第1章：EMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMAT第二章：EMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMAT第3章：共基极直流电流放大系数为集电极电流与发射极电流之比基极运输系数发射结注入效率发射结复合系数EMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMATEMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMAT，，均匀：为共发射极直流电流放大系数为基区渡越时间，为基区少数载流子的寿命，为中性基区宽度，分别为发射区和基区杂质浓度。和分别为发射区和基区的电阻率，和分别为发射区和基区的方块电阻为基区少数载流子浓度缓变：基区自建电场为梯度因子第4章：结型场效应晶体管：夹断电压：，夹断时所需要加的栅源电压Vp=Vbi-VP0。Vbi为结的接触电势差。Vbi=沟道电导：G0=2qμn（a-x0）Z/L即：VDS=VDsat称为饱和漏源电压VDsat=VP0-（Vbi-VGS）绝缘栅场效应晶体管MOS结构：零偏导条件下：φms=φm-φs=φm-（X-Eg/2q+φf）=0φm为金属功函数φs为半导体功函数X为半导体的电子亲和势费米势φf=（Es-EFs）/qP型φf>0;N型φf<0.EMBEDEquation.KSEE3\*MERGEFORMAT电荷面密度Qs=εε0Es耗尽区宽度达到最大值氧化层压降Vox=-Qs/CoxCox=εox/toxεox=εrε0Cox为氧化层单位面积电容εox为栅氧化层介电常量tox为氧化层厚度强反型时的表面势力φsi2=2φfp1.理想MOSFET的阈值电压：n沟道阈值电压Qd=-qNAXdmax2.金属半导体功函数差对VT的影响3.氧化层及界面电荷对VT的影响ID=β[(VGS-VT)•VDS-V2DS/2)β=WμnCox/LVDS=VDsat=VGS-VT饱和漏源电流=(VGS-VT)2跨导：gm=β（VGS-VT）�EMBEDEquation.3\*MERGEFORMAT����EMBEDEquation.3\*MERGEFORMAT����EMBEDEquation.3\*MERGEFORMAT����EMBEDEquation.3\*MERGEFORMAT����EMBEDEquation.3\*MERGEFORMAT���_1234567906.unknown_1234567922.unknown_1234567938.unknown_1234567946.unknown_1234567954.unknown_1234567959.unknown_1234567960.unknown_1234567956.unknown_1234567957.unknown_1234567958.unknown_1234567955.unknown_1234567952.unknown_1234567953.unknown_1234567951.unknown_1234567942.unknown_1234567944.unknown_1234567945.unknown_1234567943.unknown_1234567940.unknown_1234567941.unknown_1234567939.unknown_1234567930.unknown_1234567934.unknown_1234567936.unknown_1234567937.unknown_1234567935.unknown_1234567932.unknown_1234567933.unknown_1234567931.unknown_1234567926.unknown_1234567928.unknown_1234567929.unknown_1234567927.unknown_1234567924.unknown_1234567925.unknown_1234567923.unknown_1234567914.unknown_1234567918.unknown_1234567920.unknown_1234567921.unknown_1234567919.unknown_1234567916.unknown_1234567917.unknown_1234567915.unknown_1234567910.unknown_1234567912.unknown_1234567913.unknown_1234567911.unknown_1234567908.unknown_1234567909.unknown_1234567907.unknown_1234567898.unknown_1234567902.unknown_1234567904.unknown_1234567905.unknown_1234567903.unknown_1234567900.unknown_1234567901.unknown_1234567899.unknown_1234567893.unknown_1234567896.unknown_1234567897.unknown_1234567895.unknown_1234567894.unknown_1234567891.unknown_1234567892.unknown_1234567890.unknown
本文档为【半导体公式】，请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑，
图片更改请在作品中右键图片并更换，文字修改请直接点击文字进行修改，也可以新增和删除文档中的内容。
该文档来自用户分享，如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服，我们会及时删除。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生，若发现您的权利被侵害，请联系客服邮件isharekefu@iask.cn，我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
浙公网安备 33021202002483