ansysEMI仿真教程分解

SIwave电源完整性仿真教程V1.0 目录 工贸企业有限空间作业目录特种设备作业人员作业种类与目录特种设备作业人员目录1类医疗器械目录高值医用耗材参考目录 1软件介绍22.1功能概括22.2操作界面32.3常用热键42仿真的前期准备52.1软件的准备52.2PCB文件导入52.2.1LaunchSIwave方式52.2.1ANF+CMP方式62.3PCB的ValidationCheck82.4PCB叠层构造设置112.5仿真参数设置122.6RLC参数修正132.6.1RLC的自动导入132.6.2检视自动导入的RLC默认值152.6.3批量改正RLC值182.6.4套用大厂的RLC参数193SIwave仿真模式203.1谐振模式203.2激励源模式253.3S参数剖析304实例仿真剖析314.1从Allegro中导入SIwave314.2ValidationCheck324.3叠层构造设置334.4无源参数RLC修正334.5平面谐振剖析364.6目标阻抗（Z参数）剖析394.7选用退耦电容并增添434.8再次运行仿真查察结果445问题总结465.1PCB谐振的观点465.2为何频次会有实部和虚部475.3电容的非理想特性影响475.4地平面完整与回流路径连续485.5电源目标阻抗48软件介绍2.1功能概括AnsoftSIwave主要用于解决电源完整性问题，采用全波有限元算法，只能进行无源的仿真剖析。AnsoftSIwave虽然功能强大，但并非把PCB导入，就能算出整块板子的问题在哪里。还需要有经验的工程设计人员，以系统化的设计步骤导入此软件检查PCB设计。主要功能如下：1.计算共振模式在PDS电源地系统构造（层构造、 材料 关于××同志的政审材料调查表环保先进个人材料国家普通话测试材料农民专业合作社注销四查四问剖析材料 、形状）的LAYOUT以前，我们能够计算出PDS电源地系统的共有的、内在的共振模式。能够计算在目标阻抗要求的带宽或更高的带宽范围内共振频次点。查察共振模式下的电压散布图防止把大电流的IC芯片放置于共振频次的电压的峰值点和电压谷点。原因是当把这些源放在共振频次的电压的峰值点和电压谷点的时候很容易惹起共振。3.侦测电压利用电流源代替IC芯片放置于它们可能的LAYOUTplacement地点的周围、同时放置电压探头于理想IC芯片的地点侦测该地点的电压频次相应。在电压的频次相应的曲线中，峰值电压所对应的频次点就是共振频次的发生点。4.表面电压鉴于电压峰值频次，查察这些频次点的表面电压的散布情况，把退耦电容放置于电压峰值和谷点的地点处。（这就是怎样放置退耦电容的根据）5.单端口的Z参数计算计算单端口的（IC地点）的Z参数（往常使用log－log标尺，Hz）。经过Z参数的频次相应曲线，我们能够计算出我们需要的“电容大小、ESL大小、ESR大小”。（从中我们能够知道我们需要什么样 规格 视频线规格配置磁共振要求常用水泵型号参数扭矩规格钢结构技术规格书 的退耦电容）。6.侦测实际退耦电容影响使用内置的ANSOFTFULL－WAVESPICE来侦测实际退耦电容影响（包括：共振、ESL、ESR、Parrallelskew等）。7.选用电容经过实际的AC扫描响应来选择需要的电容，包括电容的R／L／C值。8.侦测回路电感影响在不同的地点放置电容来侦测路径的自感的影响。（这将决定退耦电容放置的地点）。9.检测传输阻抗使用多端口的Z参数来检测传输阻抗。2.2操作界面SIwavev3.5软件刚安装完的画面如图1-1所示，配置如下：1.View\Windows：CircuitElements\Layers\NetsWindow2.View\Toolbars：CoordinateEntryandDraw3.View\Windows：MessageWindow图1-1SIwave界面View\Windows：CircuitElements\Layers\NetsWindow每一行代表每一层layer的堆栈(stack)，叉叉符号表示该层各元素是否全显示。如果想显示第一层的traces但不想看circuitelements就选第二个勾勾，但不选第四个勾勾，如图1-2所示。小圆圈的核选按钮，代表当前选定的编写层，这一层要选对，才能够正确的选定该层对象(trace\via\element\plane)做编写。，有颜色的长方框，代表该层的copper有没有要填满显示如果直接在"METAL-1"文字上点鼠标右键，会跳出快捷选单"EditLayerProperties..."。图1-2Layers2.View\Toolbars：Draw左边部份是主功能选单内的Draw\Circle,...,Trace,Via，用来放置circuitelement。选定要放置的对象后，记得还要选择"DrawingMode"。右边部份是选择对象。能够用光标选定或是拉方框范围选定。对象前，记得要选择正确的对象属性，否则无法选到该对象。比如：via="Geometry"，port="CircuitElement"选定View\Toolbars：CoordinateEntry左边显示当前坐标；右边设定刻度单位，能够从mm改成mils3.View\Windows：MessageWindow在程序履行的过程中，Message还有旁边的Warnings/Errors会显示有关信息2.3常用热键Shift+左键拖曳：整个图像在画面地区内搬移(View\Pan)Shift+Alt+左键上拖曳：ZoominShift+Alt+左键下拖曳：ZoomoutAlt+拖曳：3D旋转Alt+左键双击：于上地区->正视位于下地区->背视位于左右地区->侧视位Ctrl+D：FitAll仿真的前期准备2.1软件的准备本教程中软件使用的版本分别是Cadence15.7和SIwaveV3.5。SIwave软件的安装与破解都比较简单，这里不做表达。此外，为方便Allegro文件的导入，安装Cadence软件之后，能够安装AnsoftLinks的Cadence集成工具(int_cadence_Allegro.exe)。安装成功之后，会有一个Ansoft的工具条，如图2-1所示：图2-1Ansoft的安装工具条2.2PCB文件导入以CadenceAllegro的导入为例，介绍PCB文件的导入过程，有两种方式。2.2.1LaunchSIwave方式运行Allegro的Ansoft\LaunchSIwave菜单，如图2-2所示：图2-2LaunchSIwave弹出如图2-3框图：图2-3StartSIwave点击OK，弹出如图2-4，图2-5所示框图：图2-4PCB文件导入过程中图2-5PCB文件导入达成后即达成Allegro到SIwave的变换。2.2.1ANF+CMP方式1.运行Allegro的Ansoft\WriteAnsoftNeutralFileV2或V4菜单，如图2-6所示：图2-6WriteAnsoftNeutralFile弹出如图2-7所示窗口：图2-7ExportANF点OK，即出“*_v2.anf文”件。2.运行Allegro的Ansoft\WriteSIwaveComponentFile菜，如2-8所示：图2-8ExportComponentFile点OK，即可出“*.cmp文”件。3.翻开SIwave3.5a.运行SIwave的File\Import\ANF⋯菜，如2-9所示：图2-9ImportANF才从Allegro中出来的“*_v2.anf文”件，出2-10所示的窗口：图2-10导入ANF文件之后b.然后，运行SIwave的File\Import\ComponentFile菜，才从Allegro中出来的“*_v2.cmp文”件，入元器件，出2-11所示的窗口：图2-11导入cmp文件之后至此，元器件的信息才被入，即达成了Allegro到SIwave的。2.3PCB的ValidationCheck首先行PCB的ValidationCheck（有效性），如果ValidationCheck的果有，要理。运行SIwave的Edit\ValidationCheck⋯菜，出如2-12所示的框：图2-12ValidationCheck点击Start，如果ValidationCheck的结果没有错误，会出现以下结果，如图2-所示：图2-13ValidationCheck履行后的结果如果ValidationCheck有错误，则要分别办理。a."Self-intersectingPolygons"Error，指的是PCBTool自动铺铜后，有些地方会有铺铜不完整的情况，如所图2-14示。从Errormessage所显示的坐标double-click即会跳到layout错误处，使用"DrawRectangle"在mergemode把空隙补齐就能够，如所图2-15示。注意：请选择"Rectangle"补铺铜，不要选trace补，因为Ansoft视两者的属性是不同的，前者才是plane。图2-14覆铜不完全的地方图2-15选择Rectangle和Merge"DisjointNets"Error运行Nets\Misalignment\Selectandview后，选Correct即可改正。c."OverlappingNets"，可能是有些Net沒拉好，出现了重叠，如图2-16所示。修正或删除即可。图2-16走线重叠d."OverlappingVias"，如图2-17所示，把重叠的via删除即可。图2-17过孔重叠注意：ValidationCheck的Errormessage，有两点需要注意的：1.其所显示错误地点处的坐标，是采用使用者在做ValidationCheck当下的系统单位设定，所以要double-click让软件能正确指到layout错误处，必须把单位设定正确才能够；SIwavev3.5的ValidationCheck后边两项的item，只显示Error，而不提供错误地点坐标的连接；而SIwavev4.0则全部checkitem都可提供错误地点的坐标连接，并且还提供"AutoFix"功能。2.4PCB叠层构造设置导入SIwave后的PCB会按照Allegro中间设置的安排叠层，而FR4的介电常数默认值是4.25，如果和生产所有的不一致，请进行更改，过程如下：新增介质材料，并设定介电常数，即运行Edit\material-->Dielectrics-->Add增添新的FR44.0的FR4介质：介质材料，如图2-18所示，增加了一个介电常数为注意：介电系数是一个会随频次微量变化的参数，但在SIwave内都是把它定义成constant。然后，改正LayerStack，运行Edit\LayerStack(或按图2-19所示，选择好新增的介质材料以及其他设置达成后，点击OK)，如即可达成。132图2-18新增介质材料132图2-19改正LayerStack2.5仿真参数设置仿真的参数能够全部用默认设定不改，或是改正一下个别设定。运行Simulation\Options，如图2-20所示：图2-20仿真参数设置Min.CoupledTraceLength：越高速的信号(上涨时间Tr越小)，长度越要设小。BoundaryConditionToUse：设RadiationBoundary比较切合实际情况，高速信号走板边时会有辐射损失。2.6RLC参数修正2.6.1RLC的自动导入在PCB导入SIwave达成后，注意一下"messagewindow"最下方是否有显示已经成功汇入的RLC总数量，如图2-21所示。若有好多的RLC没有抓到(没有被tool辨别出来)，则需要查找原因。图2-21messagewindow如果发现只能看到R、L而看不到C，那是因为SIwave默认只会辨别组件名称Rx、Lx、Cx，无法辨别命名为BCx、ECx...等的电容。所以电路图与PCB如果对RLC组件的命名非AnsoftLink所预期的那样，就会看不到正确的RLC信息。注：所有未定义的电阻默认50欧姆，未定义的电容值默认，未定义0.1uF的电感值默认1nH。在集成工具(int_cadence_Allegro.exe)的安装目录下即可看到...\integrate4\PartMap.dat，如图2-22所示，可自行编写此文档。图2-22元器件映射表依据使用者PCB上电容footprint的名称去对应，比方某个电路图上编号BC6的电容，采用的footprint名称是C-0603，那就编写图2-23中以红框圈中的一行文字，将其指定为0.1uF电容。图2-23编写理想电容映射图如果要考虑非理想的元件特性，如电容的寄生电感、串连等效电阻效应，则以图2-24方式表示：图2-24编写非理想电容映射图2.6.2检视自动导入的RLC默认值检视电阻在"Componentwindow"中，展开"Resistors"\"Local"，如所示，可见此设计案中各样封装size的电阻，此时将鼠标光标凑近"R2_1206_33"的电阻，会自动出33Ohms字样，显示了该电阻值，如图2-25左侧所示。若进一步展开R2_1206_33，能够看到所有电阻编号，随意挑一个电阻以鼠标右键单击选定"FitCircuitElement"，如图2-25右侧所示，SIwavev3.5就会自动跳到该电阻地点Room-In显示，如图2-26所示。图2-25检视电阻图2-26某电阻的Room-In显示若进一步选定电阻按鼠标右键，选择"EditCircuitElement"，则会出现如图2-27的参数信息框。如果想要改正电阻参数，可先重命名"PartNumber"，会发现以前的"Resistance"框由灰色变亮，然后即可进行改正，如图2-28所示。"ReferenceDesignator"指的是电容流水编号。安装以上方式自行定义的model可供其余地方引用。注意：只需在"PartNumber"输入新的名称，那么所有的参数便可自行定义。图2-27电阻参数属性框图2-28电阻参数改正检视电容同理，在"Componentwindow"中，展开"Capacitors"\"Local"，如图2-29所示，可见此设计案中各样封装size的电容，但此处我们还看到了好多其余大厂的电容model，如AVX、Panasonic、Samsung...等。电容的改正方法同电阻。图2-29检视电容检视电感（方法同上）2.6.3批量改正RLC值个别改正RLC值在上一小节已经有了说明，如果所有同一种类的电容有许多颗，能够经过以下方式一次更改所有同一种类的电容值。如图2-30所示，右键点击"EditComponentProperties"之后，改正图2-31中的值即可。电感电阻的改正方式相同。图2-30批量编写电容属性图2-31改正电容参数2.6.4套用大厂的RLC参数如果新增电容，能够经过以下方式套用大厂的model。新增一个电容前，先把某大厂（如AVX）的电容展开，选定想要的电容规格，按鼠标右键选择"PlaceComponent"，即可开始摆放该电容于想要的地点，如图2-32所示。图2-32套用大厂电容的model3SIwave仿真模式注意：从Allegro中入SIwave中的PCB、需要置叠构、介材料（2.4PCB叠构置）以及置容的有关参数（2.6RLC参数修正）。SIwave主要有3种仿真模式：振模式、激励源模式和S参数。3.1谐振模式PCB构中源和地平面之组成振腔，因此存在振。SIwave通求解次Maxwell'sEquations获得2D振模式。上，走和平面之也会组成腔，也会有振。但在SIwave里面只能直接算属性是Plane（平面）的构的振，不能直接算属性Trace（走）的振。RLC参数会重影响振散布，在SIwave里面都能够考在内。当走通振的地区，信号相当于是走在一个浮的参照平面上，SI会差；若走在此地区孔，且孔形成的有效度正好是振点的1/4波，容易形整天在近出振点。四板及多板才适合做此剖析，因需要两个相的平面地区。振区的改良方法：整合平面完整，或增添去耦容。以下是PCB板振模式剖析的步。1.菜“ComputerResonantModes⋯”，出如3-1所示窗口：图3-1谐振模式参数设置选择要仿真的谐振频次范围，以及仿真的谐振点数。注：最大频次能够参照0.35/Tr设定，Tr为最小的上涨沿时间。点击OK后，弹出如图3-2所示运行窗口：图3-2运行窗口运行结束后，弹出如图3-3所示的窗口：图3-3运行结束后的窗口3.拉开两个“-----NULL------”指示条，选择要剖析谐振的两个平面。如图3-4所示：图3-4选择谐振的电源平面选择达成后，点击Compute键，运行结束后，下半部分的窗口出现谐振平面列表，如图3-5所示：图3-5谐振平面列表4.从谐振平面列表里选择其中一行，点击“PhaseAnimation”，弹出如图3-6所示窗口：图3-6PhaseAnimation点击“GenerateFrames”，在Frames栏出现从0~360度的相位值，同时在SIwave主窗口的出现谐振的幅度和地点，在窗口的左边还有谐振幅度的比率，如图3-7所示。注意：右侧的两个图标要处于选中状态（）。图3-7谐振模式图SIwave是经过色彩的变化来表示谐振幅度的大小的，当局部的颜色变红或蓝色时，表示谐振的幅度达到设定的谐振幅度的最大值。颜色表示的幅度范围是能够改正的。注：在颜色最红或最蓝的地方表示谐振幅度最高，能够根据谐振频次增添电容。左键单击左边的颜色值条，弹出如图3-8所示窗口，最大缺省值是1V，最小缺省值为-1V，选择“UserDefined，”输入最大最小值即可。图3-8编写颜色条点击图3-9中的三角框运行，能够看到电源平面谐振的动向变化三维图，如图3-10所示。图3-9动向运行图3-10动向三维谐振图3.2激励源模式经过定义频变源或许恒定源(Fouriertransformation)来看激励源的作用：传导和辐射效应。用这种模式时，在激励源处放置电压源，在需要探测处放电压探针。选择不同的地方放置电压源和电压探针，便能够测量各处的电压波动。详细步骤如下：1.增添电压源和端口首先增添电压源，单击按钮，然后把鼠标移到要增添源的地点双击，出现如图3-11所示的对话框：图3-11增添电压源选择要放置的层（比如分别选择SURFACE层和GND1层），然后点击OK。弹出图3-12所示的SetVoltage对话框，能够重命名电压源，并将电压改成实际的电压值，如3.3V。然后点击OK，电压源就增添好了。图3-12设置电压源属性然后再增添端口（Port），先单击按钮，然后把鼠标移到要探测的地点双击，出现图3-13所示对话框：图3-13增添端口选择要放置的层后，点击OK，弹出如图3-14所示的PortProperties对话框，能够重命名端口，并能够更改端口的特性阻抗，一般默认为50Ohms。然后点击OK，端口就增添好了。图3-14设置端口属性增添源和端口后的情况如3-15所示：端口电压源图3-15电压源和端口增添达成运行CircuitElementParameters（⋯或按）能够看所有无源器件及探的信息，如3-16所示：菜“ComputerFrequencySweep⋯”出如3-17所示窗口：描率的范及算的点数，以及仿真面，按OK，仿真就会开始自运行，如3-18所示。图3-16查察元件属性图3-17频次扫描参数设置图3-18仿真运行中仿真结束后，弹出如图3-19所示窗口：图3-19频次扫描结果同样，点击按钮，能够看到动向变化。显示出在电压源激励下，探针测量的电压值。3.3S参数剖析用SIwave能够算端口的S参数，在关注的地点增加端口，算已定的nets的S参数，然后通点流关系化成阻抗/参数。包含了nets自己的反射和，以及nets之的耦合。在需要关注的地点加入一个Port探，菜“Simulation\ComputerS-,Y-,Z-parameters⋯”，出如3-20图3-17所示窗口：描率的范及算的点数，按OK，仿真就会开始自运行。图3-20S参数计算仿真束后，最后出一个窗口，示出各端口的入出的特性曲，如3-21所示窗口：图3-21S参数曲线实例仿真剖析下面针对一个实际电路板，进行电源完整性的仿真。4.1从Allegro中导入SIwave从CadenceAllegro中将图4-1中的PCB文件直接导入到SIwave中。图4-1PCB文件导入过程如图4-2所示：图4-2导入过程中入达成后，如4-3所示：图4-3导入到SIwave4.2ValidationCheck首先行PCB板的ValidationCheck，运行ValidationCheck⋯菜，点Start，运行果如4-4所示：图4-4ValidationCheck的运行结果ValidationCheck的果没有，能够行以下步。如果有，要根据2.3PCB的ValidationCheck行分理。4.3叠层构造设置运行Edit\LayerStack(或按)，叠构如4-5所示。必按照生的情况来置FR4的介常数以及各厚度等信息。详细置方法参2.4PCB叠构置。里作案例演示不做任何置。图4-5叠层构造4.4无源参数RLC修正RLC的入是当作理想件，并没有寄生参数；若要件有寄生参数，要用自己到件，挑适合的件号，置寄生参数。由于是行PI的Post-sim，里主要关注容的寄生感（ESL）与等效串阻（ESR）。运行Edit\CircuitElementParameters⋯，看无源器件的信息，如4-6所示：图4-6导入的元器件信息能够看出导入后的电容值都是理想的，即寄生参数值都为0。为使仿真正确可靠，必须正确输入电容的ESL和ESR。详尽情况请参照2.6节RLC参数修正。首先根据使用电容的 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，查出厂家给出的ESL值和ESR值。请注意，根据封装的不同，ESL值和ESR值都是不同的。然后进行如下操作：从CircuitElements中展开Capacitors的Local项，能够看到使用的电容只有图4-7中所示的5类。12345图4-7CircuitElement中的电容根据2.6.3节批量改正RLC值的方法，在图4-8所示窗口中输入电容实际的ParasiticInuctance和ParasiticResistance的值。图4-8设置电容参数比如，设置后的电容参数如图4-9所示：图4-9设置后的电容参数同样，将其他几种电容的值依次修正。改正后的无源器件信息如图4-10所示，电容的非理想特性参数获得了修正。图4-10修正后的电容参数4.5平面谐振剖析菜“ComputerResonantModes⋯”，出如4-11图3-1所示窗口：图4-11设置谐振模式入MinimumFrequency：1E+007以及ModestoCompute：5，点OK，运行结束后，弹出图4-12所示窗口：图4-12谐振模式计算结果选择两个平面层，GND1和POWER1后，点击Compute，如图4-13所示，图4-13选择电源平面层运行结束后，弹出如图4-14所示窗口：图4-14GND1和POWER1的谐振模式结果从图中能够看到这5个模式的谐振情况，以Mode5：166.8MHz为例，谐振模式如图4-15所示：图4-15166.8MHz谐振模式的平面视图能够看到，在板子中央的地方出现了谐振地区。选择Mode5所在行，点击“PhaseAnimation”，再点击“GenerateFrames”，运行结束后，弹出图4-16所示窗口：图4-16PhaseAniation点击，察看动向三维图，如图4-17所示：图4-17166.8MHz谐振模式的动向三维图4.6目标阻抗（Z参数）剖析点击，回到Top-Down视图。注：无源器件、激励源以及Port只有在Top-Down视图中才能增添。点击增添一个S端口，在图4-15所示的地区处双击，弹出图4-18所示窗口。图4-18选择端口所在层POWER1和GND1，点OK，出4-19所示窗口，点OK：图4-19端口属性点，看端口信息，如4-20所示：图4-20端口信息菜“Simulation\ComputerS-,Y-,Z-parameters⋯”，按如4-21图3-17所示窗口，设置扫描频次的方式、范围及计算的点数。点击OK，仿真开始自动运行。注：一般来说，S参数的极点和零点对应谐振频次(电磁场理论)。此外，如果宽频带内使用interpolating，可能产生伪解。建议在SIwave里面分段设置频次，并且使用Discrete的扫频方式。图4-21S参数扫描设置仿真结束后，弹出AnsoftSIwaveReporter，如图4-22所示。图4-22AnsoftSIwaveRepoter从Results中选择S-Parameters，曲线如图4-23所示。S的极点即为平面谐振点，X2=165.8对应166.8MHz的谐振模式。图4-23S参数曲线从Results中选择Z-Parameters曲线，如图4-24所示。从图中能够看出，X2=165.8MHz处的阻抗较高。图4-24Z参数曲线4.7选用退耦电容并增添鉴于电压峰值频次，查察这些频次点的表面电压的散布情况，把退耦电容放置于电压峰值和谷点的地点处。这就是退耦电容的选用原则。增添退耦电容就是为了降低电源平面间的阻抗。根据谐振频次点，从大厂的电容模型中，选择合适的退耦电容。某0805封装0.47nF电容的频次响应曲线如图4-25所示，自谐振频次为310MHz左右，能够为电源平面在166.8MHz邻近起到退耦的作用。图4-25某电容的频次响应曲线在相应地区的GND1和POWER1之间增添两个0.47nF的电容，如图4-26所示：图4-26增添两个退耦电容4.8再次运行仿真查察结果运行谐振模式剖析，结果如图4-27所示，发现166.8MHz的谐振点消失了。图4-27谐振结果运行S参数剖析，两次结果的比较如图4-28所示，加入退耦电容之后的S参数曲线较为平缓，在166.8MHz的极点也消失了。加入退耦电容之后加入退耦电容以前图4-28S参数比较图Z参数曲线的比较如图4-29所示，加入退耦电容之后，在166.8MHz处的阻抗大为降低。加入退耦电容以前加入退耦电容之后图4-29Z参数比较图其余谐振点的情况，能够参照以上方法进行办理。问题总结5.1PCB谐振的观点平面谐振（Resonancesintheplanes）是能量被夹在两个平行板(powerandgroundplane)之间，因原始信号与其反射信号同相(phaseadd)而形成共振腔效应。该谐振频点的激发来自两种因素：同步开关噪声（SSN）：数字电路运作时，数字器件的大量逻辑门在同一时序上瞬间同步转态，所惹起的switchingnoise。地弹（groundbounce）：传输线上的信号透过过孔换层走线时，参照平面（referenceplane）改变，回流（returncurrent）不连续所惹起的。由SSN所惹起的resonance，能够用lumpmodel与distributemodel来解释。当逻辑信号的rise/falltime够小，也就是驱动信号变化很快，快到逻辑闸对power/groundplane间的等效电容充放电时，感觉到电流从板子的一端流到此外一端的时间(round-tripdelay)凑近或大于信号的rise/falltime，足以在powerpath形成IRdrop，那就必须把这两平面间的等效电容由lumpmodel转成distributemodel来剖析。板子较小，或信号速度较慢时，平面之间的寄生电容效应能够用lumpmodel就好，此时不需考虑resonance。这就像传输线模型是由lumpmodel转成distributemodel的情况。Fastdriversperceivethepower-and-groundstructureasadistributedobjectwithasignificantdelay.当我们考虑power/groundplane间的等效电容为distributemodel，此时某个IOdrive瞬间，会对驱动信号周围有限半径地区内的powerplane，形成一个有IRdrop波动的电源位准平面，开始了一个resonance的激起源，把这激起源想成像一个水波涟漪般的向周围扩散，当碰到板边时会产生反射，反射信号与原激发信号(SSN)如果相位同相加乘就发生resonance。关于尺寸10~20英寸的板子，谐振频次大概在150MHz~300MHz，这也是为何我们能够靠下(0.1~0.01uF)电容，降低两个平面间的impedance以改良resonance，但这样的解法只能改良power-ground平面间的低频谐振成份，关于降低高频谐振效果不大。要降低两平行板间1~2GHz以上的高频谐振，则需要把dielectriclayer尽可能做薄，或是使用电磁能隙[EBG]构造。但电磁能隙[EBG]构造会使得低频SI与IRdrop特性较差。5.2为何频次会有实部和虚部SIwave的计算结果出现虚部和实部，主假如因为微波理论里面的数学办理--在时谐场的剖析中，各样电磁量都能够用复数表示。在Maxwell'sEquations里面，介电常数项只有实部，表示储藏能量，对应的波常数也只是一个纯虚数；可是如果考虑到各样损耗辐射，也就是能量损耗，在Maxwell方程组里面将损耗并入介电常数里面，并以介电常数的虚部出现，这个时候介电常数成为一个复数Er=Real_er+j*Imag_er，因此计算出来获得的波常数k也就有实部和虚部：虚部和波传输常数有关，而实部和波的振动幅度有关(损耗)。注：k是波流传常数，表示全相位2中有几个波长。是品质因数，表示系统的耗能状态。同时，这个波常数和频次有关，因此计算获得的频次也拥有虚部和实部。在SIwave的结果中，也有k的选项，这项和睦振波长wavelength有关。此外还有值，这个值能够简单经过谐振频次的虚部和实部计算获得。到现在解释所谓的谐振频次的虚部和实部：谐振频次的实部就是我们往常所谓的谐振频次，而虚部和各类损耗有关，并且和模式有关(不同模式的损耗不同样，即便在使用无耗介质，理想金属时。因为这个时候能量的辐射也带来虚部不为0)。在SIwave设计中，一般情况下我们需要关心谐振频次的实部，关心谐振点关于IC模块地点的放置影响；可是如果频次的虚部也很大，那么一般对应的Q就会很小，这个时候您就需要检查一下Layout中是不是有大损耗器件存在或许其他原因。5.3电容的非理想特性影响关于做Pre-simSI的需求来说，输入理想的RLC模型是可用的，但如果要做PI仿真与较正确的Post-sim，那么电容的寄生电感与等效串连电阻值(ESR)都要正确输入。一般地，同种类的电容，封装越小寄生电感与等效串连电阻越小。而一般陶瓷电容与钽电容都应归类在较高频宽的电容，其在频宽的比较是有重叠的。比如10uF钽电容的寄生电感是比10uF陶瓷电容小的。若de-coupling(by-pass)电容模型是理想的，此时只需电容有增加，不论电容的数量或地点，对PITargetImpedance（目标阻抗）的结果影响不大，targetimpedance也很平顺。但如果考虑了寄生电感与串连等效电阻的因素，就能够看出电容的数量或地点，对PITargetImpedance的仿真结果是很有影响的。因为很多电容并联时，寄生电感效应会因为并联而减少，所以看targetimpedance的振荡也变平顺。为了改良resonant所加的电容，对改良PI改良也是有贡献的因此，必须正确地输入PCB中的RLC参数。5.4地平面完整与回流路径连续90%情况下，维持地平面完整与回流路径连续是一致的，但这是两件事。在做SI设计或是降低电磁辐射，是要求做到回流路径连续，而维持地平面完整大部分情况下能够达到回流路径连续的。可是在多层板设计中，即便是参照平面完整，换层走线假如造成参照平面变换，仍旧会造成地回路不连续的，这是需要特别注意的一点。5.5电源目标阻抗大多数数字电路器件对电源波动的要求在正常电压的5%范围之内。电源之所以波动，就是因为实际的电压平面总存在阻抗，这样在瞬态电流经过的时候，就会产生一定的电压降和电压摇动。为了保证每个器件始终获得正常的电源供给，就需要对电源的目标阻抗进行控制，也就是尽可能使其降低。电源分派系统的目标阻抗定义为：VDDRippleZMAXIMAX其中：VDD为要去耦的电源电压等级，常有的有5V、3.3V、2.5V、1.8V、1.2V等；Ripple为允许的电压波动范围；IMAX为负载芯片的最大瞬态电流变化量。由上可知，随着电源电压不断减小，瞬间电流不断增大，所允许的最大电源阻抗也大大降低。随着电源电压的降低以及工作频次的提高，电源目标阻抗设计变得越来越困难。在设计电源阻抗时，不只需要计算直流阻抗（电阻），还要同时考虑在较高频次时的沟通阻抗（主假如电感）。所以受阻抗影响的电源电压波动为：VdropiRLdidt电源完整性往常关心的正是工作器件所承受的实际电源电压波动。