载流子迁移率计算方法计算公式：之老阳三干创作时间：二o二一年七月二十九日半导体物理书上也有载流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式,经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用vasp计算的参数有,Sl,me,md,El这四个参数，其他的都是常数,可以查询出来带入公式.参数：SlJ就是需要我们先用vasp计算出声子谱，我们要对声子谱求导，取导带底处的值，对应的就是电子迁移率的Sl所以需要学会怎么使用phonopyme就是电子的有效质量,要用origin对能带图求二次导，取导带底对应的值.md:mx就是布里渊区X标的目的的...
计算公式：之老阳三干创作时间：二o二一年七月二十九日半导体物理书上也有载流子迁移率的公式，但是上面的是带有平均自由时间的公式,经过变换推倒，就成了上面的那个公式，因此要用vasp计算的参数有,Sl,me,md,El这四个参数，其他的都是常数,可以查询出来带入公式.参数：SlJ就是需要我们先用vasp计算出声子谱，我们要对声子谱求导，取导带底处的值，对应的就是电子迁移率的Sl所以需要学会怎么使用phonopyme就是电子的有效质量,要用origin对能带图求二次导，取导带底对应的值.md:mx就是布里渊区X标的目的的有效质量,my就是y标的目的的有效质量，先用笔算出G到K,M向量，然后辨别作这两个向量的垂直向量,在这两个向量标的目的上取20个权重为0的点,放到KPOINTS中,依照以前的办法，算出来的能带就是x标的目的上的和y标的目的上的，然后就可以算出x,y标的目的上的有效质量.El把公式变形一下，El,放在一边，其他的放在另一边，§V就是原来晶胞的体积改动量，§E就是对应能量的该变量,V0就是晶胞原来的体积,也就是说，我要把原来的晶胞任意改动一下大小,算出导带底能量的变更量,进而就算出了El这个量.以上这四个量算出来之后,带入公式计算就可以得出电子的迁移率公式.电子迁移率主要受到：声学支波散射,光学支波散射,电离杂质杂质散射的影响,因为后两者没有第一个影响大,所以我们计算的迁移率包含的就是在声学支波散射作用下的迁移率.（半导体物理书上都很仔细的介绍.）时间：二o二一年七月二十九日
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