MSP430单片机flash存储器
MSP430F149单片机基础知识
1、 FCTL1寄存器
15 8 7 6 5 4 3 2 1 0
安全键值 BLKWRT WRT Reserved Reserved Reserved MERAS ERASE Reserved
rw-0 rw-0 r0 r0 r0 rw-0 rw-0 r0
该寄存器定义了Flash模块的擦除和编程的控制位。其中高8位为安全键值，该字段读出的
内容
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总是96H，写入时必须为A5H，否则不能进行操作。
下面分别对低8位进行介绍:
BLKWRT Bit7 按块写模式位。复位值为0，在进行块写操作时，WRT位必须置1;当
设置EMEX位时，BLKWRT自动复位。
0 块写模式关闭;
块写模式开启。 1
WRT Bit6 写模式使能位。复位值为0，当设置EMEX位时，WRT自动复位。
0 不能进行写操作;
写操作允许。 1
MERAS、ERASE Bits2-1 该两位用来控制擦除方式选择位。复位值为0。当设置EMEX位时，这
两位自动复位。
不擦除; 00
01 只擦除单个段;
10 擦除所有的主程序区;
擦除所有的主程序区和信息区。 11
2、 FCTL2寄存器
15 8 7 6 5 4 3 2 1 0
安全键值 FSSELx FNx
rw-0 rw-1 rw-0 rw-0 rw-0 rw-0 rw-0 rw-0
该寄存器定义了Flash模块的擦除和编程所需要的时序时错钟。其中高8位为安全键值，该字段读出的内容总是96H，写入时必须为A5H，否则不能进行操作。
下面分别对低8位进行介绍:
FSSELx Bit7~6 该两位用来定义Flash模块控制器时钟源的选择。复位值为01。
00 ACLK; 10 SMCLK;
11 SMCLK。 01 MCLK;
FNx Bit5~0 这6位定义了分频系数。分频系数为FN5~FN0的值。如当FN5~FN0
的值为2时，其分频系数为3。复位值为1,分频系数为2.。 3、 FCTL3寄存器
15 8 7 6 5 4 3 2 1 0
安全键值 Reserved Reserved EMEX LOCK WAIT ACCVIFG KEYV BUSY
r0 r0 rw-0 rw-1 r-1 rw-0 rw-(0) rw-(0)
该寄存器定义了Flash模块的擦除和编程操作的一些标志位。其中高8位为安全键值，该字段读出的内容总是96H，写入时必须为A5H，否则不能进行操作。
下面分别对低8位进行介绍:
EMEX Bit5 紧急退出位。当该位为1时，则产即退出对Flash的操作。
LOCK Bit4 保护位。
0 不加锁，可以对Flash操作;
1 加锁，这时不能对Flash进行写和擦除操作。
WAIT Bit3 等待指示位。该位显示Flash正在进行写操作。
0 还没准备好，此时不能进行写操作;
1 Flash准备好下一次写操作。
ACCVIFG Bit2 违反访问中断标志。该位只能软件清零。
0 没有中断挂起;
1 有中断挂起。
KEYV Bit1. 安全值错误标志。
0 安全值正确;
1 安全值错误。
BUSY Bit0 忙标志。
0 不忙;
1 忙。
4、 IE1寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
ACCVIE
rw-0
该位是用来允许违反中断访问的控制位。当该位为1时，中断允许;当该位为0时，中断禁止。
下面的程序为具体的写内部Flash的实例，往内部信息段的三个地址写入数据1、2、3,三个地址分别为0x1080、0x1083、0x1085。在芯片写入数据前首先要把Flash擦除，擦除后的Flash数据全部为0xFF，之后才能进行写操作。程序运行后，读者可以通过IAR IDE查看内部Flash的数据。
#include
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
void write_Seg (unsigned char value,unsigned int add)
unsigned char temp[128]
void int_clk()
{
uchar I;
BCSCTL1&=~XT2OFF; //打开XT振荡器
BCSCTL2|=SELM1+SELS; //MCLK为8MHz，SMCLK为1MHz
{
IFG1&=~OFIFG; //清除振荡错误标志
for(i=0;i<100;i++)
_nop() //延时等待
}
While ((IFG1&OFIFG)!=0); //如果标志为1,则继续循环等待
IFG1&=~OFIFG;
}
Delay()
{
Unsigned int i=0;
For(i=0;i<=1000;i++)
;
}
Void eraseFlashSegment(unsignged int add)
{
Unsigned char *ptrFlash;
ptrFlash=(unsignge char *)add;
FCTL1= FWKEY+WRASE; //使能擦除位
FCTL3=FWKEY; //清除锁定位
*ptrFlash=0x00;
Delay()
Delay()
FCTL3=FWEY+LOCK; //置锁定位为1
}
Void write_Sen(unsigned char value,unsigned int add)
{
Unsigned char *Flash_prt; //Flash访问指针
Flash_prt=(unsigned char *)add; //初始化指针
FCTL3=FWKEY; //清除锁定位
FCTL1=FWKEY+WRT; //使能写使能位
While(BUSY&FCTL3);
*Flash_prt=value;
FCTL1=FWKEY; //清除写使能
FCTL3=FWKEY+LOCK; //置锁定位为1
}
Void main(void)
{
WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD; //禁止看门狗
Int_clk();
FCTL2=FWKEY+FSSEL0+FN0; //MCLK/2作为Flash操作时序的时钟
Generator
eraseFlashSegment(ox1080); //擦除SegmentA Flash
write_Seg(1,0x1080); //写地址0x1080为1
write_Seg(2,0x1083); //写地址0x1083为2
write_Seg(3,0x1085); //写地址0x1085为3
while(1);
}
通过上面的程序可以看出，只要设置好FCTL1、FCTL2、FCTL3和IE1就可以对Flash模块
进行适当的读/写操作。
浙公网安备 33021202002483