Fab厂常用术语

Fab厂常用术语 some phrases and words in FAB cleanroom system A.M.U 原子质量数 ADI After develop inspection显影后检视! n( \+ q8 _% g' z AEI 蚀科后检查% Y4_+@7^%v9U,g Alignment 排成一直线,对平7 B:R)M;B R#i5d ] Alloy 融合:电压与电流成线性关系,降低接触的阻值ARC: anti-reflect coating 防反射层 ASHER: 一种干法刻蚀方式 ASI 光阻去除后检查 Backside 晶片背面 Backside Etch 背面蚀刻 Beam-Current 电子束电流 BPSG: 含有硼磷的硅玻璃 Break 中断,stepper机台内中途停止键 Cassette 装晶片的晶舟 CD:critical dimension 关键性尺寸 Chamber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 Chip (die) 晶粒 CMP 化学机械研磨 Coater 光阻覆盖(机台) Coating 涂布,光阻覆盖 Contact Hole 接触窗 Control Wafer 控片 Critical layer 重要层 CVD 化学气相淀积 Cycle time 生产周期 Defect 缺陷 DEP: deposit 淀积 Descum 预处理% u$j$I6Z*J3g/j Developer 显影液;显影(机台) Development 显影 DG: dual gate 双门 DI water 去离子水 Diffusion 扩散 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC: design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R: etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 End Point 蚀刻终点 ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ET: etch 蚀刻 Exhaust 排气(将管路中的空气排除) Exposure 曝光 FAB 工厂 FIB: focused ion beam 聚焦离子束 Field Oxide 场氧化层 Flatness 平坦度 Focus 焦距 Foundry 代工 FSG: 含有氟的硅玻璃 Furnace 炉管 GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性/ z5y$x X! J- Q& @+ ^ H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片,将涂上一层增加光阻与晶片表面附着 力的化合物,称H.M.D.S HCI: hot carrier injection 热载流子注入 HDP:high density plasma 高密度等离子体 High-Voltage 高压 Hot bake 烘烤 ID 辨认,鉴定 Implant 植入 Layer 层次 LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路 Lot 批 Mask (reticle) 光罩 Merge 合并 Metal Via 金属接触窗 MFG 制造部 Mid-Current 中电流 Module 部门 NIT: Si3N4 氮化硅 Non-critical 非重要 NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂 NW: n-doped well N阱% A1 t4 E7 M; C" L; w$ g/ ^/ J. T OD: oxide definition 定义氧化层 OM: optic microscope 光学显微镜 OOC 超出控制界线; L2t:i6j1S)v.{7[ OOS 超出规格界线 Over Etch 过蚀刻 Over flow 溢出 Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 OX: SiO2 二氧化硅 P.R. Photo resisit 光阻 P1: poly 多晶硅 PA; passivation 钝化层 Parent lot 母批 Particle 含尘量/微尘粒子 PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强 PH: photo 黄光或微影 Pilot 实验的 Plasma 电浆 Pod 装晶舟与晶片的盒子 Polymer 聚合物 POR Process of record PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂 PR: photo resist 光阻 PVD 物理气相淀积 PW: p-doped well P阱 Queue time 等待时间 R/C: runcard 运作卡 Recipe 程式 Release 放行 Resistance 电阻 Reticle 光罩 RF 射频 RM: remove. 消除 Rotation 旋转 RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火 RTP: rapid thermal process 迅速热处理 SA: salicide 硅化金属y" [2 {/ B' C5 C' @ c SAB: salicide block 硅化金属阻止区 SAC: sacrifice layer 牺牲层 Scratch 刮伤 Selectivity 选择比 SEM:scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 Slot 槽位 Source-Head 离子源 SPC 制程统计管制 Spin 旋转 Spin Dry 旋干 Sputter 溅射 SR Si rich oxide 富氧硅 Stocker 仓储 Stress 内应力 STRIP: 一种湿法刻蚀方式 TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯,常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。 Ti 钛 TiN 氮化钛 TM: top metal 顶层金属层 TOR Tool of record Under Etch 蚀刻不足 USG: undoped 硅玻璃 W (Tungsten) 钨 WEE 周边曝光 Yield 良率 常用位置英语标识 Storage room 储蔵 室 Fire Main room 消防管道井 房 Dining room 餐厅Clothes Rack 衣架间Auditorium 报告厅First Aid 急救箱Access to roof And IDF room 通向屋顶及 IDF房 Disabled W。C 残疾人专用厕 所 Female W。C 女卫Male W。C 男卫Projection room 放映室Workshop 车间Access To office Area 通向办公区 域 Weak Electricity room 弱电房Force Electricity room 强电 房 Oven / Refrigerator 烤箱/冰 柜 Wardrobe 更衣室Academy room 示教室Blasting room 喷砂室Power Distribution 配电房Access to Female W。C stairs 通向女卫 & 楼 梯 Stair case 楼梯间 Vented Break Room 休息室Pull 拉 Push 推Training Centre 培训中心 Read Access card 读取进出卡Pipeline room 管道井房Access to Basement 通向地下室 Access to Garage 通向车库Access to Kitchen 通向厨房Low Voltage Distribution 低压配电 房 Level 1 Document storage room 一级文件储 蔵室 China Mobile Equipment room 中国移动设备 房 Access to corridor 通向走廊Access to Laboratory building 通向试验楼Access to office Building 通向办公楼War time defence equipment 人防设备间Simple decontamination room 简易消毒室 Water tank 水池 Fan room 风房Waste water collecting tank 污水收集池AHU room 空调机房Generator 柴油发电机房Air compresser 压缩机 房 Drivers rest room 驾驶员休息室High Voltage Distribution room 高压配电房Copy room 复印室 Keep door closed 保持大门关闭