酸性蚀刻液培训教材

酸性蝕刻製程工藝介紹教育訓練 教材 民兵爆破地雷教材pdf初中剪纸校本课程教材衍纸校本课程教材排球校本教材中国舞蹈家协会第四版四级教材 惠州联宏化工有限公司唐青山13609611662酸酸性性蝕蝕刻刻製製程程簡簡介介一一、、酸性蝕刻的應用酸性蝕刻的應用：：酸性蝕刻酸性蝕刻，，也叫氯化銅酸性蝕刻系統也叫氯化銅酸性蝕刻系統，，通常使用於單面板蝕刻通常使用於單面板蝕刻、、多層多層板的內層蝕刻或板的內層蝕刻或TentingTenting流程的外層蝕刻上流程的外層蝕刻上，，因這些製程都用幹膜或液態感因這些製程都用幹膜或液態感光油墨作為蝕刻阻劑光油墨作為蝕刻阻劑，，而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特性性，，故選用酸性蝕刻故選用酸性蝕刻。。二二、、酸性蝕刻的種類酸性蝕刻的種類：：11、、HH22OO22/HCl/HCl系列系列。。2、NaClO3/HCl系列。2、NaClO3/HCl系列。三三、、酸性蝕刻製作流程酸性蝕刻製作流程：：11、、單面板單面板：：銅面前處理銅面前處理→→印刷線路印刷線路→→烘烤固化烘烤固化→→酸性蝕刻酸性蝕刻→→去墨去墨22、、內層和外層內層和外層（（TentingTenting流程流程）：）：銅面前處理銅面前處理→→壓膜壓膜→→曝光曝光→→顯影顯影→→酸性蝕刻酸性蝕刻→→去膜去膜內內層層製製作作流流程程簡簡介介基基板板壓壓膜膜壓膜後壓膜後曝曝光光顯顯影影蝕蝕銅銅去去膜膜PCBPCB內內層層製製作作流流程程1.下料裁板(PanelSize)COPPERFOILEpoxyGlass2.內層板壓乾膜(光阻劑)PhotoResistPCBPCB內內層層製製作作流流程程光源3.曝光Artwork(底片)Artwork(底片)4.曝光後PhotoResistPCBPCB內內層層製製作作流流程程5.內層板顯影PhotoResist6.酸性蝕刻(Power/Ground或Signal)PhotoResistPCBPCB內內層層製製作作流流程程7.去乾膜(StripResist)PCBPCB內內層層製製作作流流程程1、基板铜箔基材2、塗布/壓膜干/湿膜铜箔基材PCBPCB內內層層製製作作流流程程3、曝光底片铜箔干/湿膜基材4、顯影後PCBPCB內內層層製製作作流流程程蚀刻液5、蝕刻蝕刻阻劑6、蝕刻後7、去膜後線路顯顯影影（（DevelopingDeveloping））一一、、顯影的目的顯影的目的：：顯顯影就影就是是通過化學反應原理通過化學反應原理，，將先前已經曝光好的板子上沒有將先前已經曝光好的板子上沒有發生聚發生聚合反應區域合反應區域的幹膜的幹膜（（或油墨或油墨））用顯用顯影影液沖洗掉液沖洗掉，，以得到所需要的線路雛形以得到所需要的線路雛形。。而已而已感光感光聚合的部分聚合的部分則則沖洗沖洗不掉不掉，，仍留在仍留在板板面上成為蝕刻之阻劑膜面上成為蝕刻之阻劑膜。。二二、、顯影的作業條件顯影的作業條件：：操作參數操作範圍顯影液濃度1~2%之碳酸鈉（重量比）顯影溫度30±2℃顯影液pH10.5~10.7顯影段噴灑壓力1.5~2.5kg/cm2顯影點50~60%水洗水溫度20~30℃水洗段噴灑壓力1.5~2.5kg/cm2顯顯影影（（DevelopingDeveloping））三三、、顯影液的濃度顯影液的濃度：：目前業界常用的顯影液是以無水碳酸鈉目前業界常用的顯影液是以無水碳酸鈉（（NaNa22COCO33））加純水配製而成加純水配製而成，，濃度一般為濃度一般為1~2%1~2%（（質量比質量比），），但為了細線路的製作但為了細線路的製作，，緩和反應速度緩和反應速度，，降低降低Under-cutUnder-cut，，現在顯影液的濃度多控制在現在顯影液的濃度多控制在1.0%1.0%±±0.2%0.2%。。較高藥液濃度可容許較高藥液濃度可容許較高幹膜負荷量較高幹膜負荷量，，但不容易清洗乾淨但不容易清洗乾淨，，且操作範圍較小且操作範圍較小；；反之反之，，過低的藥過低的藥液濃度所能承受的幹膜負荷量較小液濃度所能承受的幹膜負荷量較小。。因此因此，，正確的藥液濃度應與幹膜廠商正確的藥液濃度應與幹膜廠商研究研究，，依照其幹膜特性來配製依照其幹膜特性來配製。。而藥液濃度的檢驗可利用酸鹼滴定來分析而藥液濃度的檢驗可利用酸鹼滴定來分析。。重點是重點是：：為維持槽液濃度的穩定性為維持槽液濃度的穩定性，，確保顯影品質確保顯影品質，，必須設置自動添加必須設置自動添加，，一般以偵控槽液的一般以偵控槽液的pHpH值作自動添加值作自動添加，，或計片或計片、、計面積添加計面積添加。。四、顯影溫度：四、顯影溫度：顯影液溫度是影響顯影速度的最大變數顯影液溫度是影響顯影速度的最大變數，，一般都控制在一般都控制在3030±±22℃℃，，需需依幹膜種類而定依幹膜種類而定。。由於操作時藥液因泵浦的壓縮作用產生大量的熱能會促由於操作時藥液因泵浦的壓縮作用產生大量的熱能會促使溫度升高使溫度升高，，致使有顯影過度的可能致使有顯影過度的可能，，因此顯影槽需加裝冷卻水管來保持因此顯影槽需加裝冷卻水管來保持適當的溫度適當的溫度；；而溫度過低時而溫度過低時，，又可能會造成顯影不潔又可能會造成顯影不潔，，因此需加裝加熱器因此需加裝加熱器使溫度能達到操作範圍使溫度能達到操作範圍，，而得到最佳的顯影效果而得到最佳的顯影效果。。顯顯影影（（DevelopingDeveloping））五五、、顯影壓力顯影壓力：：幹膜與顯影液發生化學反應時會產生膨脹現象幹膜與顯影液發生化學反應時會產生膨脹現象（（SwellingSwelling），），因此需要適因此需要適當的壓力當的壓力來來沖刷掉 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面已作用過的浮層沖刷掉表面已作用過的浮層，，使乾淨之顯影液能繼續與幹膜產生使乾淨之顯影液能繼續與幹膜產生化學反應化學反應，，而而不不至於發生水池效應至於發生水池效應。。而針對細線路而言而針對細線路而言，，顯影時適當的噴灑顯影時適當的噴灑壓力應在壓力應在1.5~2.5kg/cm1.5~2.5kg/cm22之間之間。。六六、、水質硬度水質硬度：：一般自一般自來來水或地下水因含有礦物質及污垢水或地下水因含有礦物質及污垢，，若若長期使用容易與幹膜結合長期使用容易與幹膜結合形成硬垢形成硬垢，，造成噴嘴或噴管阻造成噴嘴或噴管阻塞塞，，影響噴灑面積影響噴灑面積，，最後導致顯影最後導致顯影不不潔潔。。因此因此建議使用純水搭配碳酸鈉配製成顯影液建議使用純水搭配碳酸鈉配製成顯影液，，會是最佳選會是最佳選。。而水洗水一般也選用而水洗水一般也選用經過處理的軟水經過處理的軟水。。七七、、過濾過濾：：顯影槽的噴灑系統加裝過濾裝置的主要目的在於避免幹膜殘渣堵塞噴嘴顯影槽的噴灑系統加裝過濾裝置的主要目的在於避免幹膜殘渣堵塞噴嘴而造成顯影不潔而造成顯影不潔；；另也是防止膜屑另也是防止膜屑、、膜渣經過噴灑反沾到板面上膜渣經過噴灑反沾到板面上，，造成後續造成後續的蝕刻不淨或星點狀殘銅的蝕刻不淨或星點狀殘銅，，致使生產品質不良致使生產品質不良，，增加增加AOIAOI檢測的工作量檢測的工作量。。顯顯影影（（DevelopingDeveloping））八八、、噴灑系統噴灑系統：：11、、搖擺方式搖擺方式：：有噴盤來回鋸動式搖擺有噴盤來回鋸動式搖擺，，及噴管定點自轉式搖擺及噴管定點自轉式搖擺。。噴灑系統設噴灑系統設計搖擺的目的是使藥液能夠均勻計搖擺的目的是使藥液能夠均勻、、迅速地噴灑到板面迅速地噴灑到板面，，加快藥液的交換與加快藥液的交換與反應速度反應速度，，從而得到良好的均勻性與反應速率從而得到良好的均勻性與反應速率。。22、、噴管間距與噴嘴間距噴管間距與噴嘴間距：：噴管與噴管的間距是否合理噴管與噴管的間距是否合理，，主要是看噴嘴的噴灑主要是看噴嘴的噴灑面積是否能夠完全面積是否能夠完全，，此會影響顯影的均勻性此會影響顯影的均勻性；；而噴嘴與噴嘴的間距是否合而噴嘴與噴嘴的間距是否合理理，，則會影響顯影的速度則會影響顯影的速度。。33、、噴嘴的選用噴嘴的選用：：水平線的噴嘴一般可分為兩種類型水平線的噴嘴一般可分為兩種類型，，即圓錐型即圓錐型（（ConeConeTypeType））和扇型和扇型（（FanFanTypeType）。）。圓錐型噴嘴的特點是噴灑面積廣圓錐型噴嘴的特點是噴灑面積廣，，可得到較佳的均可得到較佳的均勻性勻性，，但衝擊力小但衝擊力小，，容易造成顯影不潔容易造成顯影不潔。。而扇型噴嘴噴灑面積雖小而扇型噴嘴噴灑面積雖小，，但衝但衝擊力較大擊力較大，，顯影效果較佳顯影效果較佳。。因此針對細線路或內層板因此針對細線路或內層板，，以選擇使用扇型噴以選擇使用扇型噴嘴較適合嘴較適合，，因密集線路區需較高的藥液衝擊力來清除線路間的殘渣因密集線路區需較高的藥液衝擊力來清除線路間的殘渣；；而內而內層板因未鑽孔層板因未鑽孔，，上板面容易產生水池效應上板面容易產生水池效應（（PuddingPudding），），若噴灑壓力不夠會若噴灑壓力不夠會造成上板面顯影不潔造成上板面顯影不潔，，易導致蝕刻不淨等異常易導致蝕刻不淨等異常。。44、、不論用何種類型的噴嘴不論用何種類型的噴嘴，，最重要的是兩個噴嘴的噴灑面積是否能夠重疊最重要的是兩個噴嘴的噴灑面積是否能夠重疊（（OverlappingOverlapping），），以達到均勻且乾淨的顯影效果以達到均勻且乾淨的顯影效果。。顯顯影影（（DevelopingDeveloping））九九、、顯影點顯影點（（Break-PointBreak-Point））的控制的控制：：11、、由於顯影速度受到很多因素影響由於顯影速度受到很多因素影響，，例如例如：：藥液濃度藥液濃度、、噴灑壓力噴灑壓力、、溫度等溫度等，，因此我們通常用顯影點的位置來控制正確的顯影速度因此我們通常用顯影點的位置來控制正確的顯影速度。。22、、顯影點是指在顯影過程中顯影點是指在顯影過程中，，未經曝光聚合的幹膜在與顯影液反應後被沖刷未經曝光聚合的幹膜在與顯影液反應後被沖刷掉掉，，而顯露出銅面時的位置而顯露出銅面時的位置，，而称之而称之。。現場生產時現場生產時，，顯影點一般控制在顯顯影點一般控制在顯影槽的影槽的50%~60%50%~60%之間之間。。33、、顯影點及均勻性的測試顯影點及均勻性的測試：：為瞭解顯影點和顯影均勻性的情形為瞭解顯影點和顯影均勻性的情形，，則可用下列方法來測試則可用下列方法來測試：：取幾片取幾片較大尺寸較大尺寸（（如如2020″″××2424″″））的銅箔基板以正常流程壓好幹膜的銅箔基板以正常流程壓好幹膜，，撕掉保護膜撕掉保護膜後連續放置後連續放置（（無間距無間距），），以正常速度輸送進顯影槽以正常速度輸送進顯影槽，，當第一片板子即將出當第一片板子即將出顯影槽時關閉噴灑顯影槽時關閉噴灑，，待板子經過水洗後取出待板子經過水洗後取出，，以顯影槽有效噴灑長度為基以顯影槽有效噴灑長度為基準依次擺放準依次擺放，，檢視板面顯影均勻性檢視板面顯影均勻性。。顯顯影影（（DevelopingDeveloping））顯影點及均勻性顯顯影影（（DevelopingDeveloping））十十、、顯影的注意事項顯影的注意事項：：11、、注意在顯注意在顯影影前不可忘記把表面玻璃紙撕掉前不可忘記把表面玻璃紙撕掉。。22、、顯顯影影點點（（BreakBreakpointpoint））應落於應落於50~50~660%0%間間。。不不足足，，銅面有銅面有scunscun殘留殘留；；太過太過，，則線邊有膜屑或則線邊有膜屑或undercutundercut過大過大。。最好有自動添加系統最好有自動添加系統（（auto-dosingauto-dosing）。）。另另外外噴灑系統設計良否也會影響顯噴灑系統設計良否也會影響顯影影點點。。33、、顯顯影影良好的側壁應為直壁式者良好的側壁應為直壁式者，，顯像不足時容易發生膜渣顯像不足時容易發生膜渣（（ScumScum））造成蝕造成蝕刻板的短路刻板的短路、、銅碎銅碎、、及鋸齒突出之線邊及鋸齒突出之線邊，，顯顯影影機噴液系統之過濾不良時也機噴液系統之過濾不良時也會造成此種缺點會造成此種缺點。。若要若要檢查檢查是否有是否有ScumScum殘留時殘留時，，則則可用可用5%5%之氯化銅溶液之氯化銅溶液（CupricChlorideCuCl)或氯化銨溶液浸泡，若銅面上仍有鮮亮的銅色（CupricChlorideCuCl22)或氯化銨溶液浸泡，若銅面上仍有鮮亮的銅色時，即可判斷有殘留。時，即可判斷有ScumScum殘留。44、、必須有自動添加必須有自動添加（（AutoAutoDosingDosing），），以確保槽液濃度穩定在操作範圍內以確保槽液濃度穩定在操作範圍內。。55、、顯像完成板子切記不可疊放顯像完成板子切記不可疊放，，須用須用RackRack插立插立。。66、、顯影槽一定要定期作徹底清潔保養顯影槽一定要定期作徹底清潔保養，，否則槽壁否則槽壁、、槽底槽底、、管道內都易有膜渣管道內都易有膜渣和其他雜質和其他雜質、、沉澱物沉積沉澱物沉積，，若長期累積若長期累積，，則勢必會堵塞噴嘴則勢必會堵塞噴嘴、、濾芯濾芯，，更會更會影響生產品質影響生產品質。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））一一、、蝕刻之定義蝕刻之定義：：蝕刻也叫蝕銅蝕刻也叫蝕銅，，就是在就是在PCBPCB製作過程中製作過程中，，我們利用化學反應原理我們利用化學反應原理，，將將PCBPCB板面上不要或多餘的銅腐蝕掉板面上不要或多餘的銅腐蝕掉，，得到我們所需要的線路回路圖形或銅面得到我們所需要的線路回路圖形或銅面，，這這個過程即稱之為個過程即稱之為““蝕刻蝕刻””。。二二、、蝕刻液的種類蝕刻液的種類：：11、、微蝕液微蝕液：：一般以一般以NaNa22SS22OO88/H/H22SOSO44或或HH22OO22/H/H22SOSO44配置而成配置而成，，因其咬蝕量相對較因其咬蝕量相對較小小，，只能咬蝕只能咬蝕20~7020~70µ″µ″，，故通常使用於相關製程的銅表面前處理上故通常使用於相關製程的銅表面前處理上。。22、、酸性蝕刻液酸性蝕刻液：：即氯化銅酸性蝕刻系列即氯化銅酸性蝕刻系列，，目前業界一般使用的是目前業界一般使用的是HH22OO22/HCl/HCl系列系列和NaClO3/HCl系列。通常使用於單面板蝕刻、多層板的內層蝕刻或Tenting流和NaClO3/HCl系列。通常使用於單面板蝕刻、多層板的內層蝕刻或Tenting流程的外層蝕刻上程的外層蝕刻上，，因這些製程都用幹膜或液態感光油墨作為蝕刻阻劑因這些製程都用幹膜或液態感光油墨作為蝕刻阻劑，，而這而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特性幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特性，，故選用酸性蝕刻故選用酸性蝕刻。。33、、鹼性蝕刻液鹼性蝕刻液：：其主要成份為其主要成份為NHNH44ClCl和和NHNH33··HH2200，，攪拌配製後攪拌配製後，，溶液呈現鹼性性溶液呈現鹼性性狀狀，，故稱之為鹼性蝕刻液故稱之為鹼性蝕刻液。。它通常使用於圖形電鍍製程它通常使用於圖形電鍍製程（（採取電鍍採取電鍍Sn/PbSn/Pb作為作為蝕刻阻劑蝕刻阻劑））的外層蝕刻上的外層蝕刻上，，但也有少數雙面板生產廠家但也有少數雙面板生產廠家，，在製作過程中在製作過程中，，是是印刷一層相對耐鹼性的油墨作蝕刻阻劑的印刷一層相對耐鹼性的油墨作蝕刻阻劑的，，也會使用鹼性蝕刻液也會使用鹼性蝕刻液。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））三三、、酸性蝕刻液的種類酸性蝕刻液的種類：：目前酸性蝕刻液大致有四種目前酸性蝕刻液大致有四種，，分別如下分別如下：：11、、氯化鐵氯化鐵／／鹽酸鹽酸：：FeClFeCl33w/ww/w約約40%40%，，HClHCl約約5%5%，，能蝕銅約能蝕銅約7070克克//公升公升FeClFeCl33++3H3H22OO→→Fe(OH)Fe(OH)33++3HCl3HCl補充補充HClHCl防止沉澱防止沉澱蝕刻原理蝕刻原理：：FeClFeCl33++CuCu→→FeClFeCl22++CuClCuCl------------------（（11））FeClFeCl33++CuClCuCl→→FeClFeCl22++CuClCuCl22----------------（（22））CuClCuCl22++CuCu→→2CuCl-2CuCl---------------------------------------（（33））（3）式取代（1）式進行蝕銅反應（3）式取代（1）式進行蝕銅反應若發生下列反應則會發生沉澱物若發生下列反應則會發生沉澱物4CuCl4CuCl22++FeClFeCl22++OO22→→2CuCl2CuClCuCuOO++FeClFeCl33（黑綠色）（黑綠色）※※目前多使用於鐵目前多使用於鐵//鎳合金蝕刻鎳合金蝕刻，，如導線架業如導線架業，，PCBPCB廠甚少使用廠甚少使用。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））22、、氯氣氯氣／／鹽酸鹽酸：：最高可蝕刻銅約最高可蝕刻銅約180180克克//公升公升。。CuCu++CuClCuCl22→→2CuCl2CuCl加入加入11～～3N3NHClHCl使反應加快使反應加快，，但鹽酸不但鹽酸不參予反應參予反應，，祇有帶出消耗祇有帶出消耗。。2CuCl2CuCl++ClCl22→→2CuCl2CuCl22淨反應淨反應：：CuCu++ClCl22→→CuClCuCl22※※因氯氣管理比較困難因氯氣管理比較困難，，目前祇有在美國大目前祇有在美國大PCBPCB廠使用廠使用。。33、、雙氧水雙氧水／／鹽酸鹽酸：：最高可蝕刻銅約最高可蝕刻銅約160160克克//公升公升。。CuCu++CuClCuCl22→→2CuCl2CuClHClHCl之酸值控制之酸值控制22～～3N3N2CuCl2CuCl++HH22OO22++2HCl2HCl→→2CuCl2CuCl22++2H2H22OO淨反應淨反應：：CuCu++HH22OO22++2HCl2HCl→→CuClCuCl22++2H2H22OO※※雙氧水儲存雙氧水儲存//穩定性較困難穩定性較困難，，而且實際消耗鹽酸而且實際消耗鹽酸，，比比用用氯氯氣氣法成本較高法成本較高。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））44、、氯酸鈉氯酸鈉／／鹽酸鹽酸：：最高可蝕銅達最高可蝕銅達180180克克//公升公升3Cu3Cu++3CuCl3CuCl22→→6CuCl6CuClHClHCl之酸值控制在之酸值控制在2.5N2.5N以下以下。。6CuCl6CuCl++NaClONaClO33++6HCl6HCl→→6CuCl6CuCl22++3H3H22OO++NaClNaCl淨反應淨反應：：3Cu3Cu++NaClONaClO33++6HCl6HCl→→3CuCl3CuCl22++3H3H22OO++NaClNaCl優點優點：：AA、、與雙氧水法比較與雙氧水法比較，，鹽酸的反應量相同鹽酸的反應量相同，，但鹽酸帶出量則因濃度為但鹽酸帶出量則因濃度為2.5N2.5N以下而大量減少以下而大量減少。。BB、、氯酸鈉氧化當量為雙氧水的三倍氯酸鈉氧化當量為雙氧水的三倍，，所以雙氧水使用量為氯酸鈉的所以雙氧水使用量為氯酸鈉的三倍三倍。。CC、、目前國外大量使用成本約低於雙氧水法目前國外大量使用成本約低於雙氧水法1010～～15%15%，，而且適用小於而且適用小於4mil4mil細線生產細線生產finefinelineline製作製作。。※※目前業界最常用的即為目前業界最常用的即為HH22OO22/HCl/HCl系統和系統和NaClONaClO33/HCl/HCl系統這兩種酸性蝕刻液系統這兩種酸性蝕刻液。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））四四、、氯酸鈉與雙氧水的運輸及儲存成本比較氯酸鈉與雙氧水的運輸及儲存成本比較：：11、、因因NaClONaClO33氧化當量為氧化當量為HH22OO22的三倍的三倍，，故故HH22OO22的使用量為的使用量為NaClONaClO33的三倍的三倍，，其運輸其運輸成本也大約增加三倍成本也大約增加三倍，，並且對儲存桶容積需求量大並且對儲存桶容積需求量大，，添置儲存桶之費用一併添置儲存桶之費用一併增加增加。。故使用故使用NaClONaClO33成本會比使用成本會比使用HH22OO22的成本約低本约低的成本約低本约低10~15%10~15%，，而且適合而且適合小於小於4mil4mil細線路生產製作細線路生產製作。。22、、NaClONaClO33較較HH22OO22穩定穩定，，不會自我分解不會自我分解，，在運輸或儲存過程中相對安全在運輸或儲存過程中相對安全，，不會發不會發生氣爆危險生氣爆危險。。3、NaClO3系統酸性蝕刻液在生產時，以高銅低酸進行操作，其酸當量一般控制3、NaClO3系統酸性蝕刻液在生產時，以高銅低酸進行操作，其酸當量一般控制在在2.0N2.0N左右左右；；而而HH22OO22系統蝕刻液在生產時系統蝕刻液在生產時，，其酸當量需求較高其酸當量需求較高，，一般控制在一般控制在2.5~3.5N2.5~3.5N。。故這二者相比較故這二者相比較，，雖然說雖然說HCLHCL的反應需求量同的反應需求量同，，但但HCLHCL的帶出量與的帶出量與溢流量則因濃度低而大大減少溢流量則因濃度低而大大減少。。44、、而且因而且因NaClONaClO33系统蚀刻液在低酸条件下操作系统蚀刻液在低酸条件下操作，，与与HH22OO22系统蚀刻液在高酸条件系统蚀刻液在高酸条件下操作比较下操作比较，，可降低对设备的侵蚀能力可降低对设备的侵蚀能力，，延长设备的使用寿命延长设备的使用寿命。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））五五、、氯酸鈉與雙氧水的生產品質比較氯酸鈉與雙氧水的生產品質比較：：11、、NaClONaClO33系統蝕刻液與系統蝕刻液與HH22OO22系統蝕刻液相比較系統蝕刻液相比較，，藥液穩定不易分解藥液穩定不易分解，，蝕刻速率均衡蝕刻速率均衡。。22、、NaClONaClO33系統蝕刻液與系統蝕刻液與HH22OO22系統蝕刻液相比較系統蝕刻液相比較，，因在低酸作業條件下因在低酸作業條件下操作操作，，不會攻擊幹膜不會攻擊幹膜，，或使幹膜溶出物增多或使幹膜溶出物增多。。33、、NaClONaClO33系統蝕刻液與系統蝕刻液與HH22OO22系統蝕刻液相比較系統蝕刻液相比較，，因在低酸作業條件下因在低酸作業條件下操作操作，，可降低側蝕可降低側蝕，，蝕刻因子可相對得以提高蝕刻因子可相對得以提高。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））六六、、公司酸性蝕刻液簡介公司酸性蝕刻液簡介：：11、、目前公司生產的酸性蝕刻液再生劑主要為目前公司生產的酸性蝕刻液再生劑主要為CCSS--350350，，係係以氯酸鈉為主以氯酸鈉為主，，且加入特殊配方的且加入特殊配方的濃縮蝕刻液濃縮蝕刻液，，生產作業生產作業時時，，係以低酸當量進行操係以低酸當量進行操作作，，將得到較優良的蝕刻因子將得到較優良的蝕刻因子。。CS-350CS-350能取代雙氧水應用在大多數氯能取代雙氧水應用在大多數氯化銅酸性蝕刻上化銅酸性蝕刻上，，免除雙氧水穩定性控制問題免除雙氧水穩定性控制問題，，且較雙氧水安全且較雙氧水安全，，再再搭配自動添加系統搭配自動添加系統，，將成為最具經濟效益和操作安全的氯化銅蝕刻再將成為最具經濟效益和操作安全的氯化銅蝕刻再生系統生系統。。2、產品特色:2、產品特色:（（11）、）、控制簡單控制簡單，，操作安全操作安全。。（（22）、）、低酸操作低酸操作，，藥性穩定藥性穩定。。（（33）、）、側蝕低側蝕低。。（（44）、）、水洗性良好水洗性良好。。（（55）、）、再生利用再生利用，，成本低成本低。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））33、、物理性質物理性質：：物理性狀規格範圍形態液體外觀透明澄清，輕微琥珀色穩定性安定比重1.24±0.05PH值5~844、、操作條件操作條件：：操作參數最適條件操作範圍比重1.3001.300±0.03Cu2+（g/L）140140±30HCl（N）22±1CAP2515~40Temp（℃）5050±5噴灑壓力（kg/cm2）1~31~3酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））七七、、酸性蝕刻反應原理分析酸性蝕刻反應原理分析：：11、、反應原理反應原理（（以以NaClONaClO33/HCl/HCl系統為例系統為例））：：1.11.1、、蝕銅反應蝕銅反應：：銅可以三種氧化狀態存在銅可以三種氧化狀態存在，，板面上的金屬銅板面上的金屬銅CuCu00，，蝕刻槽液中的蝕刻槽液中的藍色離子藍色離子CuCu2+2+，，以及較不常見的亞銅離子以及較不常見的亞銅離子CuCu++。。金屬銅金屬銅CuCu00可在可在蝕刻槽蝕刻槽液中液中被被CuCu2+2+氧化而溶解氧化而溶解，，見下面反應式見下面反應式（（11））3Cu3Cu++3CuCl3CuCl22→→6CuCl6CuCl--------------------------（（11））1.21.2、、再生反應再生反應：：金屬銅金屬銅CuCu00被蝕刻槽液中的被蝕刻槽液中的CuCu2+2+氧化而溶解氧化而溶解，，所生成的所生成的2Cu2Cu++又又被自動添加進蝕刻槽液中的氧化劑和被自動添加進蝕刻槽液中的氧化劑和HClHCl經過系列反應經過系列反應氧化成氧化成CuCu2+2+，，而這而這2+0些些CuCu2+又繼續跟板面上的又繼續跟板面上的金屬銅金屬銅CuCu0發生反應發生反應，，因此使蝕刻液能將更多的因此使蝕刻液能將更多的金屬銅金屬銅CuCu00咬蝕掉咬蝕掉。。這就是蝕刻液的循環再生反應這就是蝕刻液的循環再生反應，，見下面反應式見下面反應式（（22））6CuCl6CuCl++NaClONaClO33++6HCl6HCl→→6CuCl6CuCl22++3H3H22OO++NaClNaCl--------------------------（（22））11.3.3、、淨反應淨反應：：3Cu3Cu++NaClONaClO33++6HCl6HCl→→3CuCl3CuCl22++3H3H22OO++NaClNaCl--------------------------（（33））酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））22、、從上述化學反應機制可看出從上述化學反應機制可看出，，有四個有四個物質物質參數在控制氯化銅蝕刻及再生反應參數在控制氯化銅蝕刻及再生反應。。2.12.1、、氧化劑氧化劑（（OXIDIZEROXIDIZER）：）：如氯酸鈉如氯酸鈉（（NaClONaClO33））、、雙氧水雙氧水（（HH22OO22）、）、氯氣氯氣（（ClCl22））等等，，這些這些均為氧化均為氧化劑劑，，其作用為其作用為將將氯化亞銅氯化亞銅氧化成氧化成氯化銅氯化銅。。如下所示如下所示：：6CuCl6CuCl++NaClONaClO33++6HCl6HCl→→6CuCl6CuCl22++3H3H22OO++NaClNaCl（（在在1~3N1~3N的酸性液中的酸性液中））2CuCl2CuCl++HH22OO22++2HCl2HCl→→2CuCl2CuCl22++2H2H22OO（（在在2.52.5～～3.5N3.5N酸性液酸性液中中））2CuCl+Cl2→2CuCl2（在1～3N酸性液中）2CuCl+Cl2→2CuCl2（在1～3N酸性液中）22.2.2、、鹽酸鹽酸：：其作用是其作用是防止副產物如氧化銅防止副產物如氧化銅（（CuOCuO），），氫氧化銅氫氧化銅〔〔Cu(OH)Cu(OH)22〕〕產生產生，，及提高氧化速度及提高氧化速度。。如下所示如下所示：：CuClCuCl22++2H2H22OO→→CuCu((OHOH))22++2HCl2HCl（（在中性溶液在中性溶液））CuClCuCl22++HH22OO→→CuOCuO++2HCl2HCl（（在中性溶液在中性溶液））※※雖然增加雖然增加HClHCl的濃度往往可加快蝕刻速度的濃度往往可加快蝕刻速度，，但亦可能發生下述的缺點但亦可能發生下述的缺點。。（（11）、）、側蝕側蝕（（undercutundercut））增大增大，，或者或者EEtchingtchingFFactoractor降低降低。。（（22）、）、若補充藥液是使用氯若補充藥液是使用氯酸酸鈉鈉，，則有可能產生氯氣則有可能產生氯氣，，對人體有害對人體有害。　。　（（33）、）、有可能因此補充過多的氧化劑有可能因此補充過多的氧化劑（（HH22OO22）），，而攻擊鈦金屬而攻擊鈦金屬。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））2.32.3、、氯離子氯離子：：氯離子可與不溶於水的氯化亞銅形成錯合物氯離子可與不溶於水的氯化亞銅形成錯合物，，而溶解於水中而溶解於水中，，而且增加蝕銅而且增加蝕銅速度速度，，氯離子來源氯離子來源（（過量過量））如鹽酸如鹽酸、、氯化鈉氯化鈉。。CuCl+NaCl→NaCuCl（祇有在過量Cl-時才穩定存在-）CuCl+NaCl→NaCuCl22（祇有在過量Cl時才穩定存在）2.42.4、、比重比重：：槽液比重與蝕銅量有關槽液比重與蝕銅量有關，，亦會影響蝕刻速率及側蝕狀況亦會影響蝕刻速率及側蝕狀況，，利用比重控制器偵利用比重控制器偵測測，，以便加水稀釋達到設定值以便加水稀釋達到設定值。。33、、CuClCuCl22系列酸性蝕刻液反應機構系列酸性蝕刻液反應機構：：3.13.1、、通過上述反應式通過上述反應式（（11），），我們會我們會直覺的聯想直覺的聯想到到：：在氯化銅酸性蝕刻液中在氯化銅酸性蝕刻液中，，2++CuCu2+及及CuCu+應是以應是以CuClCuCl22及及CuClCuCl存在才對存在才對，，但但是是事實事實並並非非如此如此，，兩者兩者實際實際上上是以和是以和HClHCl形成的一龐大錯化物存在的形成的一龐大錯化物存在的：：0CuCu0++HH22CuClCuCl44++2HCl2HCl→→2H2H22CuClCuCl33--------------------------（（44））金屬銅金屬銅　　銅離子銅離子　　　　　　　　　　　　亞銅離子亞銅離子其中其中HH22CuClCuCl44　　實際是實際是　　CuClCuCl22++2HCl2HCl　　　　2H2H22CuClCuCl33　　實際是實際是　　CuClCuCl++2HCl2HCl酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））3.23.2、、在反應式在反應式（（44））中可知中可知HClHCl是消耗品是消耗品。。即使即使（（44））式已有些複雜式已有些複雜，，但它仍是以但它仍是以下兩個反應式的簡式而已下兩個反應式的簡式而已。。00　　　　　　CuCu++HH22CuClCuCl44→→　　2H2H22CuClCuCl33++CuClCuCl（（不溶不溶））--------------------（（55））　　　　　　CuClCuCl++2HCl2HCl→→　　2H2CuCl2H2CuCl33（（可溶可溶））--------------------（（66））式中因產生式中因產生CuClCuCl沈澱沈澱，，會阻止蝕刻反應繼續發生會阻止蝕刻反應繼續發生，，但因但因HClHCl的存在溶解的存在溶解了了CuClCuCl，，維持了蝕刻的進行維持了蝕刻的進行。。由此可看出由此可看出HClHCl是氯化銅蝕刻中的消耗品是氯化銅蝕刻中的消耗品，，而而且且且是蝕刻速度控制的重要化學品且是蝕刻速度控制的重要化學品。。3.33.3、、由由（（11））式蝕銅後所產生的式蝕銅後所產生的CuCLCuCL中的銅為铜为中的銅為铜为CuCu++，，是是一種水溶性不佳的一種水溶性不佳的物質物質，，附著在板面上時附著在板面上時，，會造成蝕銅能力之劣化會造成蝕銅能力之劣化，，因而使得蝕銅速度變慢因而使得蝕銅速度變慢。。而一般在蝕刻槽內的化學反應多為連續性的而一般在蝕刻槽內的化學反應多為連續性的，，且相當複雜且相當複雜。。3.43.4、、上述各反應將在蝕刻槽內持續地進行上述各反應將在蝕刻槽內持續地進行，，而各副反應也會同時產生而各副反應也會同時產生。。在反應在反應過程中過程中，，當雙氧水過量時當雙氧水過量時，，則會與鹽酸直接發生化學反應而产生氯气則會與鹽酸直接發生化學反應而产生氯气（（CLCL22），），造成鹽酸濃度降低造成鹽酸濃度降低。。不但如此不但如此，，也還會另外引起蝕銅機的損傷也還會另外引起蝕銅機的損傷，，板子上的耐酸油墨的溶解板子上的耐酸油墨的溶解，，以及蝕銅效率的降低等煩惱以及蝕銅效率的降低等煩惱。。更有甚者更有甚者，，還會還會導致銅箔接著材料的溶解導致銅箔接著材料的溶解，，或已溶解油墨在槽液中的再聚集成塊體或已溶解油墨在槽液中的再聚集成塊體，，進而進而阻塞噴嘴或泵浦的濾網等許多麻煩阻塞噴嘴或泵浦的濾網等許多麻煩。。酸酸性性蝕蝕刻刻（（EtchingEtching））八八、、氯化銅蝕刻再生反應之實際情形氯化銅蝕刻再生反應之實際情形：：金屬銅金屬銅（（CuCu00））2+02++CuClCuCl22（（CuCu2+））………………………………………………....CuCu0跟槽液的跟槽液的CuCu2+反應生成反應生成CuCu+，，完成蝕銅反應完成蝕銅反應。。CuClCuCl（（CuCu++））………………………………....………………......CuCu++不溶於水不溶於水，，它會使蝕銅反應它會使蝕銅反應速度降低速度降低。。但它只是瞬間存在但它只是瞬間存在。。加加HClHCl或或NaClNaCl+HCuClHCuCl22或或NaCuClNaCuCl22錯合物錯合物……………………..............CuCu+在酸性槽液中與在酸性槽液中與HClHCl或或NaClNaCl形成錯合物形成錯合物。。+2+加加氧化劑氧化劑（（HH22OO22或或NaClONaClO33或或ClCl22））…………氧化劑將氧化劑將CuCu+錯合物氧化成錯合物氧化成CuCu2+添加過量添加過量（（CuClCuCl22），），完成再生反應完成再生反應。。CuClCuCl22++NaClNaCl++HH22OO副反應副反應或或CuClCuCl22++HH22OO2HCl2HCl++HH22OO22→→ClCl22++HH22OO或CuCl26HCl+NaClO3→3Cl2+3H2O+NaCl或CuCl26HCl+NaClO3→3Cl2+3H2O+NaCl酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點一一、、蝕刻槽液的穩定性蝕刻槽液的穩定性：：11、、蝕刻槽液的穩定性指的是槽液各成份濃度的穩定性蝕刻槽液的穩定性指的是槽液各成份濃度的穩定性，，只有將槽液維持在一個只有將槽液維持在一個穩定的穩定的、、正確的操作範圍內正確的操作範圍內，，才能得到穩定的蝕刻速率和生產品質才能得到穩定的蝕刻速率和生產品質。。22、、而要確保蝕刻槽液的穩定性而要確保蝕刻槽液的穩定性，，則必須藉助精準的偵測與添加裝置則必須藉助精準的偵測與添加裝置，，而非依靠而非依靠現場作業人員隨意的主觀意念或所謂的生產經驗來作手動方式添加現場作業人員隨意的主觀意念或所謂的生產經驗來作手動方式添加，，否則難否則難以保證槽液的穩定性以保證槽液的穩定性，，造成生產品質異常造成生產品質異常。。再者若添加過量再者若添加過量，，則會導致設備則會導致設備被侵蝕被侵蝕，，同時可能會引發工安事件同時可能會引發工安事件，，有礙現場作業人員的身體健康有礙現場作業人員的身體健康，，甚至危甚至危及生命安全及生命安全。。同時同時，，良好的循環系統設計與正確添加方法及位置也尤為重要良好的循環系統設計與正確添加方法及位置也尤為重要。。33、、酸性蝕刻偵控與添加裝置的種類酸性蝕刻偵控與添加裝置的種類：：3.13.1、、日本日本AQUAAQUA株式會社生產的株式會社生產的AQUAAQUA系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統。。3.23.2、、拼裝組拼裝組：：ORPORP計計++酸度計酸度計++比重控制器比重控制器。。3.33.3、、台灣上岳公司所產的氯化銅酸性蝕刻液控制系統台灣上岳公司所產的氯化銅酸性蝕刻液控制系統。。3.43.4、、日本產日本產9552N9552N系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統。。※※業界目前使用最多的業界目前使用最多的就是就是AQUAAQUA系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統。。而後三而後三者的控制原理與控制方式都跟者的控制原理與控制方式都跟AQUAAQUA相似相似，，但精準度要較但精準度要較AQUAAQUA差差。。所以這所以這裡主要介紹裡主要介紹AQUAAQUA控制器控制器。。酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點44、、AQUAAQUA系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統介紹系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統介紹：：目前業界所使用的日本目前業界所使用的日本AQUAAQUA株式會社開發株式會社開發的的AQUAAQUA系列氯化銅酸性蝕系列氯化銅酸性蝕刻液控制系統刻液控制系統，，能够能够對對槽槽液中各成份之濃度液中各成份之濃度分別作分別作獨立分析獨立分析，，個別添加以及個別添加以及再生再生﹐﹐將能克服理論的困難和改進機能的效用將能克服理論的困難和改進機能的效用，，從而從而能達到降低成本及加強能達到降低成本及加強管理的目標管理的目標﹐﹐使此種直接蝕刻更具細線化使此種直接蝕刻更具細線化、、自動化自動化、、及高速化的效果及高速化的效果。。55、、AQUAAQUA控制器的控制器的特點特點：：（（11）、）、槽液不必稀釋槽液不必稀釋﹐﹐可直接測定可直接測定。。（（22）、）、各感察器皆能立即顯示數據且極耐用各感察器皆能立即顯示數據且極耐用。。（（33）、）、藥液個別檢測及添加藥液個別檢測及添加﹐﹐節省藥液用量節省藥液用量。。（（44）、）、省力自動化省力自動化﹐﹐蝕刻高速化蝕刻高速化。。（（55）、）、降低蝕刻不良率降低蝕刻不良率﹐﹐減少報廢減少報廢。。（（66）、）、蝕刻變數固定蝕刻變數固定﹐﹐提高品質提高品質。。（（77）、）、安裝簡易安裝簡易﹐﹐故障少故障少﹐﹐維修簡單維修簡單。。酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點66、、AQUAAQUA系列控制系統圖示系列控制系統圖示：：控制系統操作面板控制系統操作面板偵測系統偵測系統（（取樣盒取樣盒））酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點77、、AQUAAQUA系列控制系統控制項目及原理系列控制系統控制項目及原理：：（（11）、）、比重比重：：是利用一個敏感的微動浮球是利用一個敏感的微動浮球，，以牽動及傳達微小的比重變化而測定以牽動及傳達微小的比重變化而測定之之。。偵測槽液的比重主要是控制水的添加偵測槽液的比重主要是控制水的添加，，以之來稀釋槽液以之來稀釋槽液。。一般當偵測一般當偵測值高於設定值值高於設定值0.0010.001時即開始添加時即開始添加，，至偵測值低於設定值時即停止添加至偵測值低於設定值時即停止添加。。（（22）、）、鹽酸鹽酸：：是利用磁場與鹽酸比重之間成比例的原理是利用磁場與鹽酸比重之間成比例的原理，，所設計的感察器所設計的感察器。。可測可測槽液中鹽酸的濃度槽液中鹽酸的濃度，，無電子雜訊的干擾無電子雜訊的干擾，，也不受灟度遺浮渣影響也不受灟度遺浮渣影響。。一般當一般當偵測值低於設定值即開始添加偵測值低於設定值即開始添加，，至偵測值高於設定值至偵測值高於設定值0.040.04時即停止添加時即停止添加。。（（33）、）、CAPCAP：：偵測偵測CAPCAP即類似於偵測即類似於偵測ORPORP（（氧化還原電極電位氧化還原電極電位），），偵測系統由碳偵測系統由碳棒與銅棒組成棒與銅棒組成，，當铜當铜棒在蝕刻液中反應棒在蝕刻液中反應、、溶解時溶解時，，依據藥液的濃度和蝕刻依據藥液的濃度和蝕刻能力能力（（蝕刻速度蝕刻速度））會產生電荷量的變化會產生電荷量的變化。。偵測偵測器會檢測出所發生的電荷量器會檢測出所發生的電荷量（（出力出力），），並傳送到並傳送到AQUAAQUA控制器控制器。。AQUAAQUA控制器再將控制器再將再生剂再生剂濃度和蝕刻濃度和蝕刻速度等的相關資料入力速度等的相關資料入力，，最後再生最後再生感測器所得到的出力在控制器上計算並感測器所得到的出力在控制器上計算並顯示顯示。。偵測偵測CAPCAP（（或或ORPORP））主要是控制氧化劑主要是控制氧化劑（（再生劑再生劑））的添加的添加，，一般當一般當偵測值低於設定值時即開始添加偵測值低於設定值時即開始添加，，當偵測值高於設定值當偵測值高於設定值0.40.4時即停止添加時即停止添加。。※※備註備註：：CAPCAP的的單位不是單位不是MOL/LMOL/L（（濃度濃度），），CCAPAP是沒有是沒有單位單位的的。。（（44）、）、溫度溫度：：是是利用熱電感應式利用熱電感應式(Thermistor)(Thermistor)偵測偵測出液溫出液溫。。AQUAAQUA所偵測的溫度是所偵測的溫度是用來控制各藥液添加的用來控制各藥液添加的，，當偵測到的溫度低於其設定下限時當偵測到的溫度低於其設定下限時，，不會作任何不會作任何添加添加。。而槽液的真正溫度是由機台的另一組溫控器來控制升溫或冷卻的而槽液的真正溫度是由機台的另一組溫控器來控制升溫或冷卻的。。酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點88、、AQUAAQUA系列控制系統的校正方法系列控制系統的校正方法：：8.18.1、、比重比重的校正的校正：：（（11）、）、因為比重會隨著溫度的改變而改變因為比重會隨著溫度的改變而改變，，所以所以測量測量時時需需將將樣品樣品加溫至與蝕刻加溫至與蝕刻槽槽液液同等同等的溫度後的溫度後，，再再讀取比重刻度讀取比重刻度。。也可以從取樣口取樣後迅速測量也可以從取樣口取樣後迅速測量，，或或者者，，直接將比重計直接將比重計放放入取樣入取樣盒盒內內，，讀取刻度讀取刻度。。同時記取當時的顯示值同時記取當時的顯示值。。（（22）、）、當實際測量值與當實際測量值與AQUAAQUA顯示差異顯示差異≦≦5/10005/1000時時不需不需校正校正。。（（33）、）、依依實際測量實際測量值做校正時值做校正時，，需需先算出顯示值與先算出顯示值與測量測量值的值的差異差異，，再再以待以待校正時校正時所所記取記取的顯示值的顯示值，，加上或減去加上或減去差異值差異值即可即可。。（（44）、）、依取樣槽內所讀取的刻度做校正時依取樣槽內所讀取的刻度做校正時：：先等先等33~~55分鐘分鐘，，等顯示值安定後等顯示值安定後，，再再調至所讀取的刻度即可調至所讀取的刻度即可。。8.28.2、、HClHCl的校正的校正：：（（11）、）、從取樣口取樣做滴定分析從取樣口取樣做滴定分析，，並記取當時的顯示值並記取當時的顯示值，，然後然後先算出顯示值與分先算出顯示值與分析值的析值的差異差異，，再再以待以待校正時所校正時所記取記取的顯示值的顯示值，，加上或減去誤差值加上或減去誤差值；；隔隔11~~22小時後再校正小時後再校正一一次次，，如此重覆如此重覆33次可次可。。（（22）、）、當實際分析值與顯示值差異當實際分析值與顯示值差異≦≦0.1M/L0.1M/L時不需校正時不需校正。。酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點8.38.3、、CAPCAP的校正的校正：：（（11）、）、因因CCAPAP為為AQUAAQUA公司的專利單位公司的專利單位，，其所代表的意義為藥液的蝕刻能力其所代表的意義為藥液的蝕刻能力，，而而非非氧化劑氧化劑（（HH22OO22、、NaClONaClO33、、FeCl3FeCl3等等））的濃度的濃度，，故不需校正故不需校正。。（（22）、）、原則上日本原則上日本AQUAAQUA公司每年都會指派技師到各客戶端公司每年都會指派技師到各客戶端，，對對AQUAAQUA控制系統控制系統作一次內部程式的檢查與校正作一次內部程式的檢查與校正，，其中當然也包括其中當然也包括CAPCAP這一項這一項。。8.48.4、、TempTemp的校正的校正：：（（11）、）、可用溫度計於取樣槽內所測得的可用溫度計於取樣槽內所測得的槽液的溫度槽液的溫度，，或者依照或者依照機台上另一組真正機台上另一組真正的的溫溫控控器上的顯示值做校正器上的顯示值做校正，，使其數值一致即可使其數值一致即可。。（（22）、）、當實際測量值與顯示值差異當實際測量值與顯示值差異≦≦11℃℃時不需校正時不需校正。。※※AQUAAQUA校正校正時的注意事項時的注意事項：：（1）、必須將AQUA控制器切換為「測定」模式方可作校正。（1）、必須將AQUA控制器切換為「測定」模式方可作校正。（（22）、）、SGSG、、HClHCl、、CAPCAP和和TempTemp的的SPANSPAN鈕鈕一般一般均不可調整均不可調整，，否則會影響否則會影響AQUAAQUA的的精準度精準度。。只有只有當使用當使用5g5g法碼實施法碼實施00~~5g5g校正時校正時，，方可調整方可調整SGSG的的SPANSPAN鈕鈕。。（（33）、）、校正順序依序為校正順序依序為SGSG、、HClHCl、、CAPCAP和和TempTemp。。（（44）、）、最好從取樣盒最好從取樣盒取樣取樣，，這樣這樣誤差誤差很小很小。。（（55）、）、取樣後取樣後，，須立即須立即記取記取AQUAAQUA的顯示值的顯示值，，因為因為AQUAAQUA控制器是依分析值與顯控制器是依分析值與顯示值的示值的差異來差異來做校正的做校正的。。酸酸性性蝕蝕刻刻重重要要管管控控點點99、、循環系統循環系統：：9.19.1、、近些年來近些年來，，由於高端產品的需求加大由於高端產品的需求加大，，同時同時PCBPCB生產廠家迫於產能壓力生產廠家迫於產能壓力，，故故蝕刻槽的設計越來越長蝕刻槽的設計越來越長，，使得蝕刻槽體積也隨之逐步加大使得蝕刻槽體積也隨之逐步加大，，一般已達一般已達2000L2000L甚至以上甚至以上。。而偌大體積的蝕刻槽液而偌大體積的蝕刻槽液，，僅靠噴灑系統來作藥液交換僅靠噴灑系統來作藥液交換，，已無法保已無法保證槽液的穩定性證槽液的穩定性。。所以所以，，良好的循環系統設計是促使槽液迅速混合均勻良好的循環系統設計是促使槽液迅速混合均勻，，維維持槽液穩定性的有力保障持槽液穩定性的有力保障。。9.29.2、、循環方向循環方向：：正確的循環方向是由後至前正確的循環方向是由後至前，，即以循環泵浦從蝕刻槽的後端抽出即以循環泵浦從蝕刻槽的後端抽出槽液槽液，，經過過濾經過過濾TankTank，，再打入蝕刻槽的前端再打入蝕刻槽的前端，，以此方式作一個水平式槽液以此方式作一個水平式槽液循環循環、、混合混合。。因蝕刻槽前段蝕刻銅量較後段要大因蝕刻槽前段蝕刻銅量較後段要大，，故理論上前段的蝕刻槽液故理論上前段的蝕刻槽液濃度較後段的要高濃度較後段的要高，，這樣的循環方式即是以新鮮的這樣的循環方式即是以新鮮的、、濃度較低的槽液來稀釋濃度較低的槽液來稀釋濃度較高的槽液濃度較高的槽液，，使藥液得到充分利用使藥液得到充分利用，，降低操作成本降低操作成本。。9.39.3、、循環流量循環流量：：要求循環流量達要求循環流量達4Turn4Turn以上以上，，即要求循環泵浦每個小時的抽吐量即要求循環泵浦每個小時的抽吐量至少要達到蝕刻槽體積的至少要達到蝕刻槽體積的44倍倍。。這樣才能促使蝕刻槽液充分混合均勻這樣才能促使蝕刻槽液充分混合均勻，，維持維持槽液的穩定性槽液的穩定性。。9.49.4、、正是因為循環系統能使槽液充分混合均勻正是因為循環系統能使槽液充分混合均勻，，所以所以AQUAAQUA等偵測控制系統的等偵測控制系統的取樣盒才連接在循環管道上取樣盒才連接在循環管道上，，以得到接近真實值的偵測值以得到接近真實值的偵測值