半导体行业研究报告

       半导体行业研究报告：从全球发展历程看半导体投资机遇                       报告综述通过复盘美日韩等产业发展历史，梳理集成电路国产化发展现状， 总结 初级经济法重点总结下载党员个人总结TXt高中句型全总结.doc高中句型全总结.doc理论力学知识点总结pdf 产业“黄金十年”核心逻辑和两条投资主线：一、轻资产（设计）领域：关注全球产业转移和下游客户集群趋势下“农村包围城市”的成长逻辑，重点关注未来具备全球竞争力的细分龙头和国产替代受益标的；二、较重资产（制造/设备/封测类）领域：关注全球核心科技领域分叉变局中加速发展自主可控的“自顶向下”的成长逻辑，优先关注战略龙头品种及高增长产业链配套公司。国内集成电路产业发展任重道远，建议投资人关注长期成长逻辑和国产化时代机遇。以史为鉴，全球产业特点：垂直分工，迁移竞争。集成电路行业具有两大特点：（1）持续的高投入，资金密集、技术密集导致头部集中格局；（2）下游需求领域广泛，与经济周期相关度高。从行业发展历程来看，行业经历“从IDM到垂直分工”的分工细化以及“美-日-韩台-大陆”的规模产业转移。20世纪60年代集成电路产业发源时美国引领行业，20世纪80年代日本在DRAM领域实现对美反超，20世纪90年代个人电脑普及韩国与中国台湾同时产业崛起，21世纪以来中国大陆凭借手机等终端广阔市场和消费电子下游集群迅猛发展。此外，从海外龙头公司发展历程看，注重技术路径升级和快速迭代是优质公司穿越周期发展的核心逻辑。以邻为鉴，国内产业地位：起步阶段，加速追赶。与海外集成电路产业进入成熟阶段不同，国内集成电路产业尚处在发展阶段。（1）设计领域：部分细分领域大陆厂商开始具备全球竞争力，高性能领域国外龙头仍领先。主流的高性能数字、模拟芯片方面竞争壁垒高，中国大陆仅有华为海思进入全球前十；在细分市场（如CIS、TWS、NORFlash、生物特征识别等）领域，中国大陆部分厂商进入全球前三，更多细分领域公司不断涌现，逐步实现“农村包围城市”。（2）制造领域：赢家通吃，任重道远，中国台湾领先，大陆加速追赶。先进制程方面台积电一家独大（2020年全球市场占比53.9%），大陆厂商在规模、盈利能力、技术等方面持续逼近台联电等二线厂商。（3）存储：韩美垄断，中国大陆两项目加速突围。存储产业韩国厂商最领先，持续资本投入和技术快速迭代是关键，国内重点关注长江存储、长鑫存储等。（4）封装：发展较快，国内差距相对较小。IC集成化、小型化、多引脚等需求推动先进封装工艺融合发展。国内传统封装具备规模优势，先进封装与国际差距相对较小。（5）设备材料：美日欧领先，国内部分细分领域突破。半导体设备产品验证周期较长，目前国内制造产线国产设备率约10%，目前呈加速提升态势；材料细分类型众多，在大硅片等领域实现突破。从海外经验谏言国内产业发展和投资策略。从海外经验观察，中国半导体处在奋起追赶的发展黄金窗口期，产业发展任重道远。应尊重行业发展客观规律，创造良好的基础教育以及创业、经营环境，避免急功近利。从细分行业看：（1）制造等领域：应学习国外经验持续逆周期投资，中长期看好国内龙头企业。制造、设备材料、封测类公司重资产属性强，需要长期资金投入，全球龙头稳固，需经历较长时间追赶，类比海外经验，此类领域需集中资源扶持加强产业扶持，并不单纯从盈利角度衡量得失。应当重点关注产业基金扶持的龙头企业，对此类产业投资适合中长期持有。（2）设计等轻资产领域：应学习友邦经验，利用大陆消费电子等产业集群优势“良性内循环”，鼓励终端厂商使用国产芯片；以市场导向，合理扶持，避免过度保护，维护国内公司公平竞争实现优胜劣汰和快速发展。预计IC设计仍将是中国未来10年成长最蓬勃的半导体领域，下游需求将显著提升且催化国产替代明确需求。从市场充分良性竞争中诞生的设计公司更具备活力和长期生命力，应鼓励下游积极推进国产化替代，引导良性市场竞争，避免过度扶持。投资角度建议重点关注具备全球竞争力的细分市场龙头公司。以史为鉴：美日韩台产业转移，发展启示各不同近三十多年来半导体行业竞争格局出现了显著变化。我们统计了ICinsights所公布的历史半导体企业Top10榜单，榜单可以体现出全球半导体市场格局的更替：美国厂商自始至终都在榜单中占有重要地位；日本厂商在1985年占10家中的5家，但到2020年已没有日本厂商上榜；1985年榜单中并没有韩国厂商出现，但随后的三十多年间以三星为代表的韩国企业排名不断提升；中国台湾的台积电在2016年~2020年也出现在榜单之中。当今各国半导体产业分别在如下领域具有优势：美国在IC设计、制造、设备方面具有优势。IC设计方面，美国众多创新核心公司如高通、博通、英伟达、苹果等把控了产业的顶端，同时拥有英特尔、美光科技、德州仪器、安森美等IDM厂商，在设备方面拥有应用材料、拉姆研究、科天、泰瑞达等头部厂商。韩国在制造领域具有优势，主要体现在存储芯片、晶圆代工等方面，代表厂商有三星电子、SK海力士等。中国台湾在晶圆代工、设计、封装测试领域具有优势，代表厂商有台积电、联电、联发科、日月光等。日本及欧洲主要在材料和设备、汽车电子领域具有优势，代表厂商有SUMCO、东京电子、ASML、瑞萨电子、意法半导体、恩智浦等。纵观集成电路行业发展历史，全球已发生两次大规模产业转移，给予我们不同的发展启示：20世纪50年代，美国为集成电路产业发源地，是行业传统领导者。1947年晶体管诞生于美国，1958年集成电路诞生，硅谷孵化了众多早期半导体公司。美国长期保持领先的主要原因为：（1）长久的技术积累和持续的技术研发树立壁垒；（2）游戏规则、框架、 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 的制定者，主导行业发展方向；（3）持续产业并购，巩固领先地位。第一次产业转移，20世纪70年代，集成电路制造由美国向日本转移。DRAM存储器是日韩产业发展的重要切入点，20世纪70年代，以英特尔为首的美国厂商是DRAM领域的霸主，20世纪80年代日本在DRAM领域实现对美国的反超，份额一度达到80%，实现超越的主要原因为：（1）产官学结合的集中式技术研发；（2）低价质优的市场竞争策略。但20世纪90年代起日本DRAM份额一路下滑，2000年后份额已不足20%，走向衰落的主要原因为：（1）日美贸易战下政府妥协签订的相关半导体协定带来恶劣发展环境，且政府后期降低产业支持；（2）对下游及产业模式转变缺乏敏感度，无法适应下游市场的快速变化，错过个人电脑及互联网大发展，被韩国厂商逐步超越。第二次产业转移，20世纪90年代个人电脑普及，韩国与中国台湾同时产业崛起。以DRAM存储器为契机，产业转向韩国三星、海力士等厂商；晶圆代工制造则在中国台湾兴起，台积电、联电等厂商崛起。韩国产业崛起的主要原因为：（1）政府制定详尽的发展纲领并以资金支持；（2）资本雄厚的财阀进行持续的逆周期投入。中国台湾代工行业崛起的主要原因为：（1）抓住全球化浪潮开辟全新代工商业模式，积极参与全球分工；（2）海外人才回归带来技术能力突破。21世纪10年代开始，智能手机、移动互联网爆发，物联网、大数据、云计算、人工智能等产业快速成长。人口红利、终端需求正在带动半导体第三次产业转移。下面我们将分地区探究各自集成电路产业的历史发展路径，并总结发展规律和启示。美国：产业发源地，标准制定者，技术领先铸就护城河美国半导体产业现状：设计、制造、设备、软件具备领先优势美国在数字芯片和模拟芯片设计方面领先。高端数字芯片方面，CPU是占主导地位的通用数字芯片，英特尔和AMD这两家美国公司长期垄断笔记本电脑、台式机和服务器的CPU市场；GPU长期以来一直被用于图形处理，近些年已经成为训练人工智能算法最常用的芯片，美国垄断了GPU的设计市场，英伟达和AMD这两家美国公司主导着独立GPU市场，英特尔也在开发独立GPU。美国公司几乎占领了整个FPGA设计市场，主要公司包括赛灵思、Altera（英特尔收购）、Lattice等。模拟芯片设计方面，美国德州仪器产品覆盖范围最全，2019年市场份额约20%，其次为美国ADI公司。2019年半导体设计公司排名中，前十名有六家为美国公司，中国大陆仅有华为海思上榜，但目前仍受美国制裁。半导体制造方面，美国具有一流梯队领先优势。英特尔的10nm节点芯片规格可与台积电的7nm节点芯片竞争；GlobalFoundries作为晶圆代工厂，具备12nm特征尺寸先进节点；德州仪器、ADI、美光等公司以IDM模式为主，具备领先的模拟芯片、存储芯片制造能力。半导体设备方面，美国厂商具备传统优势。应用材料在薄膜沉积、刻蚀、离子注入具备领先地位；泛林在薄膜沉积、刻蚀领域具备领先地位；科天在检测、量测设备处于领导地位。EDA工具以及核心IP仍然由美国占主导地位。在芯片EDA设计工具方面，美国Cadence和Synopsys占有重要行业地位，自1991年开始美国Cadence已连续在国际EDA市场中销售业绩稳居第一（中美贸易争端中Cadence曾停止对中兴的服务）。此外，专注于核心嵌入式处理器IP的ARM公司（总部位于英国而被日本软银拥有），目前正在出售给美国英伟达（进程中），ARM架构的CPU内核是世界上大多数智能手机处理器的基础，该交易若通过监管机构审查，将扩大美国在核心IP领域的领先优势。美国半导体产业是如何发展的：从实验室和硅谷风险投资到全球产业巨头20世纪40至50年代半导体从实验室走出，产业发源于美国。1947年美国贝尔实验室的肖克利等人发明了世界上第一个点接触型晶体管；1952年德州仪器涉足半导体业务；1955年硅谷成立第一家半导体公司肖克利实验室，1957年肖克利实验室出走的八位核心成员建立了仙童半导体（Fairchild）；仙童半导体为硅谷奠定了行业基础和风险投资的创业模式，后续多家知名半导体公司均从仙童半导体走出。20世纪60年代，英特尔、AMD等公司成立，硅谷风险投资的创业模式兴起。1959年集成电路发明，1968年来自仙童半导体的罗伯特·诺伊斯、高登·摩尔、安迪·葛洛夫共同创立了英特尔公司，1969年来自仙童半导体的杰里·桑德斯创办了AMD公司。美国早期半导体公司诞生时期，大多是从实验室中走出投入商业化，均采用设计制造封装一体的IDM模式，其优点在于内部资源整合优势，从IC设计到制造所需时间较短，同时市场参与壁垒也非常高，得以快速成长并进行资本、技术积累。这些企业现今依旧是半导体行业中的传统龙头。20世纪70~80年代个人电脑问世，带动处理器和DRAM逐步成为主力产品。美国军事及航天计划的需求为半导体提供了最早的市场，20世纪70年代，美国集成电路企业近一半的产品被军工部门所购买。1971年，英特尔推出了全球第一个微处理器4004，1978年，研制出16位8086处理器，从此成为个人电脑的标配。20世纪80年代，面对日本厂商在DRAM市场日益激烈的竞争，英特尔停止DRAM内存业务，专心聚焦处理器业务。下游需求的扩张带动行业进入快速成长期。20世纪90年代，多媒体和移动通信需求兴起，产业分工日趋完善，众多Fabless厂商崭露头角，如英伟达、高通等。伴随着台积电等晶圆代工厂的兴起，20世纪80年代~90年代成立的半导体公司多为Fabless模式。例如英伟达面向新兴的多媒体显示技术推出GPU芯片，而高通则面向移动通信需求，成为日后的移动处理器和基带龙头厂商。21世纪10年代，云计算、人工智能、物联网等成为风口，半导体巨头纷纷并购整合布局，呈现“强者恒强”态势，亦出现终端云端厂商跨界涉足芯片设计。这部分我们在下一章节进行阐述。美国巨头如何保持领先性：行业标准制定、持续研发投入、持续产业并购英特尔发展启示：伴随PC时代成长，游戏规则制定确立领军地位。英特尔创始人为技术出身，以研究开发为导向，成为技术领先龙头。英特尔创始人之一高登·摩尔于1968年提出摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这预测了集成电路产业发展将每年成倍以指数形式增长。1970年英特尔推出第一片DRAM，1971年英特尔推出SRAM、EPROM和第一片商用微处理器4004。1980年IBMPCXT问世，此后微型计算机发展迅猛，IBMPC的崛起使得Wintel（Windows+Intel）模式占据PC时代市场半壁江山，英特尔采用的x86指令集成为PC标配，英特尔也积极主导制定PC行业各类行业标准，使其在PC中核心地位长期难以动摇，造就了英特尔长期的CPU霸主地位。高通发展启示：伴随移动互联时代崛起，凭借标准制定构建壁垒。高通公司（Qualcomm）于1985年成立，由前麻省理工学院（MIT）教授艾文·雅各布联合另外六个合伙人，在圣地亚哥成立，公司名字其实是QualityCommunication的缩写，意为提供高质量通信。高通公司的起步来自于在CDMA技术上不断游说世界各地政府、企业以及学术研究人员，使得CDMA技术在1993年7月成为了全球标准，1999年，国际电信联盟将CDMA技术选做3G技术的背后标准，使得高通在行业中的地位被拔高。凭借着核心技术、海量专利以及政府后盾，高通站在整个行业的金字塔顶端，任何需要使用CDMA技术的厂商都必须要向高通支付专利费，高通也通过更多的研发来构筑起专利墙。另一方面，高通布局芯片设计领域，2007年11月，高通正式推出了第一款被冠以骁龙名号的产品QSD8250，也是第一款主频达到1GHZ的移动设备处理器，最终用在了索尼爱立信的XPERIAX10、谷歌的NexusOne以及HTCDesire等经典机型上。后续芯片MSM8260被当时的小米手机一代所采用。为了更好地进行市场宣传工作，高通将旗下的芯片重新划分为200、400、600以及800系列，目前旗舰安卓手机大多需要采用高通芯片。由此高通形成了技术许可（QTL）和半导体芯片（QCT）两大业务。保持技术领先，美国半导体厂商大量研发投入铸就护城河。根据ICInsights统计，全球半导体公司研发费用投入前十名中美国公司占据5家，其中2019年英特尔研发费用高达133.62美元，研发投入占营收比例18.57%，高通达53.98亿美元，研发投入占营收比例22.24%。同时根据欧盟委员会于2019年公布的全球公司研发投入排名来看，英特尔公司位列全球第六位。雄厚的技术基础，叠加持续的研发投入带来正反馈效应，使得美国半导体产业强者恒强，稳居全球产业霸主地位难以撼动。持续产业并购，巨头看准产业方向利用资本外延扩张，实现“强者恒强”。21世纪10年代，云计算、人工智能、物联网等成为风口，美国半导体头部厂商并购频发，是快速扩张份额或进入新市场领域的重要手段：如2006年AMD收购ATI进入显卡GPU领域，成为唯一一个兼具CPU和GPU能力厂商；2011年德州仪器收购国家半导体，坐实模拟芯片龙头地位；2014年高通收购CSR获得蓝牙芯片技术，布局物联网与博通竞争；2015年Avago收购博通合并成立新博通，强化物联网芯片平台竞争力；2015年英特尔收购Altera，涉足FPGA布局云计算；2016年Microchip收购Atmel，爬升至MCU市场前三；2017年英特尔收购Mobileye，布局自动驾驶等。另一方面，出现终端厂商或云端厂商跨界涉足芯片设计，如苹果公司于2010年发布的iPad和IPhone4开始采用自研的A4芯片；2016年谷歌公司发布了其用于人工智能和机器学习的TPU芯片。日本：技术研发+市场化实现上世纪80年代迅速崛起日本半导体产业现状：设备、材料领域具备全球竞争力日本半导体公司在设备、材料领域具有较强优势。日本的半导体制造产业在20世纪80年代辉煌一时，在21世纪逐步衰退，目前留存的头部厂商主要针对NANDFlash、CIS（CMOS图像传感器）、汽车电子、功率分立器件等细分品类，在高端数字电路方面涉足不多。而半导体设备材料厂商由于良好的工业基础和持续的技术积累，至今仍在全球市场占据非常重要的地位。半导体设备方面，据Gartner的数据显示，规模以上全球晶圆制造设备商共计58家，其中日本企业最多，达到21家，占36%。其中头部厂商东京电子在刻蚀、薄膜沉积、匀胶显影等产品有较高份额。爱德万在自动测试设备、迪恩士在清洗设备均具有较强竞争力。半导体材料方面，据SEMI推测，日本企业在全球半导体材料市场上所占的份额达到约52%，而北美和欧洲分别占15%左右。日本企业在硅片、光刻胶、键合引线、模压树脂及引线框架等重要材料方面占有极高份额。硅片行业CR5为92%，形成寡占的竞争格局。其中，两家日本厂商份额合计52%。光刻胶方面，日本厂商东京应化、JSR、住友化学、富士胶片分别占据27%、13%、12%、8%份额。电子特气方面，日本厂商太阳日酸占据18%份额。抛光液方面，除美国卡博特、陶氏以外，日本日立、富士等全球领先。日本产业如何崛起：政策引导集中资源研发，质优低价构筑市场竞争力日本半导体产业兴起核心源于集中技术研发+高度市场化竞争，从追随美国到快速超越。日本半导体产业发展大致经历四个阶段：（1）20世纪60年代，技术引进期。冷战期间，为对抗苏联美国开始了对日本的大规模援助，由此日本以极低廉的价格获得了美国大量技术授权，其中就包括晶体管的技术。美国于1962年对日本开放当时最先进的集成电路平面制造工艺技术，日本的NEC公司从美国仙童半导体公司获得了集成电路批量制造的技术授权，在日本政府主导下，NEC又将技术开放给了三菱、京都电气等公司，由此形成了日本半导体产业雏形。早期的设备材料也多进口自美国，并逐步成立合资公司开始设备国产化：1967年，日本电气与VarianAssociates公司成立合资企业，开始在日本开发生产自动铝线真空镀膜设备以及溅射装置等；日立制作所在1968年研究开发离子注入设备。（2）20世纪70年代，自主发展期。在政府引导下日本成立了VLSI联合研发体，汇聚全国人才，产官学合作共同研发，项目实施4年期间共获得1000多项专利，后期技术研发已快于美国，在此阶段日本半导体设备国产化进程同时加快。1976年日本通商产业省从所属电子技术综合研究所遴选出具备对IC从设计、生产到测试全过程的综合知识和协调能力的半导体专家，由他们牵头组织日本最大的五家计算机企业富士通、NEC、日立、东芝和三菱电机组成了“超大规模集成电路技术研究组合”，其最主要目标是开发为制造最先进的VLSI存储芯片、特别是64K和256K动态随机存取存储器（DRAM）所必需的基础技术。1K的DRAM和4K的DRAM是美国最先于1970年和1972年研制出来的，16K的DRAM是美、日同在1976年研制出来的，64K的DRAM（包含约15万个元件，已属VLSI超大规模集成电路产品）是日、美分别在1977年和1979年研制出来的（市场占有率最大的厂商是日立，意味着日本比美国早两年进入了VLSI时代），256K的DRAM是日、美分别在1980年和1982年研制出来的（日本又比美国早了两年，市场占有率最大的厂商是NEC），1000K（即256K的约四倍或100万位）的DRAM则是由日本半导体企业在1984年率先研制成功（市场占有率最大的厂商是东芝）。在1976年到1979年为期四年计划中，研究开发费用总额为737亿日元，政府补助金291亿日元，占总额的39.5%。（3）20世纪80年代，实现赶超期。20世纪80年代初，随着美国等发达国家计算机行业的发展，对DRAM的需求快速增长。由于日制DRAM在设计和工艺技术方面领先，在产品质量、价格和交货时间方面均获得很高评价，许多美国电脑制造商也开始采用日制DRAM，导致80年代日制DRAM在全球市场中所占份额不断上升，1982年超过美国，1987年达到顶峰（80%）。到了1989年，日本芯片在全球的市场占有率达到53%，超过了美国的37%。（4）20世纪90年代，进入衰退期。1985年美国针对日本半导体产业发起第一次301调查，于1986年达成第一次半导体 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，要求日本扩大外国半导体企业进入日本市场，并监控日本半导体价格情况。1987年美国再次指责日本向第三国倾销并征收100%惩罚性关税，于1991达成签订第二次半导体协议，要求日本承诺使美国在日本半导体市场份额提升至20%。两次日美半导体协定的签订使得日本半导体厂商原来具有的价格优势丧失，市场份额逐渐受到韩国及中国台湾新兴厂商的侵蚀。20世纪90年代，日本DRAM竞争力下滑，相关设备开始转卖给韩国、中国台湾企业。2001年，日本东芝宣布退出通用DRAM领域，主攻NAND闪存，开展SoC研发。此时受数码相机、音乐播放器等电子产品促进需求，NAND闪存成为日本半导体产业新支柱。2000年以后，日系厂商普遍整合、逐步淡出半导体业务。当前日本仍掌控设备、材料上游领域。尽管日本在芯片设计制造领域失去昔日霸主地位，在上游设备和材料领域依旧占据优势。日本半导体设备、材料材料厂商在20世纪80年代跟随其设计、制造环节崛起，由于上游市场相对更为稳定，且长期量产积累了较充足的产品经验，并未跟随下游终端市场的变化而发生衰退。目前日本设备、材料行业仍然在全球具有较强竞争力。日本产业兴起的启示：政府引导集中资源重视研发，大规模投资生产参与全球竞争。（1）集中研发高投入，从国外引进到自主研发密切结合。日本早期引进美国技术，并在20世纪70年代由政府引导成立VLSI联合研发体，进行产官学结合的集中式技术研发。（2）参与市场化竞争，成本质量优势取胜。日本20世纪80年代半导体崛起一方面是官产学集中研发DRAM，另一方面通过集中研发后规模化的成本优势快速渗透美国市场，且质量高于美国产品。（3）下游需求潮流带动产业的发展。日本半导体产业兴起正值大型机时代及家电兴起，日本家电的快速发展的需求带动了半导体的发展。日本产业后期为何衰落：贸易战后政府妥协，迭代过慢错过PC发展时代（1）外部原因：日美贸易战下签订相关半导体协定带来恶劣发展环境日美贸易战自50年代持续至70年代，范围涵盖多个制造类行业。日美贸易战总体行业范围较广，六大行业贸易战先后涉及纺织品（50~70年代）、钢铁（70~90年代）、家电（70~80年代）、汽车（80~90年代）、电信（80~90年代）和半导体行业（1978~1996年），涉及行业的演进与日本从轻工业、重化工业、高科技产业的不断升级同步。贸易战的方式从早期的日本“自愿限制出口”到不得不接受扩大进口、取消国内关税、开放国内市场、对出口美国的产品进行价格管制、设定美国产品在日本市占率指标等条件。日本为受到美国“301调查”最多国家，被迫多次签订贸易协议。1982年，日美两国政府在高科技工作小组框架下达成协议，日本政府承诺减少企业的价格倾销、保护美国企业的知识产权和专利技术，推动日本企业购买美国的半导体产品。美国1985年主导“广场协议”，日元被迫大幅升值。1988年美国启动“超级301条款”。“301条款”是美国基于国内法对外国损害其利益的行为采取单边制裁的条款。根据USTR统计，1975~1997年间美国共发起了116起调查，其中对日本发起16起，日本是美国发起“301条款”调查案最多的国家。在长期的贸易摩擦中，美国将“301条款”作为重要的谈判工具，迫使日本接受了自愿出口限制、开放国内市场以及改革国内经济结构等协议。1985年美国针对日本半导体产业发器第一次301调查，于1986年达成第一次半导体协议，要求日本扩大外国半导体企业进入日本市场，并监控日本半导体价格情况。1985年美国半导体工业协会提出申请，指责日本在半导体领域存在市场准入障碍。USTR于1985年6月开始调查，1986年6月两国达成半导体协议，调查终止。1986年签订的半导体协议为期五年，主要包括两个内容。（1）日本政府须支持协助外国半导体厂商进入日本市场。要求日本政府成立支持或协助外国半导体生产者在日销售的专门机构，意在加强日本消费者与外国半导体生产者的沟通和了解。（2）日美政府监控半导体产品价格。要求日本政府监督协议指定对美出口产品的成本和价格，而美国政府拥有随时开启反倾销调查的权利。在这一机制下，日本企业必须将指定产品的成本、出口价格等信息按一定程序提交给通商产业省，通商产业省基于本国法律对低于成本价格的出口产品采取相应措施。这意味着日本的半导体存储器生产被剥夺了经营的自由，完全置于日美两国政府的监视之下。1987年美国再次指责日本向第三国倾销并征收100%惩罚性关税，于1991达成签订第二次半导体协议，要求日本承诺使美国在日本半导体市场份额提升至20%。1987年3月，美国以外资系半导体产品进入日本市场不充分和日本产半导体产品在第三国倾销为由，指责日本没有遵守协议，继而对日本微型计算机等300亿美元的相关产品征收100%惩罚性关税。1989年美国进一步迫使日本签订《日美半导体保障协定》，开放日本半导体产业的知识产权、专利。1991年日美签订五年期的新半导体协定，其中规定日本政府承诺美国半导体产品在日本的市场份额提升至20%，美国则放弃了第三国倾销指责。1996年，在日本半导体市场份额已出现衰退后，日美签订了一个为期三年的半导体协议，其中未规定任何数量目标，将成本及价格收集、分析的工作交由世界半导体委员会（WSC）负责。美国则在贸易战期间集中推动半导体技术的研发。1987~1988年，在美国国防部高级研究计划局的资助下，14家在美国半导体制造业中居领先地位的企业组成并开始运作“半导体材料技术联盟”（Sematech），其宗旨是解决美国半导体企业的共同的制造技术课题（如研发极紫外光刻用的光掩模、光刻胶，以及半导体器件的结构、测试、制造等方面的先进技术），以恢复在20世纪80年代中期被日本半导体企业超过的美国半导体产业竞争力。两次日美半导体协定的签订使得日本半导体厂商原来具有的价格优势进一步丧失，国内市场则遭受外国厂商人为冲击。由于日美政府须对日本产半导体产品价格监控，日本企业丧失了自主的市场自由定价权，其半导体产品价格优势丧失。由于日本向美国承诺美国厂商获得20%市场份额，进一步冲击了日本厂商在国内市场的发展。对于日本半导体企业而言，多项协议条款叠加带来了恶劣的国内外市场环境。进入20世纪90年代以后，日本政府逐渐降低了对日本半导体产业的支持。通过对比日本、韩国和中国台湾对半导体产业的扶持情况可以发现，即便是到了2008年，经过一定程度的改善，日本对半导体产业的扶持力度仍然远远小于韩国和中国台湾，中国台湾和韩国在企业所得税比例、设备折旧的年限和设备投资免税等方面的支持力度都比日本要大得多。主要原因一方面是政府认为日本半导体产业已经实现了赶超美国，能够离开政府的扶持独立发展，这也与日本一贯的产业政策思路相一致，同时日本政界左翼势力抬头，认为这些优惠措施只便宜了大企业，造成社会不公。另一方面，美国的制裁压力和泡沫经济破灭的影响，使得政府还是民间大幅降低了投资的热情和能力。启示：半导体行业特点研发窗口期短、产品迭代快，具有先发优势的企业“赢家通吃”非常明显（尤其是重资产企业），因此“自顶向下”的长期政策支持显得尤为重要。例如英特尔在20世纪80年代初的短短几年时间垄断了个人电脑微处理器市场，友商在很长一段时间很难超越。缺乏政府的大力支持，半导体企业（尤其制造类）很难靠自身力量克服产业周期，实现连续巨额的技术和设备投资。日本政府支持不利，是日本半导体产业被新兴国家和地区超越的一个重要原因。（2）内部原因：研发各自为战，对下游及产业模式转变缺乏敏感1976~1979年间日本政府启动VLSI（超大规模集成电路）联合研发项目，五家企业共同开展研发，促成了快速赶超。1976年日本通商产业省从所属电子技术综合研究所遴选出具备对IC从设计、生产到测试全过程的综合知识和协调能力的半导体专家，由他们牵头组织日本最大的五家计算机企业富士通、NEC、日立、东芝和三菱电机参与。项目总资金规模达730亿日元，政府出资290亿日元，日立、日本电气（NEC）、富士通、三菱、东芝五大公司共同出资440亿日元。该研发项目成功提前于美国研制出64K至256KDRAM芯片，实现了相对于美国的赶超。80年代至90年代日本五大企业各自为战，彼此之间造成消耗。1980年代，日立、日本电气（NEC）、富士通、三菱、东芝均位于全球半导体企业前列，而VLSI联盟合作则与1979年结束，日本各大半导体企业之间总体不再开展类似VLSI的大规模联合研发项目。实质上VLSI项目为各家参与企业提供了必要的技术工艺能力基础，包括专利技术的共享等，而后续的商用产品仍然由各家独立推出，并相互在国内和国际市场上竞争。1987年美国政府则联合英特尔为首的13家半导体公司启动了SEMATECH计划，此计划帮助美国半导体产业在1995年重回世界第一。此计划一方面是集中研发，减少重复浪费，并在半导体行业内共享研发成果，为企业减轻负担；另一方面是把半导体制造技术模块化，使设计与制造分离成为可能，促进了资金规模较小的芯片设计行业大发展。在日本半导体行业逐步衰落后，日本半导体厂商回归了联合的思路，1999年日立与NEC为避免两败俱伤，联手成立了尔必达公司，欲通过强强联手来渡过难关；2003年该公司又吸收了三菱电机的存储器部门，而富士通公司和东芝公司则分别于1999年和2001年退出了通用DRAM产品市场。对下游需求和商业模式更迭缺乏敏感，错过个人PC及互联网大发展，错过分工式产业模式转变。日本自身体制僵化主要体现在面对市场需求变化和生产模式变化两个方面。（1）对市场潮流的变化缺乏前瞻，不能灵活应对需求。市场潮流由大型计算机逐步转向个人计算机。1977年苹果推出个人电脑AppleII，1981年IBM发布IBM-PC，拉开个人计算机时代序幕。20世纪80年代中期，全球计算机市场由大型机向个人计算机转变。在存储器（尤其是DRAM）领域，日本厂商善于精研技术，管理复杂流程，能够在同等技术条件下把产品做得精益求精。但是，随着半导体产业不断向前发展，之前日本厂商擅长的、以大型机为主的一元化市场逐渐转型，特别是90年代以后DRAM的用途变得非常广泛，怎么做产品变得相对不是那么重要，而做什么产品变得越来越重要。遗憾的是日本厂商没有深刻把握这样的产业发展脉络，仍然顽固坚持以往的开发模式，执着于自己企业的设计、细节处理，产品标准化进程缓慢，无法适应下游市场的快速变化。（2）对生产模式的变化缺乏敏感，顽固坚持原有的一体化生产模式。美国SEMATECH计划造成了整个半导体产业生态的变化，令习惯于自己做全产业链并且各自为战的日本各大综合电机厂商在竞争中优势不再，同时，日本厂商经营理念封闭，不能与时俱进的缺点也在此时暴露无遗。中国台湾厂商则借助这种商业模式的转化，成功涌现出台积电、台联电等优秀的代工制造企业。韩国：政府支持+逆周期持续投入成就现今存储霸主韩半导体产业现状：两大核心企业，确立存储器产业霸主韩国半导体产业主要有两家支柱企业：三星电子、SK海力士，主要业务领域集中于存储器、CIS（CMOS图像传感器）、数字芯片设计和代工。部分配套的设备、材料环节公司也与两大集团具有密切联系，如韩国最大的半导体设备公司SEMES为三星子公司；韩国最大的半导体硅片公司SKSiltron原是LG旗下制造硅片的专门企业，2017年1月，SK集团收购了LGSiltron51%的股份，并将其更名为SKSiltron。DRAM市场格局三分天下，韩国企业占七成份额；NANDFlash前六家厂商份额98%以上，韩国企业占四成以上。DRAM份额由三星、SK海力士、美光三家瓜分，CR3达94.5%。NANDFlash份额由三星、铠侠（原东芝存储）、西部数据、SK海力士、美光、英特尔六家占据，CR6达98.5%。可见韩国厂商在DRAM、NANDFlash两大类存储芯片产业地位突出。韩国半导体产业如何崛起：政府政策支持和财团逆周期投资政府政策先行，推动产业快速发展。韩国半导体产业发展具有明显的政府和财团主导特点，发展大致经历四个阶段：（1）起步：韩国半导体产业发端于1965-1974年，最早作为美日半导体厂商投资为主的组装基地开始起步。利用韩国廉价劳动力的来料加工模式。产品主要为记忆芯片、二极管三极管。（2）发展：20世纪70年代，由于韩国电子企业严重缺乏自主技术，政府制定施政纲领，强调获取半导体技术能力的重要性。韩国陆续从美国和日本获得半导体工业所需技术。（3）追赶：20世纪80年代，政府强力干预，韩国半导体产业飞速发展。选择DRAM作为发展重点。三星、现代、LG参与DRAM为主的大规模芯片生产。1986年进入存储器自主研发。（4）超越：1999年后三星成为韩国第一大集团，韩国DRAM市占率超过日本。持续大量投入，促成产业实现超越。20世纪80年代末，韩国政府推出扶持半导体产业的十年规划，以每年递增25%的速率对半导体开发进行持续投入。1993年，为开发256MDRAM芯片，政府出面成立研究小组，官私共同投资2.2亿美元。1994年，韩国三家公司跻身世界半导体公司投资top10：三星电子设备投资15.44亿美元，居世界第二位，仅次于英特尔公司；现代公司设备投资6.95亿美元，居第六位；金星公司设备投资5.95亿美元，居第十位。三星依托DRAM逆周期投资迅速崛起。历史经验来看，三星DRAM业务依托政府背书稳居龙头地位。20世纪80年代DRAM市场景气不佳，到1986年底，三星半导体累计亏损达3亿美元，尽管美日多家公司缩减产能或退出市场，三星仍依靠政府的扶持进行逆周期投资。2000-2010年间，三星电子从韩国政府获得的税收减免共计约87亿美元。从三星的经验来看，集成电路产业需时以十年计，数以每年千亿计的高投入，而国内刚刚站在投入起点。（1）时间跨度上长达十年以上。三星半导体业务从上世纪80、90年代起持续由政府扶持进行投资，近十年来，三星半导体资本支出稳定处于高位。（2）资金量每年千亿计。三星、英特尔、台积电近五年Capex均超100亿。我国国家集成电路产业投资基金一期于2014年成立，五年投资资金约1387亿人民币，国家集成电路产业投资基金二期于2019年成立，我们预计五年投资规模达2000亿人民币。中国台湾：政策培植，开辟代工模式重塑全球产业链中国台湾半导体产业现状：晶圆代工霸主地位难以撼动，强者恒强制造环节带动设计、材料等环节成熟，当前中国台湾已形成晶圆代工、IC设计、封装测试、材料设备等一系列产业链。中国台湾头部半导体厂商大多在20世纪80年代至90年代间陆续成立。1995年，联电由IDM转型晶圆代工,将旗下IC设计部门分拆出去，成立联阳、联杰、联发、联咏、联笙五家IC设计公司。其中联发科从CD-ROM芯片组起家，后来转进手机芯片，在山寨机风潮下获得丰硕的成果，目前已经是全球前十大IC设计厂商；联咏亦凭借面板驱动芯片产品，跻身全球前十大IC设计厂商。当前中国台湾半导体产业链已涵盖设计、制造、封测、材料设备等全产业链环节。台积电在晶圆代工市场已获得50%份额，高壁垒驱动晶圆代工行业集中度提高。根据Trendforce，2020年中国台湾台积电在全球晶圆代工厂中一骑绝尘，市占率达53.9%，韩国三星电子达到17.4%，其余厂商市占率在10%以下。先进逻辑工艺目前已经走到5nm节点，先进节点开发仅余台积电、Intel（IDM模式）、三星（IDM+代工模式）三家，格罗方德、联电均宣布退出先进制程开发，随着制程的缩小，晶圆制造厂投资金额呈指数式增长，庞大的资金压力加速无竞争力晶圆厂关闭。预期未来能成功过渡到更先进制程节点上企业会逐渐减少，市场份额会持续向寡头大厂集中。先进制程趋势推动晶圆代工行业技术、设备、资金壁垒不断增加，晶圆代工呈现强者恒强趋势。（1）技术壁垒：光刻技术、新材料和新工艺、新结构、工艺误差、工艺集成技术挑战不断增加。（2）设备壁垒：全球只有ASML生产的NXE3400系列是唯一支持7nm及以下工艺的EUV光刻机，单台机器价值约1.2~1.5亿美元，ASML产量有限，与台积电、英特尔等厂商关系紧密。（3）资金壁垒：根据ICInsights数据，5万片/月产能的130nm工艺8英寸（200mm）厂需要约14亿美元投资，12英寸（300mm）厂需要24亿~125亿美元，越先进制程投资代价越高。中国台湾产业如何崛起：商业模式抓住产业分工机遇，重视头部企业的带动作用初期由后段切入，台积电开辟纯晶圆代工模式。纵观中国台湾半导体发展历史，初期起步阶段政府支持与研发主导是主要因素，随后市场化开辟代工新商业模式促进了中国台湾半导体产业的腾飞：（1）20世纪60年代，外资主导的资金引进期，IC封装制造为中国台湾半导体产业切入点，1965年高雄建立加工出口区，极大地促进了中国台湾的出口导向性经济发展模式，由于中国台湾的廉价而训练有素的劳动力，Microchip、德州仪器、飞利浦、摩托罗拉等欧美企业开始在高雄设封测厂。（2）20世纪70年代，政策主导的上游技术引进期，以工研院电子所为主导，政府确定了从海外引进技术发展半导体的计划，出资350万美元，派遣40多位研究人员去美国无线电公司（RCA）学习，全套引进技术，电路设计、光罩制造、晶圆制造、包装与测试技术。（3）20世纪80年代，本土企业培植期，1980年，工研院电子所成立了联华电子，政府主动投资占股70%，民企占30%，为中国台湾首家半导体公司。1987年，台积电成立，张忠谋开辟纯晶圆代工新模式。1995年，台联电由IDM转型晶圆代工。逐步形成上游IC设计，中游代工制造，下游封装测试的产业格局。（4）21世纪，伴随移动终端需求，产业腾飞。台积电的晶圆代工模式实际更具备规模效应和技术平台优势，有利于抓住新兴客户需求，共同成长。2010年后，伴随着以iPhone为首的智能手机崛起，台积电抓住了苹果公司等大客户机遇，在移动终端时代分享了行业快速增长的红利，并由此成为行业龙头，得以挑战英特尔行业地位。台积电的崛起也相应为本土设计公司成长提供了良好土壤，并带来封测、设备、材料环节的协同成长。中国大陆：产业转移和客户集群优势，“黄金十年”时代机遇产业现状：十年维度自主可控，集成电路国产化仍存巨幅缺口市场需求牵引形成巨幅缺口，集成电路亟待国产崛起。根据海关总署数据，2020年中国集成电路进口金额达3500.36亿美元，同比增长14.6%，首度突破3500亿美元。2015年起集成电路超过原油连续六年占据我国进口商品第一大品类，2020年占我国进口总额的17.03%，同比增加2.33pcts。大量的进口依赖表明我国集成电路需求庞大，国产替代空间巨大。另一方面，集成电路产业已成为经济和社会发展的先导性和支柱性产业，没有芯片就没有安全，我国发展集成电路自主可控的意愿极为迫切。国内集成电路产值CAGR预计13.7%，自给率不足16%。根据ICInsights，2020年中国集成电路自给率为15.9%，预计2020年到2025年中国集成电路产值CAGR为13.7%，市场规模CAGR为9.2%，由此测算到2025年自给率为19.4%，仍然较低。由此可见实现自主可控是以十年计的长期过程，预计国内集成电路行业将长期保持较高成长性，板块具备相对活跃的基础。早期探索：国家主导集成电路发展奠定早期基础上世纪六十年代左右，中国大陆已经形成半导体工业体系雏形。以中科院半导体所为代表的大批研究机构+全国建设数十家电子厂形成了当时中国半导体工业体系雏形。同时期日本在美国扶持下，通过官产学联合形式，引进美国技术，建立了初步半导体工业体系。八十年代，国内电子产业遭受猛烈的外部冲击。八十年代中国电子企业均为国营，由经营困难无法支撑研发，只能引进国外落后淘汰的二手生产线，由此中国半导体行业不仅落后于美日，也逐渐被半导体产业新兴的韩国和中国台湾地区超过。1986年“七五”计划期间提出531战略。1986年原电子部在厦门集成电路发展战略研讨会期间针对“七五”计划提出531战略，即普及5微米技术、研发3微米技术，进行1微米技术科技攻关。“七五”期间重点建设了五个主干企业，分别为无锡华晶电子（现华润华晶）、绍兴华越微电子、上海贝岭微电子、上海飞利浦半导体（现上海先进半导体）和首钢日电电子（首钢NEC）。1986年北京集成电路设计中心（现华大集成电路设计中心）成立，开创中国集成电路设计先河。1990年针对“八五”计划组织“908 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 ”。1990年8月，国家计委和机电部在北京联合召开座谈会，中央决定实施908工程，其承担主体为无锡华晶。国家为908工程集中投资20多亿元，目标是在无锡华晶建成一条月产1.2万片、6英寸、0.8－1.2微米的芯片生产线。但由于审批时间过长，工程从开始立项到真正投产历时近8年之久。到1997年华晶生产线正式建成时，华晶的技术水平已大大落后于国际主流技术达四至五代。月产仅800片左右，投产当年即亏损2.4亿元。在此情况下，从1998年2月起，华晶将部分设备租给香港上华半导体公司。合作一年半后，1999年8月，华晶和上华合作的工厂转制为合资公司——无锡华晶上华半导体公司，上华持股51%，华晶49%。为了处置华晶的这部分不良资产，信达资产管理公司引入了华润集团。2002年9月香港华润集团（简称华润）正式宣布完成收购华晶，将其转制为无锡华润微电子有限公司。1995年组织“909工程”。在“909”工程之前，中国在自主发展集成电路产业的道路上发起过多次冲击，但大规模生产线始终未能进入良性循环，集成电路产业链也远没有形成。1995年，原电子部向国务院提交了《关于“九五”期间加快我国集成电路产业发展的报告》。1996年3月，“大规模集成电路芯片生产线”项目正式获得批复立项。1996年，上海华虹微电子有限公司正式成立，随后华虹与日本NEC公司合作组建上海华虹NEC，成为“909”工程的主要承担企业。“909工程”为国内集成电路产业奠定华虹、华大等早期中坚力量。华虹NEC于1997年7月31日开工建厂，1999年2月完工，投产之时正赶上全球芯片市场的黄金时机，2000年就取得销售额30.15亿元的不菲成绩，利润达到5.16亿元。但在2001年，全球半导体市场低迷，华虹NEC全年亏损13.84亿元。虽然遭遇了2001年的大亏损，华虹随后几年营运表现突出。到2005年6月，华虹已经完成并超过了当初立项的所有目标。华虹NEC的8英寸生产线实现了自主经营，由华虹控股的上海集成电路研发中心已掌握0.13微米面向大生产的标准CMOS工艺技术，自主创新能力初步形成。星星之火：人才创业为中国集成电路产业注入新活力2000年张汝京创办中芯国际，建成国内最大晶圆代工厂。张汝京曾就职于德州仪器，先后在美国、新加坡、日本、中国台湾等地建造并管理近20座晶圆工厂。1997年张汝京回到中国台湾创办世大半导体，是继台积电、联华电子之后中国台湾第三家晶圆代工厂。2000年1月，世大半导体被大股东作价50亿美元卖给台积电。2000年4月，张汝京从中国台湾来到中国大陆，在上海创办中芯国际，目标是成为世界一流的晶圆代工厂。在上海实业、华登国际的大规模资金支持下，中芯国际仅用两年时间在上海建设了三条8寸生产线，随后又买下摩托罗拉在天津的一座8寸厂。然而中芯国际在2003年因为知识产权问题与台积电展开了长达6年的专利诉讼。2009年11月，台积电胜诉。两家公司随即宣布和解，中芯国际向台积电支付2亿美金，并向台积电发行股份及授予认股权证，张汝京自此离开中芯国际。此后尽管经历了长期低迷，2011年中芯国际成功实现扭亏为盈，目前已成为中国晶圆代工龙头公司。晶圆代工厂的成立为众多设计公司的创立奠定了基础。2000年之后，大批人才创办芯片设计企业，为中国集成电路产业注入新活力。伴随国内半导体代工制造体系的建立，大批芯片设计企业涌现，其中大多为归国人才以及改革开放后培养的理工科人才，例如2001年武平、陈大同等人归国创立展讯通信、国内技术出身的张帆创立汇顶科技，2002年戴保家、魏述然归国创立锐迪科，2003年中兴微电子成立，2004年华为海思、澜起科技成立，朱一明归国创立兆易创新。这其中不乏华为海思、展讯、锐迪科等成长为现今全球领先的芯片设计企业。正是有了这些机制灵活、数量众多的芯片设计公司参与到全球产业链分工和竞争中去，中国的集成电路产业在2000年之后获得了新鲜血液与活力。政策支持：国家产业政策颁布及大基金成立加速行业发展政策密集颁布，集成电路位列首位凸显重视。近年来集成电路相关扶持政策密集颁布，从纲领性文件来看，《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》将集成电路相关的01、02专项作为16个重大专项前两位，《中国制造2025》将“集成电路及专用装备”置于首个重点领域“新一代信息技术产业”中的首位，《2018年政府工作报告》指出“加快制造强国建设。推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展”，将集成电路放至首位，足见政策重视程度。同时政策以十年维度设立了远大目标，《国家集成电路产业发展推进纲要》定调“设计为龙头、制造为基础、装备和材料为支撑”，目标到2020年，集成电路产业销售收入年均增速超过20%；到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。产业基金、金融支持、税收支持等多维度创造黄金市场环境。从具体政策措施来看，设立国家产业投资基金、加大金融支持力度、落实税收支持政策、加强推广应用等是主要政策手段，政策范围已经涵盖了集成电路从设计到制造、封装测试、装备材料的全产业链环节。《国家集成电路产业发展推进纲要》提出政策性银行及商业银行加强信贷支持，提供支持集成电路企业在境内外上市融资、发行各类债务融资工具等金融服务。2020年8月4日，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施。根据《集成电路产业“十三五”发展规划》，培育龙头骨干企业、突破核心技术环节仍然是重点任务，因此我们认为未来核心龙头企业仍能够获得较多扶持与优惠，利于突破式发展。“产业+资本”成为产业发展重要手段，集成电路产业基金累计支持资金超过7000亿元。2014年10月，中国成立国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”），“大基金”首批规模达到1387亿元，加之超过6000亿元的地方基金以及私募股权投资基金，以千亿元基金撬动万亿元资金投入集成电路行业。国家集成电路大基金一期累计项目投资额1387亿元，已实施项目涵盖IC产业上、下游，制造、设计、封测、设备材料等产业链各环节投资比重分别是63%、20%、10%、7%。2019年10月，国家集成电路产业基金二期成立，我们预计五年投资规模达2000亿人民币。下游集群：中国为全球最大消费电子出口国，最具活力的下游产业集群过去十几年间中国在全球消费电子产业中的地位不断提升，经历了从生产低附加值零件、为国外终端品牌代工到切入高附加值生产环节、国内终端品牌跻身世界前列的转变。现状来看，中国目前是全球最大消费电子出口国，2019年中国智能手机产量占全球比重近90%，不仅消化国内庞大需求，更出口七成国内智能手机供应全球市场。中国消费电子产业的崛起起初得益于人口红利吸引外资，后期随着国家技术创新能力提升，产业配套趋于完善，逐渐形成全球对中国消费电子生产能力高度依存的局面。价值量来看，中国智能手机产量占全球比重近90%，不仅消化国内庞大需求，更出口七成国内智能手机供应全球市场。过去十余年，我国电子信息制造业在全球分工红利、智能终端发展浪潮的推动下，一直保持高速增长，麦肯锡《中国与世界：理解变化中的经济联系》报告中指出，中国计算机和电子产品制造业产值占全球总产值的比重由2003-2007年的21%增长到了2013-2017年的44%，增速可观；2010年时，HOVM四家中国手机厂商在全球智能手机市场仅占0.6%份额，2019年已提升至41.7%，地位提升显著。目前，需求方面，中国已是全球第一大电子产品消费国。调研公司Canalys数据显示，2012Q1中国首次超越美国成为全球最大智能手机市场，之后一直稳坐第一名。2019年中国智能手机销量3.77亿部，约占全球总出货量的27.5%。生产方面，中国为世界第一大智能手机生产、出口国。2019年全球智能手机出货量为13.71亿台，中国出货12.27亿台，占比高达89.5%，排名前五的厂商中，中国