半导体二极管的伏安特性曲线半导体二极管的伏安特性曲线
半导体二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。
图1 二极管的伏安特性曲线
1. 正向特性 当V,0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段: 当0,V,Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V,Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth,0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth,0.1 V左右。 2. 反向特性 当V,0时，即处于反向特性区域。...
半导体二极管的伏安特性曲线
半导体二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。
图1 二极管的伏安特性曲线
1. 正向特性 当V,0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段: 当0,V,Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V,Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth,0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth,0.1 V左右。 2. 反向特性 当V,0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域: 当VBR,V,0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当V?VBR
时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|?7V时，主要是雪崩击穿;若VBR?4V则主要是齐纳击穿，当在4V,7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。
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