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PMOS管驱动电路PMOS管驱动电路MOS管拥有很低的导通电阻，耗费能量较低，在当前流行的高效DC－DC芯片中多采纳MOS管作为功率开关。但是因为MOS管的寄生电容大，一般状况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这关于设计高工作频次DC－DC变换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采纳自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路可以在低于1V电压供电条件下正常工作，并且可以在负载电容1～2pF的条件下工作频次可以达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采纳了自举升压电...

PMOS管驱动电路MOS管拥有很低的导通电阻，耗费能量较低，在当前流行的高效DC－DC芯片中多采纳MOS管作为功率开关。但是因为MOS管的寄生电容大，一般状况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这关于设计高工作频次DC－DC变换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采纳自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路可以在低于1V电压供电条件下正常工作，并且可以在负载电容1～2pF的条件下工作频次可以达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采纳了自举升压电路，设计了一种拥有大负载电容驱动能力的，合适于低电压、高开关频次升压型DC－DC变换器的驱动电路。电路基于SamsungAHP615BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压1.5V，负载电容为60pF时，工作频次可以达到5MHz以上。与NMOS同样，导通的PMOS的工作地区也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。自然，无论NMOS仍是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是VGSVTP(PMOS)，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种合适在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采纳-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采纳两种电源供电。采纳直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能知足PMOS对输入电平的要求。MOS场效应晶体管拥有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，简单制成规模大的集成电路。

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