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几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理

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几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理RS单体吸收电路(1)抑制关断浪涌电压效果好(2)最适用于斩波器(3)IGBT容量较大时,R1,R2阻值选取小,开通时增加了电极的容性开通电流,损耗增加,IGBT的功能受到限制。IGBT集充电RCD单体吸收电路(1)可抑制关断浪涌电压(2)充放电型RCD缓冲电路由于增加了二极管VDS,可使R3、R4增大,避免了IGBT功能受限制(3)缓冲电路的损耗相当大(4)因损耗大而不适用于高频开关用途放电阻止型单体吸收电路1)具有较好抑制关断浪涌电压效果2)缓冲电路产生的损耗...

几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理
几种常用IGBT单体缓冲吸收电路的原理RS单体吸收电路(1)抑制关断浪涌电压效果好(2)最适用于斩波器(3)IGBT容量较大时,R1,R2阻值选取小,开通时增加了电极的容性开通电流,损耗增加,IGBT的功能受到限制。IGBT集充电RCD单体吸收电路(1)可抑制关断浪涌电压(2)充放电型RCD缓冲电路由于增加了二极管VDS,可使R3、R4增大,避免了IGBT功能受限制(3)缓冲电路的损耗相当大(4)因损耗大而不适用于高频开关用途放电阻止型单体吸收电路1)具有较好抑制关断浪涌电压效果2)缓冲电路产生的损耗小3)最适合于高频开关用途整体吸收电路(1)线路最简单(2)利用C7旁路浪涌尖峰电压(3)C7取值不当,易与主回路电感LS构成谐振而产生振荡(4)C7的取值根据能量守恒原理可求取RCD整体吸收电路1)线路相当简单2)适用于各种逆变器3)VDS要示正向恢复电压VFM小,反向恢复时间短,软恢复的二极管,以降低Vcep值。关断损耗,避免引起振荡
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