光刻胶用底部抗反射涂层研究进展

!第!"卷!第#期影像科学与光化学$%&'!"!(%'#!!#)*+年!月,-./01/2304134.1567%8%374-098:;<.:'#)*+!788=!"">>>';?@?;/7?'%:/""#""""#"综述"#""""!""#光刻胶用底部抗反射涂层研究进展王!宽*!刘敬成*$!刘!仁*!穆启道#!郑祥飞#!纪昌炜#!刘晓亚*#*'江南大学化学与材料 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 学院$江苏无锡#*"*##%#'苏州瑞红电子化学品有限公司$江苏苏州#*A*#"&摘!要!随着微电子工业的蓬勃发展!光刻技术向着更高分辨率的方向迈进!运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应"凹缺效应!提高关键尺寸均一性和图案分辨率!引起了广大研究者的关注#本文简要介绍了光刻胶和光刻技术!底部抗反射涂层的分类"基本原理"刻蚀工艺以及其发展状况#重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了 总结 初级经济法重点总结下载党员个人总结TXt高中句型全总结.doc高中句型全总结.doc理论力学知识点总结pdf !尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究!最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望#关键词!光刻胶$光刻技术$底部抗反射涂层!"#%*)'BA*B&C'0991'*+B"D)"BA'#)*+')#'*#!文章编号!*+B"D)"BA##)*+&)#D)*#!D*!反应进行精细图形转移的感光性高分子材料$主$!引言要应用于集成电路'半导体分立器件'平板显示器等光电子领域微细图案的加工)#$!*(光刻技术是近*)年$随着微电子技术的迅速发展$全球指利用光刻胶材料在光照作用下经过曝光'显影'信息化'网络化呈现出日新月异的景象$微电子技刻蚀等工艺将掩膜版#<.9@&上的图案转移到基体术发展水平的高低直接决定着集成电路的集成程上的微细图案加工技术$其具体的工艺过程如图*度(依据摩尔定律)**$每隔!年$集成电路的集成所示(度约增加"倍$其最小特征尺寸则相应缩小!)E(光刻技术中最重要的性能指标就是图案的关微电子工业如此惊人的发展速度$所依赖的关键键尺寸#F:0803.&G0-4190%1$FG&和分辨率#H49%D材料和核心技术就是光刻胶#67%8%:49098&和光刻&I80%1&$为了满足集成电路中高分辨率的要求$光技术#67%8%&087%/:.=7;&(刻技术经历了紫外全谱#!))!"A)1-&'J线#"!+光刻胶又称光致抗蚀剂$是一种利用光化学1-&',线#!+A1-&$深紫外##"K1-和*L!1-&'#)*AD**D#+收稿$#)*+D)*D#*录用国家重大科技专项##)*)MN)#!)"&'江苏省产学研前瞻性联合研究项目#OP#)*A)*LD*"&和中央高校基本科研业务费专项资金#QR2DH6**A*"&资助$通讯作者$SD-.0&!&0IC01/3741/"C0.1/1.1'45I'31*#!书!*#"影!像!科!学!与!光!化!学第!"卷!真空紫外#*AB1-&$以及引人注目的极紫外#*!'ASVV438&和多重曝光$导致图案的关键尺寸无法控1-&'电子束光刻等发展历程)"$A*(随着光刻技术制$图案侧壁出现波浪似的锯齿状缺失)+$B*#如图曝光波长的不断减小$在图案分辨率明显提高的#&$大大增加了控制刻蚀精确性的难度(此外$有同时$也带来了一些负面影响$尤其是在,线之后研究表明)K*!曝光波长越小$光刻工艺中驻波效发展起来的深紫外光刻技术中(由于基体#20片&应'摆动效应#2>01/SVV438&和凹缺效应#(%8D表面的光学反射效应$反射光线和入射光线相干3701/SVV438&等对图案关键尺寸的均一性影响越涉$在光刻胶内部形成驻波效应#28.1501/T.U4大$进而严重影响图案的清晰度和分辨率(图$!光刻技术的工艺原理图O.9039374-.803%V874=7%8%&087%/:.=703=:%3499图%!驻波效应引起光刻胶侧壁的波纹现象W74>.U4=741%-41%101=7%8%:490983.I945X;98.1501/>.U44VV438!!为了克服以上问题$在#)世纪L)年代$研究能够有效缓解驻波效应'提高关键尺寸的均一性$发现抗反射涂层#Y180DH4V&4380U4F%.801/9$YHF&海内外学者对此进行了大量的研究)LD*#*(根据光!第#期王!宽等!光刻胶用底部抗反射涂层研究进展!*#A!刻工艺$YHF大体上可以分为两类!顶部抗反射.&混合型!高分子聚合物与吸光基团通过简涂层#W%=Y180DH4V&4380U4F%.801/9$WYHF&和底单的物理共混#如图!&(该方法虽然工艺简单$操部抗反射涂层#O%88%-Y180DH4V&4380U4F%.801/9$作方便$但是易出现微相分离$二者混合的均一性OYHF&$二者都可以实现反射率的降低(但是与直接影响着抗反射涂层的抗反射效率(WYHF相比$OYHF降低摆动效应和凹缺效应的效果更明显$因此增加OYHF来提高光刻工艺中关键尺寸均一性成为行业内普遍采用的主流方法)*!*(%!底部抗反射涂层简介图&!混合型OYHF分子结构底部抗反射涂层是指在光刻胶和基体之间加W74-%&43I&.:98:I38I:4%V-0?458;=4OYHF入一层能有效消除光反射形成干涉驻波的底部抗反射材料(该涂层能够增加曝光能量范围和焦X&主链型!高分子聚合物主链中含有吸光基距$降低基体几何结构差异对关键尺寸均匀度的团#如图"&(该方法虽然可以克服上述物理混合影响%同时减少反射光的散射造成的圆形缺口$缓的不均一性$但是制备聚合物主链中含有染色基解基体的构型导致光刻胶厚度不同而引起的摆动团的化合物存在一定的局限性$因此主链型的曲线效应和凹缺效应(OYHF高分子聚合物种类并不太多(%'$!底部抗反射涂层的分类根据OYHF的组成可以将其分为无机OYHF和有机OYHF(其中无机OYHF一般采用二氧化图'!主链型OYHF分子结构钛'氮化钛'氧化铬'非晶硅等粒子$通过气相沉积W74-%&43I&.:98:I38I:4%V-.0137.018;=4OYHF设备制备厚度可调的无机抗反射涂层)*"$*A*(该无机OYHF的原理是利用无机粒子涂层厚度产生的3&接枝型!将吸光基团接枝到高分子聚合物干涉效应来减少基体的反射率$其优点在于可以主链上#如图A&(该方法可以通过改变聚合物主通过改变无机粒子组分来调整折射率的大小$其链进而改进OYHF的性能$且制备方法比较简单缺点在于气相沉积工艺复杂'设备昂贵'且刻蚀氮可控$因此接枝型的OYHF成为了设计抗反射涂氧化钛涂层比较困难$因此限制了其在光刻胶用层的主流结构通式(抗反射涂层中的应用(而有机OYHF一般采用一种或几种有机聚合物通过旋涂的方法得到厚度均一的抗反射涂层)*+*(其原理是利用有机聚合物中染色基团对紫外光的吸收来降低基体的反射率$并且其制备工艺比较简单'易刻蚀$因此已经被广图(!接枝型OYHF分子结构泛应用于半导体光刻工艺中$以进一步提高光刻W74-%&43I&.:98:I38I:4%V/:.V88;=4OYHF胶图像的分辨率(根据高分子聚合链和吸光基团的结合方式可%'%!底部抗反射涂层的基本原理将OYHF分为以下!种)*B*!抗反射涂层的机理和功效都在于将反射率最!*#+影!像!科!学!与!光!化!学第!"卷!小化$而OYHF则是通过有机分子对紫外光的吸可知$涂覆OYHF可以大大的降低基体的反射收从而降低反射率(为了更好地解释光刻胶用底率)*B*(因此与未涂覆OYHF光刻胶光刻工艺相部抗反射涂层的基本原理$下面通过涂覆OYHF比$涂覆OYHF可以有效的降低反射光$消除驻波和未涂覆OYHF的光路图来阐释OYHF降低折效应(射率的基本原理)*K*#如图+&(%'&!底部抗反射涂层的两种工艺!!通过比较二者的光路图可知涂覆OYHF可以目前OYHF常用的刻蚀工艺有两种)*L*!刻蚀显著降低反射光!9$其一是OYHF中固有的吸光型和碱溶型$有时也称为干法显影#G:;6.884:1D基团对紫外光大量的吸收%其二是经过OYHF反01/&和湿法显影#T486.884:101/&(其具体的工射后产生的相移光分量!X会与!9相消干涉$进一艺步骤如图B所示(步减弱反射光(根据反射率公式!"Z!9"!H!!两种工艺都是在基体上涂覆一层OYHF$然图)!涂覆和未涂覆OYHF的反射光路图W74:4V&43845&0/783I:U4%V3%.845.15I13%.845OYHF图*!刻蚀型和碱溶型OYHF工艺步骤图2374-.803=:%349901/984=9%V483745.15.&@.&0D9%&IX&4OYHF!第#期王!宽等!光刻胶用底部抗反射涂层研究进展!*#B!后在其上旋涂一层光刻胶$后经过预烘'曝光'后的吸光基团$可以得到不同曝光波长下的OYHF烘等工艺进行显影(对于光刻胶显影图案化来材料$以下介绍几种新型的刻蚀型OYHF材料(说$两种工艺并没有什么差异$二者最大的区别是W.@402等)#"*利用含有糖苷键的葡聚糖类多对于OYHF的除去工艺)#)*(刻蚀型OYHF主要糖经过酯化反应合成了一种新型的用于OYHF和采用等离子体去除OYHF$而碱溶型OYHF则是缝隙填充材料的葡聚糖酯聚合物#结构如图K&(依靠类似光刻胶的显影机理与显影液发生反应而以该聚合物'交联剂'催化剂制备的OYHF$表现被除去)#*$##*(两种工艺各有利弊$刻蚀型工艺已出较好的刻蚀速率和良好的抗反射性能$在"A1-广泛应用于工业化生产中$具有一定的可控性'成节点以下的集成电路中具有良好的应用前景(熟性(而碱溶型OYHF虽然可以避免刻蚀工艺'降低等离子体对基体的损伤'减少操作流程'提高生产效率$但需要考虑烘焙条件'溶解速率'显影残渣#6%98DG4U4&%=H4905I4$6GH&等棘手问题)#!*$因此设计和制备碱溶型OYHF成为广大科学工作者研究的热点(%''!底部抗反射涂层的设计要求近年来$OYHF材料已经应用到了集成电路图+!含有糖苷键的葡聚糖酯聚合物化学结构的实际制造过程中$其选用的材料和结构也是各W74F74-03.&98:I38I:4%V54?8:014984:=%&;-4:>087/&;3%9054X%15种各样$但不论是何种类型的OYHF$其目的都是最大化地降低反射光的强度$最高效地消除光刻G497=.1542$)#A*将不同的吸光基团接枝到胶中的驻波效应$提高图案的分辨率(然而$一种环氧甲酚酚醛树脂聚合物主体中#结构如图L所性能优异的OYHF材料还应该满足以下的性能要示&$成功制备了非自交联#.&和自交联#X&两种刻求!#*&OYHF混合物在预烘过程后不溶于光致抗蚀型底部抗反射涂层(聚合物#.&通过加入乙烯蚀剂的溶剂中$否则光致抗蚀剂无法在OYHF上基醚类交联剂与羟基发生交联反应$制得OYHF(成膜%##&OYHF应具有优异的抗反射效率'较高的玻璃化转变温度及分解温度%#!&OYHF应具有简捷的除去工艺$如刻蚀工艺或者显影工艺%#"&良好的OYHF材料还应经济环保$满足绿色化学的发展需求(&!底部抗反射涂层研究进展&'$!刻蚀型底部抗反射涂层目前$工业生产用的OYHF材料主要通过等离子刻蚀工艺除去$即光致抗蚀剂显影过后$将OYHF材料暴露于氯基或氟基刻蚀剂等离子体下图,!非交联和自交联型聚合物的化学结构除去材料(设计不同主链结构的OYHF材料$可W74374-03.&98:I38I:4%V1%1D3:%99&01@01/.15以得到不同的抗反射效率和刻蚀速率(选用不同94&VD3:%99&01@01/=%&;-4:!*#K影!像!科!学!与!光!化!学第!"卷!而聚合物#X&则无需额外加入交联剂$仅仅通过自缩稳定性'较高的附着力$同时聚合物主链中引入身环氧基团开环产生的羟基与酸酐发生交联反了醚氧基团$克服了传统OYHF刻蚀难的工艺问应$就可制得OYHF(该方法简单方便$且具有良题(好的抗反射能力$可将*L!1-处反射光全部消除此外$为了得到不同曝光波长下的OYHF材#反射率Z)&(料$使其具有最有效的抗反射效率$吸光基团的为了进一步提高对反射光的吸收'消除驻波选择也是十分的重要的(在最近的报道中$效应$[0-2Q)#+*利用环氧基团开环合成了一系列OYHF材料常选用多种吸光基团$使其在不同的四元共聚物#如图*)所示&$并与交联剂等共混$曝光波长下$均能提高抗反射效率(表*列出了通过旋涂'加热固化等工艺制备了一种高吸光性一些不同波长下OYHF材料中常见的吸光类基的刻蚀型底部抗反射涂层(该涂层具有良好的收团)#B$#K*(图$-!两种用于OYHF的四元共聚物W>%@0159%V\I.84:1.:;3%=%&;-4:I94501OYHF&'%!碱溶型底部抗反射涂层光刻胶溶剂的固化层$进而在紫外光或者6YJ的近些年$由于刻蚀型底部抗反射涂层在刻蚀作用下$聚合物链断裂成碱液可溶的小分子化合过程中工艺复杂'成本昂贵$且可能破坏基体$影物$如JI4::4:%GQ课题组)!)*利用聚碳酸酯'聚磺响器件的性能$因此大多数研究者都致力于无刻酰基酯'聚碳酸砜制备了非交联型光敏性蚀工艺的可显影的碱溶型底部抗反射涂层)#L*#G4DGOYHF$在*L!1-处的抗反射效率可达LAE(U4&%=.X&4O%88%-Y180DH4V&4380U4F%.801/9$根据GOYHF自身的光敏性$可以将其分为GOYHF&(该涂层不但具有OYHF较强的抗反射光敏性GOYHF#62DGOYHF&和非光敏性GOYHF能力$而且经过曝光工艺后能溶于光刻胶的显影#1%1D62DGOYHF&(光敏性GOYHF与正性光刻液中$得到与光刻胶相同的图案$因此避免了对抗胶相似$GOYHF中的6YJ在R$光照射下产生反射涂层的刻蚀工艺(]^$致使GOYHF在碱性显影液中显影(而非光根据GOYHF的反应类型$可以将其分为交敏性GOYHF本身不含有6YJ$仅仅依靠上层光联型GOYHF和非交联型GOYHF(交联型刻胶中6YJ产生的]^扩散到GOYHF$使其在GOYHF是指在其中加入交联剂$在一定温度下形碱性显影液中显影)!**(成不溶于光刻胶溶剂的交联网络固化层$然后在根据GOYHF的用途$可以将其分为正性光6YJ作用下解交联成碱液可溶的小分子化合物%刻胶用GOYHF和负性光刻胶用GOYHF(本文而非交联型GOYHF本身并非含有交联剂$仅依主要介绍的是光敏性可交联的GOYHF在正性光靠聚合物自身的特性$在一定温度下形成不溶于刻胶和负性光刻胶中的应用(!第#期王!宽等!光刻胶用底部抗反射涂层研究进展!*#L!表$!不同波长下OYHF中常见的吸光基团W743%--%137:%-%=7%:49%VOYHF0187450VV4:418>.U4&41/879不同波长OYHF中的吸光基团#"K1-*L!1-#))!"))1-*))!"))1-&'%'$!正性光刻胶用碱溶型底部抗反射涂层胶用GOYHF中$其典型的反应原理如图**所在半导体行业中$正性光刻胶因具有更高的示)!#*!利用羟基类聚合物与乙烯基醚类交联剂在分辨率'可用于微小精细电路的加工等特点$一直高温条件下发生交联反应$使其不溶于光致抗蚀受到业内人士的青睐(如何利用GOYHF有效地剂溶剂中(当涂层曝光于R$光下$6YJ可以催解决正性光刻胶中因驻波效应引起的分辨率降低化该交联聚合物发生解交联反应$最后在碱性显的问题$引起了大量研究者的关注(在正性光刻影液中显影(!!!!"#影!像!科!学!与!光!化!学第"$卷!图!!!光敏性%&'()的交联!解交联机理示意图*+,-./01+2-31+014546+7488915:15;!2-+7488915:15;6473,4048-58101<-%&'()!!(/.19=>/7+-94?"""#以线性的三元共聚物$交备了一种超支化聚合物%以该支化聚合物$光产联剂$@'A$猝灭剂等制备了一种反射率可调的光酸剂'@'A(等制备的光敏性%&'()在高温条件敏性%&'()%该抗反射涂层显影后的光刻胶图下可以自交联成不溶于显影液的网状结构&经过案没有显影残渣$线条陡直度良好&其分辨率达紫外光和@'A的作用&能够解交联成显影液可溶!B#5.&可应用于!C"5.正性光致抗蚀剂中%的小分子化合物&其具体的过程如图!D所示""B#%基于以上研究&该课题组利用超支化聚合物该涂层中引入了自交联!解交联机理&简化了工艺高溶解度$高密度$低粘度$分子之间无缠结的特步骤)同时利用支化聚合物的特性大大降低了图性进一步提高光刻胶的分辨率""$#%他们通过多功案的线边缘粗糙度'?E((和线宽粗糙度'?F((&能基团的乙烯基醚和含有羧基的芳香族化合物制使分辨率提高到!D#5.%图!"!支化聚合物交联网络解交联机理示意图G,-2-+7488915:15;8+,-./01+21/;7/.46H7/5+,-2349I.-71+5-0J47:!!分子玻璃化合物""K#是一类立体结构不对称&如D&D=二'$=羟基="&B=二'"&$=二羟基苯基(苯基(常温下呈现无定形态的小分子材料&其不仅具有丙烷(作为主体&乙烯基醚类化合物为交联剂&含大分子的优势'高的耐热性(&还具有小分子的特有芳香结构的蒽等化合物为光吸收剂&三氟甲磺性'分子间无缠结(&因此有望得到高分辨率$低酸酯等为光产酸剂&制备了一种底部抗反射涂层?E(的图案%杨国强等"DL#利用分子玻璃化合物&'结构如图!"(%该涂层可在碱性水溶液中显影&书!第#期王!宽等!光刻胶用底部抗反射涂层研究进展!*!*!图$&!分子玻璃型OYHF组合物及其光刻胶图案的2S<图2S<0-./4%V=7%8%:49098=.884:101/X;8743%-=%9080%1%V-%&43I&.:/&.99OYHF无须额外的刻蚀工艺$并可广泛应用于!+A1-'量$结果表明$不论在何种基体上$合适的烘焙温#"K1-'*L!1-光刻工艺中$有效减少光反射作度和显影时间是控制显影残渣的一种有效方法(用$消除驻波效应$降低图案的_SH和_TH$提#)*"年$(.@.9I/02)!K*等合成了一种能够防高图案的分辨率(止显影残渣从底部抗反射涂层形成的交联剂$其虽然上述GOYHF具有优异的性能$但是其结构如图*"所示(该交联剂中含有至少一个乙显影残渣会影响离子注入和显影图案的形成$因烯氧基或#D甲氧基甲酰胺基团的含氮芳香族化此严重降低了集成电路的性能(为了克服显影残合物$以该交联剂制备的GOYHF$能够避免显影渣的问题$T.97XI:1F等)!B*研究了不同烘焙条残渣$得到垂直基板表面的横截面的光刻胶件下不同基体上#20'20`#'20(等&GOYHF的残渣图案(a*!a!!由氧和氮组成S*!S!!由氧和氮组成$且至少含有一个氮J*!J!!由乙烯氧基'(D甲氧基酰胺基和氢组成$且至少含有一个乙烯氧基或(D甲基甲酰胺基=*!=!!选用自然数$且至少任何两个至少为*或大于*图$'!一种能防止显影残渣形成的新型交联剂Y14>3:%99D&01@4:8%=:4U418874V%:-.80%1%V=%98D54U4&%=-418:4905I4&'%'%!负性光刻胶用碱溶型底部抗反射涂层负性光致抗蚀剂中(而负性光致抗蚀剂因灵敏度虽然GOYHF材料已成功减少光反射问题$高'胶膜收缩低等特点在集成电路制造中依然有消除额外的刻蚀工艺$但是大多数已知的GOYHF一定的市场需求)!L*(因此研究者在设计能与负性材料仅与正性光致抗蚀剂相匹配$并不能应用于光致抗蚀剂相匹配'性能优异的GOYHF材料方!*!#影!像!科!学!与!光!化!学第!"卷!面也做了相应的工作(研究表明!与正性光刻胶用GOYHF材料相比$负性光刻胶用GOYHF含有脂肪族羟基'芳香族苯环和羧酸部分的典型结构$其中羟基部分提供交联点$芳香族苯环部分吸收反射光线$羧酸部分使其在显影液中显影$部分羟基和羧基共同提供不溶于光刻胶溶剂的能力(其具体的工艺过程如下!首先将GOYHF混合物在图$(!(GOYHF中三元共聚物的典型化学结构基体上成膜'烘干$利用共聚物自身的结构使其不H4=:49418.80U4374-03.&98:I38I:4%V87484:=%&;-4:I94501(GOYHF溶于光刻胶溶剂中%其次在GOYHF上涂覆负性光刻胶$在紫外光曝光区域$GOYHF中的羟基与!!#)*"年$F741[Q等)"**采用含有(GOYHF交联剂在6YJ的作用下发生交联反应$降低曝光典型结构的不同单体$合成了一系列三元嵌段共区域在显影液中的溶解度%最后未曝光区域的聚物#如图*+所示&$并添加6YJ和不同结构的GOYHF和光刻胶同时溶解于显影液(胺类交联剂$制备了一种新型的(GOYHF(在此)*_0I2等")通过自由基聚合合成了一系列同基础上$该课题组又发明了一种(GOYHF组合时含有羧基'交联点'吸光基团的三元共聚物#如物)#K*$该组合物包括以下几部分!第一聚合物$含图*A&$以该聚合物为主体$加入交联剂'6YJ'猝有第一羧酸组成部分'含羟基的脂环族组成部分'光剂$制备了一种负性可显影的底部抗反射涂层第一吸光基团组成部分%第二聚合物$含有第二羧#(GOYHF&(并对涂层的耐溶剂性'显影性'均一酸组成部分'含羟基的无环状组成部分'第二吸光性'相容性等性能进行了表征$发现其能有效地降基团组成部分%交联剂和6YJ等(该组合物对低驻波效应'提高图案FG精确性$可广泛应用于*))!"))1-的紫外光均有较强吸收$显示出良#"K1-负性光致抗蚀剂中(好的抗反射效果(这两种(GOYHF均不溶于负性图$)!用于(GOYHF的三元共聚物和交联剂W4:=%&;-4:.153:%99D&01@4:I94501(GOYHF光致抗蚀剂树脂溶剂$经过曝光后$曝光区域在酸的作用下发生交联反应$形成不溶于显影液的负'!总结与展望性光刻图案$特别适合注入级别的刻蚀$因此在负性光致抗蚀剂中有良好的应用前景(本文简要总结了OYHF的分类'基本原理'刻!第#期王!宽等!光刻胶用底部抗反射涂层研究进展!*!!!蚀工艺及其发展状况$重点归纳了OYHF在光刻刻中的应用)Q*'固体电子学研究与进展$#))+$%(#"&!胶中应用的最新研究进展(随着微电子材料和光A"ADA"K'JIMJ$2I1Q$M741JN$J%1GT'OYHF:%3499I945刻技术的快速发展$未来集成电路的最小特征尺//=V%:9IXD-03:%-484:=7%8%&087%/:.=7;)Q*'"/7/)'59=1'%;寸将继续向#)1-以内靠拢$因此$开发与光刻胶6'/77%+4%*.04:):/>*/5:'%(.57$#))+$%(#"&!A"ADA"K'匹配性好'抗反射效率高'综合性能优异'制备工)K*!]>.1/2]$_44[[$QI1/QF'Y1%U4&%:/.103X%88%-艺简单'经济环保的OYHF将是今后抗反射涂层.180D:4V&4380U43%.801/-.84:0.&V%:*L!1-4?30-4:&.94:发展的主流方向(此外$符合绿色化学的环境友&087%/:.=7;)Q*'1%*23/'$#)))$'$#*B&!++L*D++L"'好型OYHF也将在光刻胶中具有潜在的应用前)L*!H.I8][$J.1497$Y$(.0:Y2$H.-.@:0971.2'Y180D!$)*景(:4V&4380U43%.801/9.3:0803.&01D54=87:4U04>Q'>(/'62=>(?.'%(3/(:)*45./(5/$#)**$'#*)&!!BBLD!K)"')*)*!]%I&07.1a<$<0;.b.@02$(40994:<`$G0%949YG$致谢!本研究得到江苏省产学研前瞻性联合研究`X4:&.154:QS'O%88%-.180:4V&4380U43%.801/3%-=%9080%19项目'OP#)*A)*LD*"(和国家重大科技专项)6*'<4-):/(:$K)KKA"K'#)*#D*D!''#)*)MN)#!)"(的资助!在此表示真挚的感谢#)***!O%I:@4_$O&.0@04HQ'SU.1493418D3%I=&45.180:4V&4380%13%.801/9V%:7;=4:D1I-4:03.&.=4:8I:40--4:90%1&087%/:.D参考文献!=7;)Q*'$%&'()*%+@)5&&345./(5/=A/59(%*%62B$#)*"$&%#+&!)+aS)!')**!<%%:4JS'_087%/:.=7;.15874VI8I:4%V<%%:4+9&.>)F*')*#*!6.:@S<$F7%0Q$[.1/O]$G%1/[P$6.:@P$2%1/,,184:1.80%1.&2%3048;V%:`=8039.1567%8%1039$*LLA'#D*B'2$QIO[',1U4980/.80%1%V8744VV4389%VX%88%-.180D)#*!JI%_N$JI.1Q$M7.%Na$_01O6$P.1/]'G490/1$:4V&4380U43%.801/%11.1%93.&4=.884:19X;&.94:0184:V4:D9;18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