROM RTR860X TO WTR1605(L), Qualcomm [10] 关于 GSM和WCDMA最大功率及耗电流—从调变方面解释, 百度文库 [11] 极化调制之 EDGE功率放大器, 百度文库 [12] RF Transmitter Architectures and Circuits [13] WCDMA之 Tx Leakage对于零中频接收机之危害, 百度文库 [14] A Low-Power CMOS SAW-Less Quad Band WCDMA/HSPA/HSPA+/1X/EGPRS Transmitter, IEEE [15] MSM8960 Chipset Training Migration from RTR860x to WTR1605(L), Qualcomm [16] MODERN RECEIVER FRONT-ENDS 20 [17] 上集_磁珠_电感_电阻_电容 于噪声抑制上之剖析与探讨, 百度文库 [18] 中集_磁珠_电感_电阻_电容 于噪声抑制上之剖析与探讨, 百度文库 [19] 下集_磁珠_电感_电阻_电容 于噪声抑制上之剖析与探讨, 百度文库 [20] SAW Rx 2in1 filter B9500, EPCOS [21] RTR6285A RF Transceiver IC, Qualcomm [22] WTR1625L RF Transceiver and WFR1620 RF Receiver, Qualcomm [23] 为何天线装上去 相位误差与频率误差变大, 百度文库 21
本文档为【VCO Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害】,请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑, 图片更改请在作品中右键图片并更换,文字修改请直接点击文字进行修改,也可以新增和删除文档中的内容。
该文档来自用户分享,如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服,我们会及时删除。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生,若发现您的权利被侵害,请联系客服邮件isharekefu@iask.cn,我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
下载需要: 免费 已有0 人下载
最新资料
资料动态
专题动态
is_953001
暂无简介~
格式:pdf
大小:1MB
软件:PDF阅读器
页数:21
分类:
上传时间:2013-10-28
浏览量:104