LCD生产工艺ARRAY段技术详解

nullTFT-LCD工艺技术概要TFT-LCD工艺技术概要Array工艺科：王晓凤 2004/12/3主要内容主要内容一、TFT的基本构造 二、4Mask与5Mask工艺对比 三、ARRAY基板的工艺 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 四、TN与SFT工艺对比 五、其他一、 TFT的基本构造一、 TFT的基本构造一、 TFT的基本构造一、 TFT的基本构造GATEG-SiNxa-Sin+ a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔G工程I 工程D工程C工程PI工程二、4Mask与5Mask工艺对比二、4Mask与5Mask工艺对比PR/曝光——使待刻蚀膜层上的光刻胶形成掩模图形的过程二、4Mask与5Mask工艺对比 二、4Mask与5Mask工艺对比 二、4Mask与5Mask工艺对比二、4Mask与5Mask工艺对比1.节省时间：(1462-1398)/1462=4.38% 2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机二、4Mask与5Mask工艺对比二、4Mask与5Mask工艺对比4 Mask – D/I 工程三、ARRAY基板的工艺流程三、ARRAY基板的工艺流程洗净洗净ＵＶ药液刷子高圧ＭＳＡ／ＫＰＤ Ａ排 水Ｐ排 水Ｐ纯 水Ｄ Ａ洗净 功能洗净对象　作　　用Ｕ　Ｖ药　液刷洗高 压 喷射Ｍ　Ｓ氧化分解溶　解机械剥离机械剥离机械剥离　有机物 (浸润性改善)有机物　微粒子 　(大径)微粒子 (中径) 微粒子 　(小径)ＵＶ/Ｏ３溶　解接触压水压 加速度 cavitation洗净 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 及原理概述洗净方法及原理概述成膜—Sputter成膜—SputterSputter在工艺流程中的位置成膜—Sputter成膜—SputterTFT中Sputter薄膜的种类和作用Sputter设备Sputter设备整体图 （SMD-1200） 基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2） 搬送室(Tr) 成膜室（X1、X3） 成膜—PCVD成膜—PCVDnull成膜—PCVD成膜基础成膜基础 在多层膜成膜工艺中最重要的是薄膜间的界面处理，通常采用过渡层的思想来解决。比如，TFT中a Si和金属Cr的接触势垒较大，所以引入n+层降低接触电阻。同样G-Mo/Al采用两层金属结构，也是因为Mo和ITO的接触电阻很小。非晶硅采用低速/高速结构也是利用低速非晶硅的电子迁移率较高。在沉积非晶硅前通常对衬底用H2等离子体处理的目的也是在衬底上预沉积一层H原子，增大Si原子和衬底的浸润性。另外，界面也是缺陷和杂质离子容易聚集的地方，所以经常需要对界面进行等离子处理。 影响薄膜质量的影响因素很多，而且薄膜属于非晶材料，所以结果可能偏离理论知识。所以通用的做法是以实验为基础。所以多水平实验和正交实验法是常用的方法。所以要在实验的基础上，以理论知识为指导，不断 总结 初级经济法重点总结下载党员个人总结TXt高中句型全总结.doc高中句型全总结.doc理论力学知识点总结pdf 规律。 PR/曝光工艺流程介绍PR/曝光工艺流程介绍由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。 洗净： Excimer UV →RB＋AAJet→直水Spray→A/k 涂覆： 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→减压干燥→端面清洗→前烘 曝光 显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K →后烘nullInlinePR涂布前洗净HMDS处理涂布EBR处理预烘光刻胶和基板的密着性改善Ｎ２腔体加热盘OHH2O(CH3)3Si-N-Si(CH3)2 I H O-Si(CH4)3+NH3↑基板端面的光刻胶除去→减少垃圾N２ 洗浄液排气光刻胶中的溶剂除去，烧成 →改善膜厚均一性和密着性加热盘非接触方式→改善静电、背面污染、热应力等方面非接触式栓气泡发生罐刷子超声波喷头背面正面疏水化旋转cup方式气流控制、膜厚改善曝光曝光基板Ｓｃａｎ弓なり補正null显影显影液回收清洗槽风刀干燥显影槽基板倾斜，显像液流下基板全面喷纯水回收 显影液刻蚀—湿刻刻蚀—湿刻湿刻的目的 湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。 在TFT-LCD工艺中，主要是对Gate层（Mo/Al）、Drain层（Cr）及像素层（ITO）进行刻蚀。 湿刻设备概要湿刻设备概要湿刻装置的构成Ｅｔｃｈｉｎｇ　Ｕｎｉｔ 水洗Ｕｎｉｔ 干燥Ｕｎｉｔ刻蚀—干刻刻蚀—干刻成膜工程（ＣＶＤ）ＰＲ工程（涂布、曝光、显像）刻蚀工程（ＤＥ ）ＰＲ剥离刻蚀目的：形成TFT基板的各种pattern。 DE刻蚀的主要对象为非金属膜。干刻原理干刻原理反应气体在高频电场作用下发生等离子体（PLASMA）放电。 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。ETCHING GASPLASMA干刻装置干刻装置P/C (Process Chamber)T/C (Transfer Chamber)L/L (Load Lock)大气Robot从Cassette和L/L之间的搬送大气压和真空两种状态之间的切换L/L和P/C之间的搬送。防止不纯物进入P/C，P/C内的特气外泄真空中进行Plasma的物理、化学反应，进行刻蚀剥离剥离1.剥离简介：刻蚀（干刻、湿刻）完 成后除去光刻胶的过程。 剥离剥离3 .各部分作用 水洗槽2 .剥离装置示意图 null四、TN与SFT工艺对比ＴＮ ４Mask ProcessＳＦＴ ５Mask Process Ｇ工程 （Gate) Ｉ工程 (Island)Ｄ工程 (Drain) Ｃ工程 (Contact)ＰＩ工程 (Pixel)Ｃ-Pattern 在周边部位ＰＩ-Pattern 在周边部I工程和D工程一起进行四、TN与SFT工艺对比四、TN与SFT工艺对比TN： 构造简单 PR数少，成本低，LT短 开口率大 开态时液晶分子不能 完全直立，视角较小 常白模式，不良点多 为明点，易成为点缺陷SFT： 液晶分子水平排列，视角大 常黑模式，不良点为暗点， 不易发现 电极面积大导致开口率小 Pattern密度高，易受异物影响 为了增加亮度必须增大背光源辉度，功耗较大 五、其他-玻璃尺寸比较五、其他-玻璃尺寸比较五、其他-玻璃尺寸比较五、其他-玻璃尺寸比较NEG出展的8代玻璃五、其他- TFT-LCD产业特性与半导体的异同五、其他- TFT-LCD产业特性与半导体的异同TFT-LCD产业与半导体产业最相似之处：在于前段阵列制程，都是设备投资金额昂贵以及进行一连串高精细度的半导体制程。 不同的是： 1．TFT是在玻璃上加工，半导体则是在硅晶圆上加工。 2．半导体产业的材料成本比例大约仅在8到10%左右；但是TFT的材料成本高达五至六成。所以，DRAM价格可能下杀到原来的一成以下，但TFT 面板的价格走势相对较为平稳。 3．半导体产品（如：DRAM）属 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 产品，相容性相当高；但是TFT 面板不同客户要求的产品亮度，电路接点等几乎都不尽相同。 4．半导体产品的上游材料产业供应链相对地短，但是TFT的上下游产业供应链相当长。 5．半导体产业的发展历程较长，欧美日韩台，都具生产半导体相关产品的能力；但TFT目前仅有日韩台及国内少数厂商有能力生产。 nullHave an insight into future – OLED 谢 谢！