OTP记忆体IP产品阵容TECHNICALANALYSIS採用180nm、90nm、65nm製程的OTP记忆体IP产品阵容OTP记忆体是一种非挥发性记忆体，即使切断电源记忆体的内容也不会消失。此次富士通推出了採用180nm，90nm，65nm製程的OTP记忆体IP产品系列。本篇将介绍OTP记忆体IP的特点、方式以及用途等。*OTP：OneTimeProgrammable概要巨集面积微小化用途OTP记忆体与快闪记忆体不一样,不OTP（单次可程式）记忆体是一种用进行抹除，因而无需抹除电路，巨集密钥非挥发性记忆体，像EEPROM和快闪面积可以做...
TECHNICALANALYSIS採用180nm、90nm、65nm製程的OTP记忆体IP产品阵容OTP记忆体是一种非挥发性记忆体，即使切断电源记忆体的内容也不会消失。此次富士通推出了採用180nm，90nm，65nm製程的OTP记忆体IP产品系列。本篇将介绍OTP记忆体IP的特点、方式以及用途等。*OTP：OneTimeProgrammable概要巨集面积微小化用途OTP记忆体与快闪记忆体不一样,不OTP（单次可程式）记忆体是一种用进行抹除，因而无需抹除电路，巨集密钥非挥发性记忆体，像EEPROM和快闪面积可以做得很小。OTP记忆体可用於如HDMI所使用记忆体一样，即使切断电源记忆体的内表1所示为OTP记忆体的概要。的HDCP密钥的储存应用。容也不会消失。OTP记忆体可用於针对类比电路的修整、HDMI等的安全性资类比修整讯储存、韧体（Firmware）储存以及其产品模式在微弱电流和电压的类比设计方他内容的储存。面，製程偏差以及温度变化致使内部器此次富士通推出了採用180nm，EPROM型（180nm）件资料变化是精度受影响的重要因素。90nm，65nm製程的OTP记忆体IP产品在浮闸极积累电荷，透过改变电晶採用修整电路，透过OTP记忆体中存有系列。体的阈值来实现0/1状态。的补正值对特性进行调整，从而获得较高的精度。闸极氧化膜击穿型（90nm）特点透过电晶体闸极氧化膜的破坏来实功能选择现0/1状态。有时需要用1个IC对应多个工作模与逻辑製程相容式。例如，对应於80类介面、68类介与快闪记忆体有所区别的是，OTPe-Fuse型（90nm，65nm）面、串列埠等多种介面时，OTP记忆体记忆体IP无需特殊製程，基本上使用与透过在金属硅化多晶硅熔丝上施加作为功能选择暂存器使用，可以实现製标准Cell相同的逻辑製程製造，可以整大电流改变电阻来实现0/1状态。造後的设定变更。合各种IP，从而可以实现低成本。电容帮浦功能180nm，90nmOTP的写入需要高电压，首先透过内建的电容帮浦电路进表1 OTP记忆体的概要行升压，然後再执行写入。这样，外部OTP记忆体180nm90nm65nm电源只用普通的逻辑电源电压即可，从模式1Poly-EPROMe-Fuse闸极击穿e-Fuse而实现写入程序。此外，90nmOTP产抹除UV不可不可不可品电容帮浦电路为标准配置。记忆体容量16～512K位元4～2.5K位元4K～2M位元4～2.5K位元製程CS80BCS100A_LLCS100A_LLCS200L多次可程式产品（MTP）追加工程1MASK无无无OTP记忆体是单次抹写产品，但是写入6.5VorCP*2.4V6.5VorCP*2.4V可以透过改变记忆体位址空间，进行虚拟写入。OTP记忆体虽不像快闪记忆体*CP：电容帮浦一样能进行多次改写，但也可改写几次，因此可以取代快闪记忆体，进而有效地降低成本。Vol.27No.23OTP记忆体IP���NEWPRODUCTS产品ID，固有资料表2 OTP记忆体的用途记录产品ID和IC固有资料以及製形式记忆体巨集替代Fuse类比MTP造资讯，实现产品的可追溯性（履历追记忆体容量1K位元～512K位元8位元～256位元32位元～32K位元踪）。类比ICMCU类比ICLCD驱动应用SOCLCD驱动SOC程式数位消费类数位消费类用於韧体等程式的储存。密钥程式储存履历追踪履历追踪功能替代ROM替代Fuse参数设置参数设置参数设置用OTP记忆体取代以往的雷射修记忆体冗长整，实现了电路面积的减小和耐湿性等可靠度的提高。表2所示为OTP记忆体的用途，表3表3 90nm/65nme-Fuse产品系列为90nm/65nme-Fuse产品系列，表4为记忆体容量状态180nmOTP产品系列，表5为90nmOTP1×4位元可提供系列。1×8位元可提供1×16位元可提供1×32位元可提供1×48位元可提供1×64位元可提供32×32位元可提供80×32位元可提供表4 180nmOTP产品系列记忆体容量 状态8K×32位元可提供32×32位元即将提供1×32位元8次MTP即将提供表5 90nmOTP产品系列记忆体容量状态4K×128位元可提供2K×32位元可提供4K×16位元可提供1K×8位元可提供4Vol.27No.2
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