半导体物理学(刘恩科)第六第七版第1234578章完整课后题答案

第一章习题1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E(k)和价带极大值附近能量E(k)cV分别为：h2k2h2(kk)2h2k23h2k2E（K）=1,E(k)1C3mmV6mm0000m为电子惯性质量，k,a0.314nm。试求：01a（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）导带：22k22(kk)由103mm003得：kk41d2E222282又因为：c0dk23mm3m0003所以：在kk处，Ec取极小值4价带：dE62kV0得k0dkm0d2E62又因为V0,所以k0处，E取极大值dk2mV032k2因此：EE(k)E(0)10.64eVgC41V12m023(2)m*mnCd2E80Cdk23kk412m(3)m*0nVd2E6Vdk2k01(4)准动量的定义：pk3所以：p(k)(k)k07.951025N/s3k01kk4412.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。kk解：根据：fqEh得ttqE(0)at8.27108s11.61019102(0)at8.271013s21.61019107补充题1分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面原子的位置和分布图）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：（a）(100)晶面（b）(110)晶面（c）(111)晶面114422（100）：6.781014atom/cm2a2a2(5.43108)211242424（110）：9.591014atom/cm22aa2a211422424（111）：7.831014atom/cm233a2a2a2补充题2271一维晶体的电子能带可写为E（k)(coskacos2ka)，ma288式中a为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量m*；n（5）能带顶部空穴的有效质量m*pdE(k)n解：（1）由0得kdka（n=0，1，2…）进一步分析k(2n1)，E（k）有极大值，a22E（k)MAXma2k2n时，E（k）有极小值a所以布里渊区边界为k(2n1)a22(2)能带宽度为E（k)E(k)MAXMINma21dE1(3）电子在波矢k状态的速度v(sinkasin2ka)dkma4（4）电子的有效质量2mm*nd2E1(coskacos2ka)dk222n能带底部k所以m*2man(2n1)(5)能带顶部k，a且m*m*，pn2m所以能带顶部空穴的有效质量m*p3半导体物理第2章习题1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。2.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个As原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。3.以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。Ga有3个价电子，它与周围的四个Ge原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在Ge晶体的共价键中产生了一个空穴，而Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心，所以，一个Ga原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴，空穴束缚在Ga原子附近，但这种束缚很弱，很小的能量就可使空穴摆脱束缚，成为在晶格中自由运动的导电空穴，而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程叫做受主杂质的电离过程，能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。4.以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用；Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用。5.举例说明杂质补偿作用。当半导体中同时存在施主和受主杂质时，若（1）N>>NDA因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到N个受主能级上，还有AN-N个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度为n=DAN-N。即则有效受主浓度为N≈N-NDAAeffDA（2）N>>NAD施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上，受主能级上还有N-N个空穴，它们可AD接受价带上的N-N个电子，在价带中形成的空穴浓度p=N-N.即有效ADAD受主浓度为N≈N-NAeffAD（3）NN时，AD不能向导带和价带提供电子和空穴，称为杂质的高度补偿6.说明类氢模型的优点和不足。优点：基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异，计算简单缺点：只有电子轨道半径较大时，该模型才较适用，如Ge.相反，对电子轨道半径较小的，如Si，简单的库仑势场不能计入引入杂质中心带来的全部影响。7.锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数=17，电子的有效质量rm*=0.015m,m为电子的惯性质量，求①施主杂质的电离能，②施主的弱束缚电子n00基态轨道半径。解：根据类氢原子模型：m*q4m*E13.6Enn00.00157.1104eVD2(4)22m21720r0rh2r00.053nm0q2m0h2mr0r0rr60nmq2m*m*0nn8.磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数=11.1，空穴的有效质量rm*=0.86m,m为电子的惯性质量，求①受主杂质电离能；②受主束缚的空穴的基态轨p00道半径。解：根据类氢原子模型：m*q4m*E13.6EPP00.0860.0096eVA2(4)22m211.120r0rh2r00.053nm0q2m0h2mr0r0rr6.68nmq2m*m*0PP第三章习题和 答案 八年级地理上册填图题岩土工程勘察试题省略号的作用及举例应急救援安全知识车间5s试题及答案 10021.计算能量在E=E到EE之间单位体积中的量子态数。cC2m*L2n31解V（2m*）2g(E)n(EE)2223CdZg(E)dEdZ单位体积内的量子态数Z0V1002100h2EE3c2ml2c8ml211nnV（2m*）2Zg(E)dEn(EE)2dE0V223CEECC3100h2*EV（2m）2232c2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。2.证明：si、G半导体的E（IC）~K关系为e在E~EdE空间的状态数等于k空间所包含的h2k2k2k2E（k）E(xyz)状态数。CC2mmlt即dg(k')•Vk'g(k')•4k'2dkzm1m1m1令k'(a)2k,k'(a)2k,k'(a)2k3xmxymyzmz12dz2(m•mm)3ttlg'(E)4•ttl(EEh2dEh2则：E(k')E(k'2k'2k'2")cc2mxyza对于si导带底在100个方向，有六个对称的旋转椭球，在k'系中,等能面仍为球形等能面锗在（111）方向有四个，12m•mm2m31在k'系中的态密度g(k')ttlVg(E)sg'(E)4(n)2(EE)2V3cmh2a211ms3m2m3k'2m(EE)ntlhaC3.当E-E为1.5kT，4kT,10kT时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电F000子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1f(E)EEEEFFEEkT1eFf(E)e0kT01.5kT0.1820.22304kT0.0180.0183010kT04.541054.541054.画出-78oC、室温（27oC）、500oC三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。5.利用 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 3-2中的m*，m*数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的NN以及本征载流npC,V子的浓度。2koTm3N2(n)2Ch22koTm35N2(p)2vh2E1gn(NN)2e2koTicvG:m0.56m;mo.37m;E0.67even0p0gsi:m1.08m;mo.59m;E1.12evn0p0gGA:m0.068m;mo.47m;E1.428evasn0p0g6.计算硅在-78oC，27oC，300oC时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？Si的本征费米能级，Si:m1.08m,m0.59mn0p0EE3kTmEECVlnpFi24mn3kT0.59m当T195K时，kT0.016eV,ln00.0072eV1141.08m03kT0.59当T300K时，kT0.026eV,ln0.012eV2241.083kT0.59当T573K时，kT0.0497eV,ln0.022eV2341.08所以假设本征费米能级在禁带中间合理，特别是温度不太高的情况下。7.①在室温下，锗的有效态密度N=1.051019cm-3，N=3.91018cm-3，试求锗的载流cV子有效质量m*m*。计算77K时的N和N。已知300K时，E=0.67eV。77k时npCVgE=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，g假定受主浓度为零，而E-E=0.01eV，求锗中施主浓度E为多少？cDDkTm37（.1）根据N2(0n)2c22（2）77K时的N、NkTmCV3N2(0p)2得'v22N（77K）T'C32N（300K）TC22N3mc0.56m5.11031kg7777nkT20N'N•（）31.051019（）31.371018/cm30CC300300122N23v317777m0.29m2.610kg'3183173p0NN•（）3.910（）5.0810/cmkT2VV0300300Eg1(3)n(NN)2e2koTicv0.67119182k300133室温：n(1.05103.910)2e01.710/cmi0.76118172k777377K时，n(1.37105.0810)2e01.9810/cmiNNNnnDDD0DEEEEEEEnDFDcCFD•okTkT12ekTN12exp012e00CEn0.011017Nn(12eD•o)1017(12e•)1.171017/cm3D0koTN0.0671.371018C8.利用题7所给的N和N数值及E=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施cVg主浓度N=51015cm-3，受主浓度N=2109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？DAEg12kT1338.300K时：n(NN)2e02.010/cmicVeg1'500K时：n(N'N')2e2k0T6.91015/cm3iCV根据电中性条件：npNN000DAn2n(NN)n20npn200DAi00i1NNNN2nDA(DA)2n2022i1NNNN2pAD(AD)2n2022in51015/cm3T300K时：0p81010/cm30n9.841015/cm3t500K时：0p4.841015/cm309.计算施主杂质浓度分别为1016cm3，,1018cm-3，1019cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV。解：假设杂质全部由强电离区的EFNN2.81019/cm3EEkTlnD,T300K时,CFc0Nn1.51010/cm3CiN或EEkTlnD,Fi0Ni1016N1016/cm3;EE0.026lnE0.21eVDFc2.81019c1018N1018/cm3;EE0.026lnE0.087eVDFc2.81019c1019N1019/cm3;EE0.026lnE0.0.27eVDFc2.81019c(2)EE0.05eV施主杂质全部电离标准为90%,10%占据施主CDn1D是否10%N1EED1eDF2kT0n1或D90%N1EED1eDF2kT0n11N1016:D0.42%成立DEE0.210.16N1DC1D1e0.0261e0.02622n1N1018:D30%不成立DN10.037D1e0.0262n1N1019:D80%10%不成立DN10.023D1e0.0262（2）'求出硅中施主在室温下全部电离的上限2NED(D)eD(未电离施主占总电离杂质数的百分比）NkoTC0.052N0.050.1N10%De,NCe0.0262.51017/cm3N0.026D2CN1016小于2.51017cm3全部电离DN1016,10182.51017cm3没有全部电离D（2）''也可比较E与E，EEkT全电离DFDF０N1016/cm3;EE0.050.210.160.026成立，全电离DDFN1018/cm3;EE0.037~0.26E在E之下，但没有全电离DDFFDN1019/cm3;EE0.0230.026，E在E之上，大部分没有电离DDFFD10.以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度围。10.解A的电离能E0.0127eV,N1.051019/cm3sDC室温300K以下，A杂质全部电离的掺杂上限s2NEDDexp(D)NkTC02N0.012710%DexpN0.026C0.0127190.01270.1N0.11.0510NCe0.026e0.0263.221017/cm3D上限22A掺杂浓度超过N的部分，在室温下不能电离sD上限G的本征浓度n2.41013/cm3eiA的掺杂浓度范围5n~N，即有效掺杂浓度为2.41014~3.221017/cm3siD上限11.若锗中施主杂质电离能E=0.01eV，施主杂质浓度分别为N=1014cm-3j及DD1017cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？12.若硅中施主杂质电离能E=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3，1018cm-3。D计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？13.有一块掺磷的n型硅，N=1015cm-3,分别计算温度为①77K；②300K；③500K；D④800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）13（.2）300K时，n1010/cm3N1015/cm3强电离区iDnN1015/cm30D(3)500K时，n41014/cm3~N过度区iDNN4n2nDDi1.141015/cm302(4)8000K时，n1017/cm3inn1017/cm30i14.计算含有施主杂质浓度为N=91015cm-3，及受主杂质浓度为1.11016cm3，的硅在D33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。解：T300K时，Si的本征载流子浓度n1.51010cm3,i掺杂浓度远大于本征载流子浓度，处于强电离饱和区pNN21015cm30ADn2ni1.125105cm30p0p21015EEkTln00.026ln0.224eVFV0N1.11019vp21015或：EEkTln00.026ln0.336eVFi0n1.51010i15.掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。(1)T300K时，n1.51010/cm3,杂质全部电离aip1016/cm30n2ni2.25104/cm30p0p1016EEkTln00.026ln0.359eVEi0n1010ip或EEkTln00.184eVEV0Nv(2)T600K时，n11016/cm3i处于过渡区：pnN00Anpn200ip1.621016/cm30n6.171015/cm30p1.621016EEkTln00.052ln0.025eVFi0n11016i16.掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子和立方米51022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。解：N1.51017cm3,N51016cm3DA300K:n21013cm3i杂质在300K能够全部电离，杂质浓度远大于本征载流子浓度，所以处于强电离饱和区nNN11017cm30DAn241026pi109cm30n110170n11017EEkTln00.026ln0.22eVFi0n21013i600K:n21017cm3i本征载流子浓度与掺杂浓度接近，处于过度区nNpN0A0Dnpn200iNN(NN)24n2nDADAi2.6101702n2pi1.610170n0n2.61017EEkTln00.072ln0.01eVFi0n21017i17.施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。17.si:N1013/cm3,400K时，n11013/cm3(查表）DinpN0N1D,nDN24n21.621013npn222Diin2pi6.171012/cm30non1.621013EEkTln0.035ln0.017eVFi0n11013i18.掺磷的n型硅，已知磷的电离能为０.０４４eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。N18.解：nDD1EE1eDF2kT0EEDFn1N则有ekoT2.D2DEEkTln2FD0EEkTln2EEkTln2E0.0440.026ln2FD0CD0CE0.062eVcsi:E1.12eV,EE0.534eVgFiEE0.062CFkT1918nNe02.810e0.0262.5410cm3cn50%NN5.151019/cm3DD19.求室温下掺锑的n型硅，使E=（E+E）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。FCDEE19.解：ECDF2EE2EEEEE0.039EEECDCCDCD0.0195kTCFC22220发生弱减并2EE2nNFFCNF(0.71)0c1kTC120222.810190.39.481018/cm33.14求用：nn0DEEEEEECDECD0.0195FD2D22NEENCFFCDkTEE1012exp(FD)2kT02NEEEENCFFC（12exp(FD）D1kTkT2002N0.01950.0195CF（12exp）9.481018/cm310.0260.026220.制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。（1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的E位于导带下F面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。（2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.61015cm-3,计算300K时E的位置F及电子和空穴浓度。（3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.21015cm-3,计算300K时E的位置及电子和空穴浓度。F（4）如温度升到500K，计算③中电子和空穴的浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。20（.1）EE0.026kT，发生弱减并CF02N22.81019ncF(1)0.39.481018/cm3013.142NnnD0DEE12exp(FD)kT0EE0.013Nn(12exp(FD)n(12e0.026)4.071019/cm3D0kT00(2)300K时杂质全部电离NEEkTlnDE0.223eVFc0NCCnN4.61015/cm30Dn2(1.51010)2pi4.89104/cm30n4.610150（3）pNN5.210154.6101561014/cm30ADn2(1.51010)2ni3.75105/cm30p610140pEEkTln00.026ln610140.276eVFi0n1.51010i(4)500K时：n41014cm3,处于过度区inNpN0A0Dnpn200ip8.8310140n1.910140pEEkTln00.0245eVEi0ni21.试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？2NEEN21.CFFCD1kTEE2012exp(FD)kT0发生弱减并EE2kTCF02N0.008NCF(2)12e0.026D1si222.810190.0080.1(12e0.026)7.811018/cm（3Si)3.1421.0510190.0394NF(2)12e0.0261.71018/cm3(Ge)D1Ge3.14222.利用上题结果，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？NnnD0DEE12exp(FD)kT07.811018Si:nn3.11018cm30D0.00812e0.0261.71018Ge:nn1.181018cm30D0.039412e0.026第四章习题及答案1.300K时，Ge的本征电阻率为47cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/(V.S)和1900cm2/(V.S)。试求Ge的载流子浓度。11解：在本征情况下，npn,由1/知inqupqunq(uu)npinp11n2.291013cm3iq(uu)471.6021019(39001900)np2.试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/(V.S)和500cm2/(V.S)。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？解：300K时，u1350cm2/(VS),u500cm2/(VS)，查表3-2或图3-7可知，np室温下Si的本征载流子浓度约为n1.01010cm3。i本征情况下，nqupqunq(uu)110101.60210-19(1350+500)3.0106S/cmnpinp11金钢石结构一个原胞的等效原子个数为8648个，查看附录B知Si的晶格828常数为0.543102nm，则其原子密度为51022cm3。(0.543102107)31掺入百万分之一的As,杂质的浓度为N5102251016cm3，杂质全部D1000000电离后，Nn，这种情况下，查图4-14（a）可知其多子的迁移率为800cm2/(V.S)Di'Nqu'510161.60210-198006.4S/cmDn'6.4比本征情况下增大了2.1106倍31063.电阻率为10.m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。解：查表4-15(b)可知，室温下，10.m的p型Si样品的掺杂浓度N约为1.51015cm3,A查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为n1.01010cm3,NniAipN1.51015cm3An2(1.01010)2ni6.7104cm3p1.510154.0.1kg的Ge单晶，掺有3.210-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率=0.38m2/(V.S),Ge的单晶密度为5.32g/cm3,Sb原子量为121.8。n0.11000解：该Ge单晶的体积为：V18.8cm3;5.323.21091000Sb掺杂的浓度为：N6.0251023/18.88.421014cm3D121.8查图3-7可知，室温下Ge的本征载流子浓度n21013cm3，属于过渡区inpN210138.410148.61014cm30D111/1.9cmnqu8.610141.60210190.38104n5.500g的Si单晶，掺有4.510-5g的B，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率=500cm2/(V.S),硅单晶密度为2.33g/cm3,B原子量为10.8。p500解：该Si单晶的体积为：V214.6cm3;2.334.5105B掺杂的浓度为：N6.0251023/214.61.171016cm3A10.8查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为n1.01010cm3。i因为Nn，属于强电离区，pN1.121016cm3AiA111/1.1cmpqu1.1710161.6021019500p6.设电子迁移率0.1m2/(V•S),Si的电导有效质量m=0.26m,加以强度为104V/mc0的电场，试求平均自由时间和平均自由程。q解：由n知平均自由时间为nmcm/q0.10.269.1081031/(1.6021019)1.4810-13snnc由于电子做热运动，则其平均漂移速度为3k1v（0n)22.3105ms1mc平均自由程为lv2.31051.4810133.4108mn7.长为2cm的具有矩形截面的G样品，截面线度分别为1mm和2mm，掺有1022m-3e受主，试求室温时样品的电导率和电阻。再掺入51022m-3施主后，求室温时样品的电导率和电阻。解：N1.01022m31.01016cm3，查图4-14（b）可知，这个掺杂浓度下，Ge的A迁移率u为1500cm2/(V.S),又查图3-7可知，室温下Ge的本征载流子浓度pn21013cm3，Nn，属强电离区，所以电导率为iAipqu1.010161.602101915002.4cmp电阻为ll2R41.7ss2.40.10.2掺入51022m-3施主后nNN4.01022m34.01016cm3DA总的杂质总和NNN6.01016cm3，查图4-14（b）可知，这个浓度下，Ge的iDA迁移率u为3000cm2/(V.S),n'nqunqu4.010161.6021019300019.2cmnn电阻为ll2R5.2s's19.20.10.28.截面积为0.001cm2圆柱形纯Si样品，长1mm,接于10V的电源上，室温下希望通过0.1A的电流，问：①样品的电阻是多少？②样品的电阻率应是多少？③应该掺入浓度为多少的施主？V10解：①样品电阻为R100I0.1Rs1000.001②样品电阻率为1cml0.1③查表4-15（b）知，室温下，电阻率1cm的n型Si掺杂的浓度应该为51015cm3。9.试从图4-13求杂质浓度为1016cm-3和1018cm-3的Si，当温度分别为-50OC和+150OC时的电子和空穴迁移率。解：电子和空穴的迁移率如下表，迁移率单位cm2/(V.S)浓度1016cm-31018cm-3温度-50OC+150OC-50OC+150OC电子2500750400350空穴80060020010010.试求本征Si在473K时的电阻率。解：查看图3-7，可知，在473K时，Si的本征载流子浓度n5.01014cm3，在这个浓i度下，查图4-13可知道u600cm2/(Vs)，u400cm2/(Vs)np111/12.5cmiinq(uu)510141.6021019(400600)inp11.截面积为10-3cm2,掺有浓度为1013cm-3的p型Si样品，样品部加有强度为103V/cm的电场，求；①室温时样品的电导率及流过样品的电流密度和电流强度。②400K时样品的电导率及流过样品的电流密度和电流强度。解：①查表4-15（b）知室温下，浓度为1013cm-3的p型Si样品的电阻率为2000cm，则电导率为1/5104S/cm。电流密度为JE51041030.5A/cm2电流强度为IJs0.51035104A②400K时，查图4-13可知浓度为1013cm-3的p型Si的迁移率约为u500cm2/(Vs)，p则电导率为pqu10131.60210195008104S/cmp电流密度为JE81041030.8A/cm2电流强度为IJs0.81038104A12.试从图4-14求室温时杂质浓度分别为1015，1016，1017cm-3的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算他们的电阻率。再从图4-15分别求他们的电阻率。浓度（cm-3）101510161017N型P型N型P型N型P型迁移率(cm2/(V.S))（图4-14）13050012042069024000电阻率ρ(Ω.cm)4.812.50.521.50.090.26电阻率ρ(Ω.cm)（图4-15）4.5140.541.60.0850.21硅的杂质浓度在1015-1017cm-3围，室温下全部电离，属强电离区，nN或pNDA11电阻率计算用到公式为或pqunqupn13.掺有1.11016硼原子cm-3和91015磷原子cm-3的Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。解：室温下，Si的本征载流子浓度n1.01010/cm3i有效杂质浓度为：NN1.110169101521015/cm3n，属强电离区ADi多数载流子浓度pNN21015/cm3ADn211020少数载流子浓度ni5104/cm3p210150总的杂质浓度NNN21016/cm3，查图4-14（a）知，iADu多子400cm2/Vs,u少子1200cm2/Vspn电阻率为1117.8.cmpqunquuqp1.60210-1921015400pnp14.截面积为0.6cm2、长为1cm的n型GaAs样品，设u=8000ncm2/(V•S),n=1015cm-3，试求样品的电阻。11解：0.78.cmnqu1.60210-19110158000nl电阻为R0.781/0.61.3s15.施主浓度分别为1014和1017cm-3的两个Ge样品，设杂质全部电离：①分别计算室温时的电导率；②若于两个GaAs样品，分别计算室温的电导率。解：查图4-14（b）知迁移率为施主浓度1014cm-31017cm-3样品Ge48003000GaAs80005200Ge材料，浓度为1014cm-3，nqu1.60210-191101448000.077S/cmn浓度为1017cm-3，nqu1.60210-1911017300048.1S/cmnGaAs材料，浓度为1014cm-3，nqu1.60210-191101480000.128S/cmn浓度为1017cm-3，nqu1.60210-1911017520083.3S/cmn16.分别计算掺有下列杂质的Si，在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率：①硼原子31015cm-3;②硼原子1.31016cm-3+磷原子1.01016cm-3③磷原子1.31016cm-3+硼原子1.01016cm④磷原子31015cm-3+镓原子11017cm-3+砷原子11017cm-3。解：室温下，Si的本征载流子浓度n1.01010/cm3，硅的杂质浓度在1015-1017cm-3i围，室温下全部电离，属强电离区。①硼原子31015cm-3n211020pN31015/cm3ni3.3104/cm3Ap31015查图4-14（a）知，480cm2/Vsp114.3.cmuqN1.60210-1931015480pA②硼原子1.31016cm-3+磷原子1.01016cm-3pNN(1.31.0)1016/cm331015/cm3,ADn211020ni3.3104/cm3p31015NNN2.31016/cm3，查图4-14（a）知，350cm2/VsiADp115.9.cmuqp1.60210-1931015350p③磷原子1.31016cm-3+硼原子1.01016cmnNN(1.31.0)1016/cm331015/cm3,DAn211020pi3.3104/cm3n31015NNN2.31016/cm3，查图4-14（a）知，1000cm2/VsiADn112.1.cmuqp1.60210-19310151000n④磷原子31015cm-3+镓原子11017cm-3+砷原子11017cm-3n211020nNNN31015/cm3,pi3.3104/cm3D1AD2n31015NNNN2.031017/cm3，查图4-14（a）知，500cm2/VsiAD1D2n114.2.cmuqp1.60210-1931015500n17.①证明当uu且电子浓度n=nuu,pnuu时，材料的电导率最小，并npipninp求的表达式。minn2解：pqunquiqunqupnnpndn2d22n2q(iuu),qiudnn2pndn2n3pdn2令0(iuu)0nnu/u,pnu/udnn2pnipniupd22n22uuqiuqnn0dn2n3(u/u)u/upnuunnu/uipnpnippipn因此，nnu/u为最小点的取值ipnq(nu/uunu/uu)2qnuuminiuppipnniup②试求300K时Ge和Si样品的最小电导率的数值，并和本征电导率相比较。查表4-1，可知室温下硅和锗较纯样品的迁移率Si:2qnuu21.60210191101014505002.73107S/cmminiupqn(uu)1.602101911010(1450500)3.12106S/cmiipnGe:2qnuu21.602101911010380018008.38106S/cmminiupqn(uu)1.602101911010(38001800)8.97106S/cmiipn18.InSB的电子迁移率为7.5m2/(V•S),空穴迁移率为0.075m2/(V•S),室温时本征载流子浓度为1.61016cm-3,试分别计算本征电导率、电阻率和最小电导率、最大电导率。什么导电类型的材料电阻率可达最大。解：qn(uu)1.60210191.61016(75000750)194.2S/cmiipn1/0.052.cmii借用17题结果2qnuu21.60210191.610167500075038.45S/cmminiup1/1/12.160.026.cmmaxmin当nnu/u,pnu/u时，电阻率可达最大，这时ipniupnn750/75000pn75000/750，这时为P型半导体。ii19.假设Si中电子的平均动能为3k/2，试求室温时电子热运动的均方根速度。如将0TSi置于10V/cm的电场中，证明电子的平均漂移速度小于热运动速度，设电子迁移率为15000cm2/(V•S).如仍设迁移率为上述数值，计算电场为104V/cm时的平均漂移速度，并与热运动速度作一比较，。这时电子的实际平均漂移速度和迁移率应为多少？20.试证G的电导有效质量也为e1112m3mmc1t第五章习题1.在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3,空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。已知：p1013/cm3,100s求：U？解：根据pUp得：U10131017/cm3s1001062.用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。（1）写出光照下过剩载流子所满足的方程；（2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。解：均匀吸收，无浓度梯度，无飘移。dppgdtLt方程的通解：p(t)AegLdp(2)达到稳定状态时，0dtpg0.Lpg3.有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10•cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm-3•s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？p光照达到稳定态后.g0Lpng10221061016cm31光照前:10cm0nqpq0n0p光照后:'nppqnqpqnqpqnp0n0pnp0.1010161.61019135010161.610195000.12.963.06s/cm1'0.32cm.'少数载流子对电导的贡献pp.所以少子对电导的贡献,主要是p的贡献.0p9u10161.610195000.8p26%13.063.064.一块半导体材料的寿命=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？tp(t)p(0)e20p(20)e1013.5%p(0)光照停止20s后，减为原来的13.5%。5.n型硅中，掺杂浓度N=1016cm-3,光注入的非平衡载流子浓度n=p=1014cm-3。计算D无光照和有光照的电导率。设T300K,n1.51010cm3.np1014/cm3i则n1016cm3,p2.25104/cm3有光照:00nnn,pppnqpq00np无光照:nqpqunqnqpqnq()00n0p0n0n0pnp10161.6101913502.16s/cm2.1610141.61019(1350500)2.160.02962.19s/cm(注：掺杂1016cm13的半导体中电子、空穴的迁移率近似等于本征半导体的迁移率）6.画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。EcEcEEFniEiEFEEFpvEv光照前光照后7.掺施主浓度N=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子Dn=p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。nEEkTlnFni0ni强电离情况，载流子浓度1.11015EEkTln0.291eVnnn10151014Fni01001.5101.11015/cm3PEEkTlnFPi0Pn2ipppi10140N1014DEEkTln0.229eV(1.51010)2FPi01010141014/cm31.5101015NEE平衡时EEkTlnDnneFniFionikTio14EE10pneiFPkTln0.289eVikT01001.510EnE0.0025eVFFEEP0.0517eVFF8.在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？解：根据复合中心的间接复合理论：复合中心N.被电子占据n,向导带发射电子ttEEsnrnnrnetinntn1tnikTto从价带俘获空穴rpnntEE由题知，rnnetirpnntikTptEEEErnetirneiF;nikTpikToorrEEEEnptiiFn,p很小。np代入公式o11011,不是有效的复合中心。rNrNntpt9.把一种复合中心杂质掺入本征硅，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命=n+p。本征Si:EE因为：EEEFiFiT复合中心的位置EE所以：npnpTi0011根据间接复合理论得:r(nnp)r(nnp)n00p00r(nnp)r(ppp)Nrr(nnp)Nrr(nnp)n01p01tpn00tpn00Nrr(npp)11tpn00pnEEEENrNrcFFVtptnkTkTnNe0;pNeo0c0cEEEECTTVkTkTnNe0;pNe01c1c10.一块n型硅掺有1016cm-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅也掺有1016cm-3的金原子，它在小注入时的寿命又是多少？N1016cm3tn型Si中，Au对空穴的俘获系数r决定了少子空穴的寿命。p118.61010sprN1.1510171016ptp型Si中，Au对少子电子的俘获系数r决定了其寿命。n111.6109snrN6.31081016nt11.在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生：（1）在载流子完全耗尽（即n,p都大大小于n）半导体区域。i（2）在只有少数载流子别耗尽（例如，p<>ni0Nrr(npn2)Nrr(npn2)UtnpiUtnpir(nn)r(pp)r(nn)r(pp)n1p1n1p1(2)只有少数载流子被耗尽，(1)载流子完全耗尽，n0,p0（反偏pn结，pp,nn)Nrrn2nn0nn0Utnpi0Nrrn2rnrpUtnpi0n1p1r(nn)rp复合率为负，表明有净产生n1p1复合率为负，表明有净产生Nrr(npn2)Utnpir(nn)r(pp)n1p1(3)np,nniNrr（n2n2)Utnpi0r(nn)r(np)n1p1复合率为正，表明有净复合12.在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（E=E）。tiNrr(npn2)UtnpinN1016cm3,r(nn)r(pp)0Dn1p12n2pi2.25104/cm3Nrrn0ntnpi0r(nn)rpn01p1nn1016cm3,0EEEECTcikTkTp0,nNe0Ne0n1ccin0,EEEETvivkTkTpNe0Neonpp1vvi0Nrrn2UtnpirnrnrnnonipiNrrn2ptnpiNrp0rntp0n0p2.251042.25109/cm3s6101013.室温下，p型半导体中的电子寿命为=350us，电子的迁移率u=3600cm-2/(V•s)。n试求电子的扩散长度。解：根据爱因斯坦关系：DkTnoqnkTD0nqnkTLD0nnnqn0.02636003501060.18cm14.设空穴浓度是线性分布，在3us浓度差为1015cm-3,u=400cm/(V•s)。试计算空穴p2扩散电流密度。dpJqDPPdxkTpq0qpxpkT0px10150.02640031045.55A/cm215.在电阻率为1•cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度N=1015cm-3,由边界稳定注入t的电子浓度（n）=1010cm-3,试求边界处电子扩散电流。0无电场,无产生率,达到稳定分布根据少子的连续性方程:d2nnD0,n2nnEnDEngPx2ntpx2pxpxppd2nn0由于pSi内部掺有N1015cm3的复合中心2tdxDnnn遇到复合中心复合111.6108snrN6.