LM2577的中文资料

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TO220封装，管脚排列如图 1所示，其功能框 图 如图2所示。 o 1 2 3 4 5 图 1 TO220封装的外型图 1．耦合端 2．反馈端 3．地 4．开关输出端 5．电源输入端 图2 LM1577一 I的内部等效电路框图 Administrator 高亮 Administrator 高亮 Administrator 高亮 Administrator 高亮 Administrator 高亮 Administrator 高亮 第 21 0笼 2期 13 该开关稳压电源的基本工作原理是：LM1577 以52kHz固定频率控制 NPN晶体管 vT通／断 工作，将能量储存在外接电感中。当晶体管 Ⅵ 导通时，外接电感线圈电流以Vl／L速率增加，并 储存于电感中，储存的电流(能量)与 vT导通的 时间成正比；当晶体管 vT截止时，电感蓄积的电 流以(v0一VI)／L速率经外接二极管 VD泄放并 将能量转存到输出电容 Co中。 这样，在 vT导通时存储在电感中的能量，在 Ⅵ 截止时又被传送到输出端。传送到输出端能 量的多少就决定了输出电压的大小。所以只要控 制开关管导通和截止的时间比例(占空比)，使占 空比跟随着负载的变化而变化，就能控制电感储 存和传送的能量，从而得到稳定的输出电压。占 空比的调节是通过外接的反馈网络 R1和 R2(图 3)将输出电压按比例反馈至误差放大器的反相 端，误差放大器把此电压与 1．23V基准电压之差 放大，误差放大器的输出与电流传感电压(此电压 与 vT导通时的电流成正比)进行比较。当负载 变化引起输出电压变化时，若输出电压偏低，则比 较器的输出通过逻辑电路控制开关晶体管导通时 间延长，占空比增大，电感线圈转移能量增加，输 出电压上升；若输出电压偏高，则晶体管导通时间 缩短，占空比减小，输出电压下降，如此实现输出 电压的稳定输出。 过流时，内部过流电阻反馈信号关断开关晶 体管 vT，实现对电路的保护；温度过高时，器件 内部热敏元件反馈信号关断开关晶体管 vT，实 现对电路的过温保护。输入屯压过低时，相应的 检测电路禁止开关晶体管 vT导通。 3 LM1577的典型应用、设计 利用 LM1577可以构成一种升压型稳压电 源。设计实例的输入指标是：输入电压范围：18V ～ 32V，额定输入电压=24V，输出稳定电压 Vo= 32V，最大输出电流 Iomax=1．2A。具体的应用 电路如图3所示。 首先判断设计输入指标是否满足以下条件： Vow<60V，Vo≤10×VI，Iomax~2．1A x VI／Vo。 显然，输入指标满足条件。则可以选用 LMl577 一 ADJ进行设计，并按下面步骤进行参数设计，计 算出电感、电容、电阻的参数，并选择合适的二极 管 VD。 a．线圈电感量 L的确定 图 3 LM1577一ADI的应 用电路 F 14 第 21卷第 2期 根据相关 资料 新概念英语资料下载李居明饿命改运学pdf成本会计期末资料社会工作导论资料工程结算所需资料清单 介绍，线圈电感 L选择时可按 式(1)～(4)计算值而确定。式中，Drnax为开关 管的最大占空比，0≤D≤0．9，VF为使用的二极 管正向导通压降，对于肖特基二极管为 0．5V，对 于速恢复二极管为 0．8V(在安培级电流情况下)。 D眦 =(Vo+VF—VI i )／(Vo+VF一0．6V) =0．4545 (1) E·T=D一 (VI 一0．6)10 ／5200(Hz) =152．1(V· S) (2) 式中，E·T为线圈中蓄积的能量(时间与电 压积)。 lIND ． Dc=(1．05 X IcI一)／ 1一DI一) =2．3(A) (3) 式中 I。ND．Dc为满负载时线圈中平均电流。 电感值的确定：如果 DI一<0．85，由上述计 ∽ 咖 {j姐 · 餐 算的 E·T和 lIND．Dc在图 4求得的交点即为电感 值，如果DI一≥0．85，这时计算为保证开关稳压 器的稳定性需要的最小电感值，即 、 ：6．4(VIIIli 一0．6)(2D一 一1)／ (1一 DI一) (4) 所以，电感值的参数只能用(2)、(3)式计算 的E·T和 IlND．Dc的值在图 4求得的交点来确定。 从图(4)求得电感为 H220 H330之间，图中 数字 220和 330表示电感值为 220gH和 330t~H， 图(4)中 L或 H表示线圈中最多能蓄积的能量(E ·T)值，L表示 E·T≤90V／ s，H表示 E·T≤ 250V／tm。设计电路选用 L=250t~H的电感，电 感磁芯选用 E·T值大于 152(V· S)的环状铁镍 钼磁粉芯，具有抗饱和、低 EMI、低损耗的优点。 b．补偿网络 R3、Cc和输出电容 Co的确定 图 4 电感值选择图 补偿网络 R3和 Cc作用是使内部反馈环路 稳定工作，其值主要取决于调节器的电压增益、 Iomax、L、和 Co大小，可以按照以下的步骤计算。 值得注意的是，计算得出的 R3和 Cc并不一定得 第 21鬈 第 2期 15 到最好的补偿效果。为了得到最好的补偿网络， 必须通过输出电压 Vo(在带负载的特性下)的动 态响应进行测试后再确定 R3、Cc的具体参数值。 R3≤ (750×I一 ×V )／vI“ ：2．962k~'1 (5) 同时器件要求 R3≤3kfl，在实验的基础上选 用 R3：2．87 kQ的电阻。 Co的计算有两种方法，即式(6)和式(7)。 C0≥ (0．19×L×R3×I一 )／(VI in× Vo)=295t~F (6) Co≥{VI in×R3×[VI j +(3．74×10 × L)]}／487800×vo=364vF (7) 为了确保输出电压的稳定性，输出电容应同 时满足(6)、(7)两式，输出电容 Co纹波电流计算 公式(均方根值)如下： IRIPPLE(RMS)：(I一 ×Dm )／(卜 D砌 )= 1．04A 电容纹波电流参数在频率 52kHz下应： ≥IR肿LE( S)+0．5×IRIPPLE(RMS) =1．56A (8) 电容 Co 的等效串联电阻参数应同时满足式 (9)、(10)的条件。 ESR≤(0．01×Vo)／IRIPPLEI，P-P) =0．121Q (9) EsR≤(8．7×10 ×VIⅡIin)／I。一 =0．125Q (10) 式(9)中 IRIPPLE(P-P)：(1．15×I一 )／ (1一DI一)=2．64A (11) 所以输出 电容 Co的选 择应满 足式 (9)、 (10)、(11)的条件，在实际电路设计中采用两只 ESR=0．068、Ig肿LE=0．785A、电容值为 220vF 铝电解电容并联。 补偿电容 Cc也是软启动电路的一部分，电源 接通时，晶体管的开关占空比以一定的速率攀升， Cc就控制晶体管的开关占空比在电源刚接通时 的攀升速率，如果没有电容 Cc，则晶体管的开关 占空比在电源刚接通时瞬间达到 90％，就会从输 入端拉入很大电流，为保证电源软启动工作，Cc 建议大于 0．22时I， 计算公式 六西格玛计算公式下载结构力学静力计算公式下载重复性计算公式下载六西格玛计算公式下载年假计算公式 如下 Cc≥(58．5×vo×Co)／(R3 ×VI)=177．8nF (12) ’ 由于正常工作时的额定输入电压为 24V，计 算得出 Cc：133nF，在输出动态响应试验的基础 上，Cc的电容值实际选取为 100nF，使输出电压 稳定，在本设计中，牺牲软启动功能参数而保证了 电压输出指标。 C．输出电压调节电阻 R1和 R2的确定 电阻 R1和 R2确定输出电压的大小，输出电 压Vo和R1、R2的关系如式(1 3)所示 ，式 中， 1．23V为片内基准电压，可根据式(13)的关系确 定 R1、R2的值。 Vo=1．23V×(1+R1／I ) (13) 在实际电路中：R1=50kQ，R2=2k~'l d．输入端电容 Cin的选择 LM2577为开关工作状态，必然拉动输入端电 源出现三角纹波电流，这必然会使输出电压产生噪 声，可以在电源输入端并联一个低 ESR，0．1 的 电容，以旁路噪声，此电容的引脚应尽量短。另外 为使电路稳定工作，防止输入电源电压的抖动，要 接入大容量的电解电容器(220 左右)。 e．开关二极管 VD选用 对开关二极管 VD的要求是：承受的反向电 压要大于输出电压，平均额定电流要大于最大输 出负载电流，峰值额定电流要大于电路中峰值电 流。二极管的选用可参照表 1。在实际的电路设 计中选用 1N5822型肖特基二极管。 4 结束语 模拟试验 证明 住所证明下载场所使用证明下载诊断证明下载住所证明下载爱问住所证明下载爱问 ，用 LM15577一j 型电压调 节器设计的开关电源(电路如图3)，在负载的变 化范围内，输出电压范围为：32±0．2V，精度满足 了使用要求。且应用在无刷直流电机控制器中作 为电机驱动电源。 《下转第40页) 第21 0第 2期 cess软件的应用可很快地检索到所需的信息，大 大提高了工作效率，并使管理工作得到了简化。 总之，在 Access的应用中，首先“表”的建立 是非常重要的，它要包含工作中所需要的所有信 息，“表”就是数据库的资源中心。如果需要，可以 建立多个表，并用“工具”一“关系”命令在表之间 建立关系。Access最强有力的特色之一，就是它 在多个表之间建立关系的能力。其次是“查询”的 建立和使用，可快速完成数据的筛选及汇总工作。 参考文献 袁正光 等．办公 自动化 office 2000．北京 ：电 子 工业 出版社 ．2000． (上接第 15页l 表 1 二级管选择对照表 V_0 肖特基二极管(Schottky) 速恢复二极管(Fast Recovexy) (max) 1A 3A 1A 3A 2OV 1N5817 1N5820 M[BR130P M．BI 2OP 3OV 1N5818 1N5820 M．BR130P M．BI 3OP 11DQ03 31D(~3 40V 1N5819 1N5822 M．BR140P MBR340P l1DQ04 31DQ04 50V M．BR150P M．BI 5OP 1N4933 11DQ05 31DQ05 MUR105 10oV 1N4934 M 谗51 HER102 30DL1 MUR110 M旺谗31 1ODL1 HER3O2 参教 献 国防 ,2001 ． 螈 酣 辚 北 1 赵学泉．张国华 ．电源电路．北京：电子工 3 张力．赵永健．现代电力电子技术一器件． 业出版社，1995． 电路及应用．北京：科学出版社，1992．