氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展

王兰义等：氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展 氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展。 王兰义1一，徐政魁2，唐国翌1 。(1．清华大学深圳研究生院新材料研究所，广东深圳518055； 2．香港城市大学物理及材料科学系，香港九龙) 摘要： 综述了氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展，分 析了粉体特性对压敏电阻微观结构和电性能的影响以 及粉体制备中存在的问 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 。对粉体的制备方法和应用 前景进行了展望，指出化学法合成复合粉体和高能球 磨法制备纳米粉体是氧化锌压敏陶瓷粉体的两个主要 发展趋势。 关键词： 氧化锌压敏电阻；陶瓷粉体；化学合成法；高 能球磨法；纳米粉体 中图分类号：TQl32．41；TM282文献标识码：A 文章编号：1001—9731(2008)08—1237一05 1 引 言 氧化锌压敏电阻器(或非线性电阻)一般是由ZnO 粉料按不同配比掺杂Bi、Sb、Co、Mn、Cr等金属氧化 物，通过常规电子陶瓷制备工艺高温烧结而成。按外 形和结构的特征，压敏电阻器可分为[1．2]：单层结构压 敏电阻器、多层结构压敏电阻器和避雷器用压敏电阻 片(或阀片)。压敏电阻器的性能取决于它的微观结 构，而形成其微观结构的关键技术在于形成陶瓷体的 粉体性能。所以，ZnO压敏陶瓷粉体的合成工艺是制 备高性能氧化锌压敏电阻器的起点和先决条件。陶瓷 粉体按粉体粒度大小可分为微米级(1～100pm)、亚微 米级(o．1～1肛m)及纳米级(1～100nm)粉体。其制备 方法主要有固相法、化学法及高能球磨法等。传统的 固相法合成的粉体一般为微米级粉体，化学法和高能 球磨法可获得亚微米级及纳米级粉体。对于化学法来 说，可以把Zn与其它掺杂元素如Bi、Co、Mn、Sb和Cr 等按配方同时合成而成为复合压敏陶瓷粉体；也可以 先将其它掺杂元素如Bi、Co、Mn、Sb和Cr等按配比同 时合成为复合氧化物，然后再与亚微米级的ZnO按配 方混合在一起，以上两种方法都称为复合压敏陶瓷粉 体。与固相法合成的粉体相比，由于复合压敏陶瓷粉 体中各种元素的分布更均匀，因此压敏电阻的各项电 性能也得到了提高。 随着氧化锌避雷器向高通流能力、超高压化(系统 电压现已达loookV)、小型化(气体绝缘开关(GIS) 用]及直流输电的方向发展j，对氧化锌电阻片提出了更 加严格的要求【3“]，对电阻片性能起关键作用的压敏陶 瓷粉体的性能要求也随之提高。同时随着多层片式压 敏电阻器向小型化方向的发展，也对压敏陶瓷粉体的 特性尤其是添加元素分布的均匀性和粒度提出了更高 的要求，粉体的粒度最好为亚微米级或纳米级[2]。 近年来国内外ZnO压敏陶瓷粉体制备技术取得 了较大进展，其中化学合成法研究较多[5’6]。化学合成 法主要有：共沉淀包膜法[7_。1、化学共沉淀法[10~16]及 溶胶一凝胶法[1“17’18]等；纳米压敏陶瓷粉体的制备方法 有高能球磨法[¨～毖]及液相包裹法[23矗妇等。 2粉体特性对ZnO压敏电阻微观结构和电性 能的影响 ZnO压敏电阻的显微结构可以看成是由ZnO晶 粒一高阻晶界层一ZnO晶粒组成的不规则立体网状结 构。晶界层由铋和其它金属氧化物组成。要得到性能 优良、寿命长及工作可靠的压敏电阻，掺杂金属氧化物 必须均匀地分布在ZnO瓷体内，形成均匀的晶粒和晶 界层结构[7墙]。 传统的ZnO压敏陶瓷粉体的合成工艺是固相法， 它以固体物料在高温下经热分解或高温反应而得。这 种方法不易保证成分准确、均匀，而且还会带来研磨介 质的污染，也不可能获得粒度细、活性好的粉体[5西]。 在配方一定的前提下，如何改善氧化锌与添加料的粉 料特性和混合料的均匀性，特别是降低添加料粒度及 分散性，是稳定和提高氧化锌非线性电阻工艺中最关 键的环节【7]．采用新型方法合成高品质的压敏电阻用 陶瓷粉体，可以从根本上提高氧化锌压敏电阻性能。 众所周知，ZnO压敏电阻的压敏电压(或击穿电 压)等于单位厚度晶界的数量乘以每个晶界的压敏电 压，单个晶界的压敏电压一般为3V左右，因此，ZnO 晶粒越小，单位厚度方向的晶界的数量越多，其结果是 击穿电压越高。因此可用纳米粉体作为起始原料制备 具有较好微观结构和含有较多晶界的高电位梯度压敏 电阻器。同时由于纳米材料微粒颗粒小，比 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面大、化 学活性高并有高的扩散速率，因而用纳米粉体进行烧 结，致密化的速度快，还可以降低烧结温度，提高电阻 片微观结构和成分的均匀性，防止晶粒过分生长，从而 提高能量耐受能力[2阳。 由图l可以看出，固相法所合成粉体(BET比表 面积为2．8m2／g)制备的压敏电阻的晶粒粒径较大而 ·基金项目：清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放基金资助项目(KF0503) 收到初稿日期：2008一01—18 收到修改稿日期：2008一04一17 通讯作者：王兰义 作者简介：王兰义 (1967一)．男，河南社旗人。在读博士，师承唐国翌教授和徐政魁博士，从事功能陶瓷材料和器件的研究． 万方数据 1238 助 能 财 抖 2008年第8期(39)卷 且粒径大小分布不均匀，平均粒径约为12pr{l，压敏电 阻的电位梯度为183V／mm，但化学法合成粉体(BET 比表面积为16m2／g)制备的压敏电阻的晶粒粒径较小 而且粒径大小分布均匀，平均粒径约为6肛m，压敏电阻 的电位梯度为249V／mm，两者的烧结温度均为 1050℃cl¨。可见使用化学法合成粉体可提高压敏电 阻的电位梯度和压敏陶瓷微观结构的均匀性。 图l 固相法和化学法所合成陶瓷粉体制备的压敏电 阻断面扫描电镜(SEM)照片 FiglSEMimagesofvaristorfracturesmadebybaU miUingpowderandchemicallysynthesized powder 日本已开发出电位梯度高达600V／mm、方波通流 容量为300J／cm3、优良}y非线性和老化性能的超高 电位梯度电阻片口“]。用这种超高电位梯度电阻片组 装的800kVGIS用避雷器与用高电位梯度(400V／ mm)组装的同型号的避雷器相比，避雷器的体积减小 了45％。两种电位梯度电阻片的主要区别是高电位 梯度的电阻片瓷体的晶粒较小而且均匀。由图2可 知，随着晶粒粒径的减小电位梯度在增加，超高电位梯 度电阻片的平均粒径只有5．2肛m。因此，要制备这种 高电位梯度、高通流容量的电阻片就要使用掺杂元素 混合均匀的亚微米级或纳米级的ZnO压敏陶瓷粉体。 随着多层片式压敏电阻器向小型化(外形尺寸o．4 mmxo．2mm)和低压化(直流工作电压3．3V)方向的 发展[2]，要求压敏陶瓷粉体的粒度最好为亚微米级或 纳米级。同时使用亚微米或纳米材料可降低压敏陶瓷 烧结温度，减少多层压敏电阻中银／钯内电极中钯的含 量甚至用纯银作内电极，从而降低成本。可见低压多 层压敏电阻是纳米粉体一个具有潜力的应用之处。 图2不同电位梯度ZnO电阻片的显微结构 Fig2ImprovementofmicrostructureofZnOvaristorswithdifferentgrainsizes 3 zn9压敏陶瓷粉体制备方法及比较 ；：i．1化冀霎淀包膜法 3．1 固相法 固相法制备ZnO压敏陶瓷粉体是把质量比90％ 左右的纯ZnO与其它金属氧化物粉体如Bi：0。、 Coz03、MnOz、Sbz03和Cr203等在球磨机或其它机 械混合设备中混合。由于主原料ZnO粉体的平均粒 度在o．7pm左右，而添加剂粉料的平均粒度在5pm左 右。通过两次球磨和一次煅烧，添加剂中各元素的分 布均匀性得到了一定提高，但其粉料的平均粒度很难 降至ZnO粉体平均粒度以下，这对形成最终的理想的 压敏陶瓷的微观结构非常不利，严重影响压敏电阻性 能。固相法制备ZnO压敏陶瓷粉体的工艺如下【7]： 添加剂称量(或加ZnO)一添加剂搅拌球磨(或球 磨)一喷雾造粒一煅烧一添加剂搅拌球磨(或球磨)一 胶体磨混合(或加ZnO)一喷雾造粒一粉体。 美国一公司开发了一种可克服传统混合工艺缺点 的共沉淀包膜制备ZnO粉体工艺[8]。ZnO粉体的水 溶液浆料与掺杂金属的化学溶液混合，在反应容器中 发生化学反应并且使掺杂金属包裹在ZnO粉粒上。 ZnO成为掺杂物沉淀包膜的晶核，大多数掺杂离子均 能沉积在活性ZnO微粒表面形成包膜层，经一定时间 反应后可得到组成恒定、粒度小及分布均匀呈近似球 形的粉体。通过对包裹的Zn0粉体进行SEM 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 ， 这种均匀包裹的ZnO粉体在形态上非常像最后烧结 工艺中的压敏陶瓷，包裹掺杂物的Zn0粉体粒度在 o．8pm以下。与固相法相比，用这种方法制备的氧化 锌电阻片的电性能提高了许多。 3．2．2化学共沉淀法 作者[10]使用法国PCF公司提供的草酸盐共沉淀 法生产的复合压敏陶瓷粉体[11]来制备多层氧化锌压 敏电阻，SEM分析发现掺杂元素在压敏陶瓷中的分布 万方数据 王兰义等：氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展 更加均匀，因此多层压敏电阻的电性能优于固相法的。 袁方利等[12]利用Zn、Bi、Co、Mn和Cr的硝酸盐 及SbCl。，以NH。·H20为沉淀剂，采用化学共沉淀工 艺制备出了ZnO复合压敏陶瓷粉体。这种粉体的粒 度为O．5弘m，活性好，比表面积为7．93m2／g。用这种 复合陶瓷粉体所制备的压敏电阻的电位梯度为304．6 V／mm，非线性系数口为50，性能远优于固相法粉体所 制备的压敏电阻。这些优异性能源于共沉淀粉体混合 均匀，因而能够制得微观结构均匀的压敏电阻。李红 耘等[13]采用化学共沉淀法制备的ZnO纳米复合压敏 陶瓷粉体，研制出的压敏电阻器的电位梯度<330V／ mm，漏电流58。林元华等[16] 用化学共沉淀工艺制备出了粒度为10～50nm的ZnO 纳米复合压敏陶瓷粉体，所制备的压敏电阻的电位梯 度为500V／mm，非线性系数口为54。 “ 3．2．3溶胶一凝胶(sol—gel)法 林炯志等["]以s01一gel法制得的ZnO压敏陶瓷前 躯体粉体具有单一分布及亚微米级的粒度，粉体平均 粒度为20nm。在烧结温度为950℃(1h)时，可获得电 位梯度为895V／mm、非线性系数口为58及泄漏电流 密度为0．514弘A／cm2的压敏电阻器。这种Zn0压敏 电阻器具有较小晶粒且均匀的微观结构，因此在较低 的烧结温度下即可获得优异的瞬间响应时间。 章会良等[18]把各种添加剂元素的硝酸盐或卤化 物先溶于三乙醇胺或乙二醇乙醚中，然后以柠檬酸为 络合剂并控制溶液的pH值制备溶胶，这种溶胶经 150℃干燥成为干凝胶，将干凝胶在540℃焙烧制得复 合纳米添加剂粉体。用这种方法得到的ZnO压敏电 阻具有粉体掺杂均匀、晶粒粒径小、分布均匀，其电性 能也较传统工艺有很大提高。以D10mm×1mm规格 的压敏电阻为例，8／20弘s通流能力达到了2700A，2ms 方波能量耐受能力超过705．6J／cm3，漏电流约为0．13 肛A，非线性系数口为53。 3．3纳米Zn0压敏陶瓷粉体的制备 3．3．1高能球磨法 高能球磨技术是利用球磨机的转动或振动，通过 磨球与罐壁和磨球与磨球之间进行强烈的撞击，将粉 末进行撞击、研磨和搅拌，把材料粉碎为微细颗粒的方 法。它与传统的低能球磨不同，传统的球磨工艺只对 物料起粉碎和均匀混合的作用，而在高能球磨工艺中， 由于球磨的运动速度较大，可将足够高的动能从磨球 传给粉末样品，粉末高度细化、产生塑性变形、固相相 变，从而达到合成新材料的目的n引。高能球磨技术是 制备纳米、纳米晶粉体的一种重要的方法，可以提高粉 体的活性，从而降低烧结温度，有助于提高电位梯度。 刘宏玉等[幻，21]将由直径约O．1弘m球形和DO．4 肛m×0．2弘m的短柱状颗粒构成的压敏电阻混合粉体 用高能球磨5h后，ZnO粉体粒度由120nm降至 43nm。高能球磨增强了粉体的烧结性，使烧结温度降 至800℃。800℃烧结的ZnO压敏电阻的相对密度达 98．94％，电位梯度为1528V／mm，漏电流为20弘A，非 线性系数口为15．4，晶粒尺寸为1．4弘m。 、 高能球磨法在制备纳米级的压敏陶瓷粉体时，球 磨条件对最终产品的微观结构和性能影响极大，一般 的球磨时间为5h。具有较好精细微观结构的纳米晶 压敏电阻的电位梯度比商用压敏电阻的电位梯度大一 个数量级，为1500V／mm，非线性系数口为50，平均晶 粒粒径<2肛m且分布较窄，泄漏电流较小，致密度较 高‘221。 3．3．2液相包裹法 Y．K．Li等[23]利用液相纳米包裹技术在亚微米级 的Zn0上包裹一层纳米级的氧化物添加剂，SEM显 示这种ZnO复合粉体是均匀包裹的，粒度较小。制备 的压敏电阻的电位梯度为540V／mm，非线性系数口为 50，远大于传统的固相法。 S．C．Pillai等[2妇通过在纳米ZnO上包裹添加剂 的金属盐制备出“壳芯型”压敏电阻粉体，所制备的压 敏电阻比商用压敏电阻的击穿电压高大约70％。这 要归功于“壳芯型”方法形成了较小的晶粒，因此，增加 了压敏电阻单位厚度的晶界数量和提高了添加剂的分 布均匀性。 3．4粉体制备方法的比较 3．4．1共沉淀包膜法与固相法的比较 共沉淀包膜法的优点：Zn0粉体与添加剂金属氧 化物均匀混合，改善了烧结ZnO压敏电阻的微观结构 均匀性。烧结温度低，从而排除了氧化铋的高温挥发 问题。缺点：工艺复杂，生产成本相对较高。固相法的 优点：工艺成熟，成本较低。缺点：Zn0和添加剂混合 不均匀，烧结温度高。 共沉淀包膜法由于掺杂组分在粉体制备阶段就匀 质地包裹覆盖在ZnO微粒表面并形成一层薄膜，则烧 结时有利于离子尽快扩散到ZnO晶粒表面形成富 Bi。03相和不连续的尖晶石相，成为典型的ZnO压敏 电阻体结构，因此该工艺制备的非线性电阻如表1的 电性能优于固相法的[7．8]。 表l_两种氧化锌粉体所制备的非线性电阻的性能比 较(以D42mm非线性电阻为例) Table1 Comparisonofelectricalpropertiesoftwo kindsofvaristorsmadebvdifferentZnO powders 参数 ． 共沉淀包膜法‘ 田相法“ 烧结温度 、 低 高 电位梯度 高 纸 泄漏电流 较小 小 残压比(U5“／阢“) 较低 ‘ 低 2ms方波(18次)(A)500 300 4／10扯s大电流冲击(kA)≥100 ≥100 注：‘美国Raychem公司氧化锌非线性电阻； “日本某公司氧化锌非线性电阻． 万方数据 1240 助 能 财 料 2008年第8期(39)卷 3．4．2纳米粉体与固相法粉体的比较 刘勇飞n53在使用纳米材料后发现，氧化锌电阻片 微观结构更加致密，晶粒尺寸相差不大，界面结合状态 良好，尖晶石分布更为均匀。Bi和Sb两种元素的分 布更加均匀，这表明氧化锌电阻片成分均匀性得到了 明显提高。纳米材料发挥了优良的改性作用，氧化锌 电阻片综合性能得到明显改善，尤其是通流能力大幅 提高。 由以上比较可见，固相法制备的氧化锌粉体只能 满足一般压敏陶瓷的需要。要制备高性能(如使用寿 命长、非线性系数大、漏电电流小等)的氧化锌压敏电 阻，必须采用化学法[18’26]合成的粉体或纳米粉体。 4 ZnO压敏陶瓷粉体制备方法的分析与展望 陈青恒等【273采用二维Voronoi网络模型分析了 氧化锌非线性电阻陶瓷的电流、温度和热应力的分布。 认为提高非线性电阻片晶粒尺寸的均匀程度、减小氧 化锌晶粒尺寸的平均大小可以显著降低陶瓷内部的温 度差异和热应力，从而提高非线性电阻的冲击能量吸 收能力。由于制造工艺的限制，前者较难实现，后者可 通过添加能有效阻止晶粒过分生长的新成分、减小原 材料粉体粒度和降低烧结温度等措施实现，相对容易， 这对高电位梯度、大通流容量氧化锌非线性电阻片的 开发研究具有很好的参考价值。南策文等[28]提出了 计算ZnO压敏电阻}y特性的模型，认为高的晶界势 垒高度和窄的晶粒大小分布均可产生更加优异的I-V 特性。因此采用粒度分布范围窄的亚微米级及纳米级 粉体更有利于制备各项性能优异的压敏电阻器。 压敏电阻制造工艺中最重要的是ZnO和其它金 属氧化物的均匀混合[7．。]。采用化学法合成压敏陶瓷 粉体，提高了各添加元素在压敏陶瓷中的化学分布均 匀性，使产品的微观结构均匀性大大改善，提高了产品 性能参数的一致性和产品的合格率．对提高压敏电阻 器通流容量重要指标特别有利，同时这种粉体还具有 降低陶瓷的烧结温度、改善陶瓷产品的脆性等优点。 对于多层片式Zn0压敏电阻，可采用低温电极材料， 极大地降低产品的成本费用。同时，随着多层片式 ZnO压敏电阻尺寸的缩小，相邻内电极之间的陶瓷层 厚度越来越小(<10弘m)，这就要求陶瓷粉体更加细小 均匀，压敏陶瓷结构更加均匀一致。 高能球磨法是一种制备纳米压敏陶瓷粉体非常有 效的一种新方法。化学共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷 粉体的技术已经成熟，国内外均有厂家在大规模化生 产，而且价格与固相法的价格相差无几。溶胶一凝胶法 制备znO压敏陶瓷粉体的工艺复杂及制造成本较高， 目前还没有形成大规模化的生产．纳米材料可以大幅 度提高电位梯度、非线性系数和能量密度，对制备高性 能压敏电阻具有重要意义。但是，纳米材料的分散也 是一个亟待解决的问题。 目前，国外有些大的氧化锌避雷器制造厂家如美 国的Cooper公司[n1及瑞典／瑞士的ABB公司[1们和压 敏电阻(包括单层结构和多层结构压敏电阻)的制造厂 家如德国的EPCOS公司[15]及美国的Littelfuse公 司[2叼在近年来已经进行化学法合成压敏陶瓷粉体和 纳米压敏陶瓷粉体的研究了，并在实际生产中使用了 这种粉体。美国Raychem公司[8]用共沉淀包膜法制 备ZnO压敏陶瓷粉体，并在生产中使用这种粉体来制 备高性能压敏电阻。国内的许多压敏电阻制造厂家还 在使用固相法的粉体来制造压敏电阻，产品的各项电 性能及其一致性和国外的差距可想而知。值得欣慰的 是，随着人们对粉体在压敏电阻生产中重要性的认识， 国内已有复合压敏陶瓷粉体的制造厂家和使用厂家， 如山西丰海纳米公司[133用氨浸法生产亚微米级和纳 米级复合压敏陶瓷粉体，深圳银星电力公司[25]已开始 使用纳米材料来生产氧化锌电阻片。‘ 5 结 语 ZnO压敏陶瓷粉体的制备工艺对znO压敏电阻 的性能起着决定性的作用。液相化学合成法能制备出 成分均匀、粉末粒度细、粒度分布范围窄、化学活性强 的复合瓷粉。高能球磨法是一种制备纳米压敏陶瓷粉 体非常有效的一种新方法。纳米材料可以大幅度提高 ZnO压敏电阻的性能，降低烧结温度和节能。但是，纳 米材料的分散也是一个亟待解决的问题。传统的固相 法合成粉体已无法满足制备高性能压敏电阻的需求． 通过对几种液相化学合成法制备ZnO压敏陶瓷 粉体的方法的分析，可以发现，化学共沉淀法制备ZnO 压敏陶瓷粉体的技术已经成熟，而且价格与固相法的 价格相近，因此具有广阔的生产和应用前景。建议国 内氧化锌避雷器制造厂家和压敏电阻(包括单层结构 和多层结构压敏电阻)的制造厂家在生产高性能的氧 化锌压敏电阻时使用化学法合成的复合压敏陶瓷粉体 和高能球磨法制备的纳米压敏陶瓷粉体，以利于产品 性能的提高和缩小与国外产品的差距。总之，随着压 敏电阻应用范围的不断扩大，对其性能的要求愈来愈 高，对决定其性能的陶瓷粉体的特性要求也愈加严格， 因此，化学法合成复合粉体和高能球磨法制备纳米粉 体是氧化锌压敏陶瓷粉体的两个主要发展趋势。 致谢；感谢中固科学院上海硅酸盐研究所李固荣研览更和 清华大学材料系张中太教授对本文所提出的修改建议． 参考文献： [1]王兰义．[J]．电瓷避雷器，1999，(3)t27—32． [2]王兰义．吕呈祥。唐国翌．[J]．电子元件与材料，2006，25 (12)t8—11． [3]安藤秀泰，宇田川刚．深野孝人．[J]．柬芝p匕工一． 2002，57(10)l58．61． C4]安藤秀泰，小松克朗，山本浩羲．[J]．柬芝v匕工一， 万方数据 王兰义等：氧化锌压敏陶瓷粉体的研究进展 1241 2006，61(10)l66—69． 【)ptElectron，1999，8l 194。198． [5]刘桂香。徐光亮，马建军。等．[J]．中国非金属矿工业导[17]林炯志，黄致凯，李伟雄。等．[J]．中正嵌翠鞭，2005， 刊，2005，(2)18—11． 34(1)：l·10． [6]刘桂香，徐光亮．罗庆平．[J]．化工进展，2007．26(2)t[18]章会良．曹全喜．[J]．仪表技术与传感器，2007．(8)。 234·237． 10．11． [7]王兰义，职建中。李永祥．等．[J]．电瓷避雷器，z002，[19]刘宏玉．高电位梯度氧化锌压敏陶瓷的制备、显微组织 (2)。44—48． 结构及电性能研究[D]．上海：华东师范大学．2006． [8]wisemnGH．[J]．KeyEngMater，1998．150；209一[20]刘宏玉．孔慧，蒋冬梅，等．口]．硅酸盐学报。2006， 218． 34(4)t483—486． 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学,物理及材料科学系,香港,九龙)， 徐政魁,XU Zheng-kui(香港城市大学,物理及材料科学 系,香港,九龙)， 唐国翌,TANG Guo-yi(清华大学,深圳研究生院新材料研究所,广东,深圳 ,518055) 刊名： 功能材料 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年，卷(期)： 2008,39(8) 被引用次数： 3次 参考文献(28条) 1.刘桂香;徐光亮;马建军 高压氧化锌压敏陶瓷粉体的制备现状及研究进展[期刊论文]-中国非金属矿工业导刊 2005(02) 2.安藤秀泰;小松克朗;山本浩義 查看详情 2006(10) 3.安藤秀泰;宇田川剛;深野孝人 查看详情 2002(10) 4.李红耘;罗绍华;乔爱平 纳米复合技术改善ZnO压敏电阻微观结构及电性能一致性的研究[期刊论文]-电瓷避雷器 2005(02) 5.袁方利;季幼章 查看详情 1998(02) 6.PuyaneR;GuyI;MetzL 查看详情 1998 7.Nan C W;Clarke D R THE INFLUENCE OF PARTICLE SIZE AND PARTICLE FRACTURE ON THE ELASTIC/PLASTIC DEFORMATION OF METAL MATRIX COMPOSITES[外文期刊] 1996(12) 8.李春;李自强;彭忠东 共沉淀包膜法制备氧化锌压敏陶瓷粉料的研究(Ⅱ)[期刊论文]-功能材料 2000(02) 9.WisemanGH 查看详情 1998 10.王兰义;职建中;李永祥 固相法与共沉淀包膜法制备氧化锌非线性电阻陶瓷粉体的比较[期刊论文]-电瓷避雷器 2002(02) 11.刘桂香;徐光亮;罗庆平 不同方法合成掺杂ZnO粉体制备ZnO压敏电阻[期刊论文]-化工进展 2007(02) 12.王兰义;吕呈祥;唐国翌 多层片式压敏电阻器的最新发展动向[期刊论文]-电子元件与材料 2006(12) 13.陈青恒;何金良;谈克雄 晶粒尺寸对氧化锌非线性电阻片中温度和热应力的影响[期刊论文]-中国科学E辑 2002(03) 14.宋桂明;白厚善;杨跃平 ZnO压敏复合瓷粉的制备[期刊论文]-有色金属 2000(04) 15.刘勇飞 应用纳米材料提高氧化锌电阻片通流能力[期刊论文]-电瓷避雷器 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