扫描电子显微镜之--二次电子SE背散射电子BSE特征X射线

   扫描电子显微镜发展的核心任务，是追求对各种固体材料表面的高分辨形貌观察。形貌图像采用二次电子信号进行成像，图像分辨率和放大倍数连续可调，大景深，立体感强是其基本特色。然而实现扫描电镜的商品化，从扫描电镜发明和发展历史上看 ，自1935年Knoll研究二次发射现象，偶然观察到靶材的形状，到1965年商品化扫描电镜的推出，经历了30年。这期间对于扫描电镜成像信号的认识和利用是一个不断探索的试验研究过程。对成像信号进行深入研究，不断改进仪器性能，最后对成像信号理论有了全面认识，改进提升了了关键技术，图像分辨率有了显著提高，扫描电镜才得以以商品化的形式突飞猛进的发展。通过不断对电子光学电子枪，电磁透镜，以及信号探测及成像信号系统的改进，扫描电镜的分辨率虽然已经达到了很高水平，但距离电子光波的分辨率限度，还有非常大的发展空间。2010年报道，科学家已经研制出可以用在场发射电子枪上的六硼化镧针尖，据科学家介绍，这有望使得扫描电镜分辨能力有一个飞跃性提高。酷塞目北京办公室驰奔                 如果说对于电子束样品作用区发射信号的本质认识，发展和完善了扫描电镜性能和附属装置和装备。那么对于扫描电镜电镜应用者，对于不同信号与物质信息相互机制的深入认识，也是非常必要。酷塞目北京办公室驰奔                                                                                        扫描电子显微镜分析系统结构酷塞目北京办公室驰奔   一、二次电子及成像机制原理酷塞目北京办公室驰奔  定义：从样品中出射的能量小于50ev的电子。 酷塞目北京办公室驰奔            成因：二次电子是由于高能束电子与弱结合的导带电子相互作用的结果，这个相互作用的过程制造成几个电子伏的能量转移给导带电子，所引起的二次电子能量分布，在3-5ev处有一个数量峰值，当能量增加时，分布陡降。酷塞目北京办公室驰奔             二次电子的出射深度：5-50nm酷塞目北京办公室驰奔   二次电子产额δ=Ise/Ibeam 酷塞目北京办公室驰奔  1)、二次电子的产额与样品表面几何形貌（电子束入射角度）关系酷塞目北京办公室驰奔  二次电子逃逸深度d与电子束产生二次电子的路程      δ（θ）∝δ0/cosθ 酷塞目北京办公室驰奔        δ0为θ=0°时二次电子产额，为常数； 酷塞目北京办公室驰奔        θ为入射电子与样品表面法线之间的夹角，　　酷塞目北京办公室驰奔        θ角越大，二次电子产额越高，这表明二次电子对样品表面状态非常敏感。             大角度倾斜，有利于提高图像信噪比和图像分辨率，对于非导电样品，可以减少减轻荷电的原因，在很大程度上可以免做导电处理，但不同的倾斜角度，对其他分析功能带来不方便。酷塞目北京办公室驰奔                                                                                                                   尖、棱、角处δ增加酷塞目北京办公室驰奔                                                                                                     沟、槽、孔、穴处δ减小酷塞目北京办公室驰奔  2）、二次电子的产额与样品作用区成分(平均原子序数）的关系酷塞目北京办公室驰奔  加速电压为20kv，入射电子束 beam直接二次电子产额酷塞目北京办公室驰奔  碳成分：δb约为0.05酷塞目北京办公室驰奔  Au成分：δb约为0.2   酷塞目北京办公室驰奔  绝大多数成分：δb约为0.1酷塞目北京办公室驰奔  当加速电压为20KV时，二次电子产额约为束电子10%，与样品成分（原子序数）关系不大。        出射样品表面的背散射电子的二次电子产额δbsη，一般δbsη/δb=3-5酷塞目北京办公室驰奔       背散射电子产生的二次电子更多：酷塞目北京办公室驰奔  ·Bse比垂直入射的初始电子束电子以比较小的角度到达表面，背散射电子比在二次电子平均逃逸深度的入射电子有较长的路程，在临界层产生较多二次电子。酷塞目北京办公室驰奔  ·背散射电子与单一能量的入射束电子相比，能量分布向较低能量值伸展，低能电子容易产生二次电子，因此二次电子比入射电子更多。酷塞目北京办公室驰奔  对于低原子序数基体，由初级束电子产生的二次电子信号占主要部分；高原子序数靶中，由背散射电子产生的二次电子为主要部分。（ Everhart等人（1959）指出：入射电子产生的二次电子发生在λ/2的束电子轨迹内，对于金属，这个轨迹的距离为0.5nm，在接近表面的5λ逃逸范围内的入射电子，除了接近180°的高能背散射电子以外，基本上不会在样品中扩散，所以主要产生二次电子逃离区域的直径是入射电子的直径扩大λ倍；而由背散射电子产生的二次电子穿过整个背散射电子的逃逸区域而射出，这个区域的直径可能为1μm或者更大。） 3）、二次电子的产额与加速电压（电子束能量）的关系 酷塞目北京办公室驰奔  对于金属材料，Emax=100-800eV,δmax=0.35-1.6,而绝缘体的Emax=300-2000eV,δmax=1-10。电子束能量（电子枪加速电压）从0开始，δ随能量增加而升高，在1kev处达到顶峰，然后随电子束能量增加而下降。20kev时AL的δ值降低到0.1酷塞目北京办公室驰奔        50kev时AL的δ值降低到0.05酷塞目北京办公室驰奔   4）、二次电子强度的空间分布：当电子束垂直样品时，二次电子强度相对样品表面法线遵循余弦分布，而且在样品倾斜时候，二次电子的强度分布，仍然保持余弦分布。二次电子发射的方向性不受样品倾斜影响。酷塞目北京办公室驰奔  酷塞目北京办公室驰奔                 如果二次电子探测器收集偏压为0，那么探测器安装的取出角度，对信号收集的影响非常大。但由于增加了收集偏压，几乎所有二次电子都可被探测器接收，不存在探测器安装角度“视线” 产生的阴影效应。酷塞目北京办公室驰奔  二次电子图像反差机制：酷塞目北京办公室驰奔  二次电子，背散射电子 +  高灵敏二次电子探测器 +  电子束扫描作用= 二维形貌图像 1、二次电子图像的形貌反差：酷塞目北京办公室驰奔         因为二次电子的产额与电子束和样品间的入射角有确切的函数关系，并且二次电子出射深度为样品10nm以下的表层。电子束入射角因样品表面的几何形态（形貌）而变化，二次电子产额随着形貌有规律变化，图像生成过程中，形成了与样品表面几何形状相关的图像反差。               2、二次电子图像中的成分反差： 酷塞目北京办公室驰奔  1）、约有1%-10%背散射电子直接进入二次电子探测器，形成一定的成分反差。 酷塞目北京办公室驰奔  2）、由于背散射产额远高于二次电子，与样品表面层原子碰撞激发出的SEII,与物镜下极靴碰撞，激发出的SEIII,可同时随电子束激发的SEI被探测器接收。而SEII和SEIII的产额与背散射电子的产额相关，因此间接形成一定成分反差。 酷塞目北京办公室驰奔  3）、SEII和SEIII以及BSE的存在降低了SEI代表的形貌反差，对高分辨产生干扰；同时由于其单位面积的信号强度低，成分反差不明显。       3、由于二次电子能量很低，因此容易在信号及探测系统所形成的反差机制中,受到电场和磁场干扰，但利用这个特点，可以对样品表面电压反差和表面磁场进行成像显示。酷塞目北京办公室驰奔  二、背散射电子及成像反差机制原理酷  背散射电子应用、成像探测器类型及特点四分割背散射探测器形貌模式的假象 驰奔  1、定义：经弹性散射或一次非弹性散射后，以θ>90°重新射出样品表面的束电子统称背散射电子 能量分布：E~Ep， 酷塞目北京办公室驰奔   但绝大多数背散射电子能量损失小于10%，形成明显的弹性散射峰。 酷塞目北京办公室驰奔  2、逃逸深度和取样面积直径： 出射深度粗略值   0.1-2μm 酷塞目北京办公室驰奔                                                      对于低原子序数基体，取样表面直径约为出射深度，                                                   对于高原子序数基体，取样表面直径约为2倍出射深度。3、背散射电子反射率η：   η=Ibse/Ibeam 酷塞目北京办公室驰奔  1)、背散射电子η与原子序数的关系： 酷塞目北京办公室驰奔  具有固定的函数关系， 酷塞目北京办公室驰奔                           2）、背散射电子η与入射电子束能量关系：η与入射电子束能量关系不大 酷塞目北京办公室驰奔                 η受影响不大 酷塞目北京办公室驰奔                  高能量电子→穿透深度深→不易被散射（从试样中逸出） 酷塞目北京办公室驰奔                 低能量电子→可多次反射→更多机会被散射（从试样中逸出） 酷塞目北京办公室驰奔                                                                   3）、背散射电子η与样品表面几何形貌（电子束入射角度）关系 酷塞目北京办公室驰奔        如果样品的倾斜家督增大，相互作用区的尺寸将会减小，电子束向前散射的趋势导致电子靠近表面传播，背散射电子发射的机会增加。       η随倾角θ增加而增加，但不精确满足正割关系 酷塞目北京办公室驰奔          θ角越大，背散射电子反射率越高，这表明背散射电子反射率对样品表面状态也很敏感。       但背散射电子在进入检测器之前方向不变，进入检测器的反射电子数目还与样品表面的倾斜角度有关4)、背散射电子强度的空间分布：酷塞目北京办公室驰奔              电子束垂直表面入射，背散射电子强度空间分布为余弦函数分布。这个余弦分布于表面法线旋转对称。见二次电子强度分布。                         背散射电子的空间分布   酷塞目北京办公室驰奔  但当入射角度θ，增加时，背散射电子强度分布发生变化，分布形状在向前散射的方向突出，突出的角度与入射电子束和表面法线的角度大致相同。酷塞目北京办公室驰奔    5）、能量分布：因为非弹散引起的能量损失(典型值10ev/10nm)，各逸出路径不同，所以存在一个能量分布。            同一Eo,同一Take-off角：Z小(轻)，分布宽酷塞目北京办公室驰奔                                                      Z大(重)，分布窄，更趋于W=1    同一Eo,不同Take-off角，分布情况不一样酷塞目北京办公室驰奔  4、背散射电子图像反差机理酷塞目北京办公室驰奔         背散射电子信号+  高灵敏背散射电子探测器 +  电子束扫描作用= 二维图像1）、背散射电子图像的成分（平均原子序数）反差： 酷塞目北京办公室驰奔  图像中，平均原子序数高的部位亮，原子序数低的部位暗 酷塞目北京办公室驰奔  当样品中不同区域平均原子序数Z1、Z2原子序数接近，则图像反差很低；当Z1、Z2原子序数相差远，则图像反差很高。 背散射图像对于获得样品高分辨成分（原子序数）分布像和快速区分相的个数，非常有用，背散射图像经常和EDS点分析配套使用。酷塞目北京办公室驰奔   酷塞目北京办公室驰奔  背散射只能区分平均原子序数不同的相，无法对相的成分鉴定。 酷塞目北京办公室驰奔  酷塞目北京办公室驰奔  样品表面越光滑，对于原子序数反差判断是越好，原子序数反差随着样品倾斜角度的增大而减小。2）、背散射电子图像中的形貌反差：背散射电子反射率随电子束和样品表面间的入射角的变化而有规律变化，因此形成了与样品表面几何形状相关的形貌反差。但由于背散射出射深度深，发射区域相对SE很大，空间分辨率相对SE低的多，很大程度上，反映亚表面的形貌。另外，背散射电子强度的空间分布与表面形貌关系很大，因此探测器所接收的信号随角度变化（信号取出角度不同），接收的效率明显不同，产生阴影效应。 酷塞目北京办公室驰奔  较低的加速电压，例如10kv，可以获得较高空间分辨率的背散射电子图像。  二次电子图像和背散射电子图像比较酷塞目北京办公室驰奔        二次电子像成分反差很弱，对充电效应敏感                   背散射电子像成分反差强，对充电效应不敏感酷塞目北京办公室驰奔  为了利用二次电子和背散射电子各自优势，和弥补各自缺憾，扫描电镜一般可实现两个探测器同时采集，可各自成像，对照观察，也可进行信号混合成像。实现样品形貌和成分相分布的最佳结合。酷塞目北京办公室驰奔  三、样品电流:酷塞目北京办公室驰奔  样品电流Isc=Ib-Ibs-Ise 酷塞目北京办公室驰奔                  Ib--入射电子束电流                 Ibs--背散射电子电流酷塞目北京办公室驰奔                  Ise--二次电子电流酷塞目北京办公室驰奔  图像反差机制：如果在样品上偏置一个50v偏压，则二次电子无法逃离样品，只能形成样品电流。这种情况下，样品电流图像正好是背散射电子图像的反相，如果信号反向，就如同背散射图像一样，可以用来反映样品表面的原子序数反差和形貌反差，而且由于不存在轨迹反差分量，形貌反差要优于背散射电子像。酷塞目北京办公室驰奔  四、特征能量X-ray酷塞目北京办公室驰奔      1、定义：特征x-ray：是由高能电子束与原子内层电子发生非弹性散射，把内层电子激发到外层，这时内层电子空缺由外层电子补偿。外层电子跃迁到内层时释放特定能量，大部分这个特定能量以X-ray形式从样品发射出。一些特定能量被原子吸收，激发原子另外外层电子（俄歇电子）以额外的能量发射。 酷塞目北京办公室驰奔  特征X-ray波长与能量关系：λ=12.398/E    酷塞目北京办公室驰奔        特征能量与原子序数的关系：莫赛来定律：ν=C(Z-σ)2，特征X射线频率与发射X射线的原子的原子序数平方之间存在线性关系。      X-ray产额：引起x射线发射的电离总数。 对于某个壳层，产额随原子的原子序数增加而增加。       过压比：过压比为4的电子对x-ray的产生贡献最大 酷塞目北京办公室驰奔    2、特征X-ray的出射深度：X-ray发生非弹性散射的几率很低，因此特征x-ray信号在整个作用区内是个平均量。  3、连续x-ray，和特征X-ray的产额：酷塞目北京办公室驰奔   1）、连续X射线：如果入射电子和原子核发生非弹性散射，则入射电子将连续地损失其能量，                       这种能量损失除了以热的形式释放出来外，也可能以光量子（X射线）的形式释放出，并有如下关系存在：                           ΔE＝hν＝hc/λ酷塞目北京办公室驰奔                            式中ΔE－非弹性散射的能量损失；酷塞目北京办公室驰奔                                      h－普朗克常数；酷塞目北京办公室驰奔                                       c－光速；                                  ν和λ－依次是X射线的频率和波长。酷塞目北京办公室驰奔  因为ΔE是一个连续变量，相应转变为X射线的波长也是连续可变的，结果发射出无特征波长的连续X射线，这种现象称为韧致辐射（Bremsstrahlung）。酷塞目北京办公室驰奔  连续谱的强度，是靶材的原子序数和电子束能量的函数：Icm~  iZ[（λ/λmin）-1 ]~ iZ(Eo-E)/E                       Icm连续X-RAY的强度，随电子束流i的增加而增加。                                                             随平均原子序数的增加而增加                                                             随着其能量E的增加而下降                                                             随着电子束的能量Eo的增加而增加                               连续X射线强度变化曲线。            波长与其能量成反比 连续X射线形成各种被测量的特征x-RAY的背底，所以连续谱辐射的高度对确定某个元素的最小检测限起着重要作用。2）、特征X-RAY的产额ωx  酷塞目北京办公室驰奔                                                K、L、M系特征X射线产额。 酷塞目北京办公室驰奔   由于M系的荧光产额太低，主要用K系和L系特征能量。 35号元素以前用K，35以后用L.                       4-100号元素 K、L、M线系x-ray特征能量曲线。酷塞目北京办公室驰奔     3）、X射线的吸收：样品中的原子吸收了X射线，发生光电过程，发射光电子。减少了特征X-RAY的强度。     4）、X射线引起的荧光：光电过程中使得样品原子处于激发电离态，经过去激发过程，又出射新的特征x射线和连续X射线的二次辐射。            二次辐射增加了特征X-RAY的强度 4、特征X射线探测及机制：从电子探针的发展历史中，很容易了解到。      1）、特征X-RAY的能量和波长是元素特有的  。莫塞莱定率       2）、通过测量特征元素的波长（WDS)，或者能量(EDS),可以对样品中的化学元素进行定性。      3）、通过统计X射线强度，可以把X射线强度转化为元素含量。即样品中某元素发射的X射线强度与该元素的浓度成正比，那么在激发条件和样品几何形状相同的情况下，通过比较未知该元素浓度的样品发射X射线强度和已知该元素浓度的同类样品X射线发射强度，便可以计算出待测样品该元素的浓度。这就是X射线谱仪的定量原理。酷塞目北京办公室驰奔                  WDS、EDS定量分析开始发展的阶段都是有标准样品的类比分析。酷塞目北京办公室驰奔  有标样定量分析：在相同条件下，同时测量标样和试样中各元素的X射线强度，通过强度比，再经过修正后可求出各元素的百分含量。有标样分析准确度高。 酷塞目北京办公室驰奔  无标样定量分析：标样X射线强度是通过理论计算或者数据库进行定量计算。 酷塞目北京办公室驰奔                                              在扫描电镜微采用特征x-ray进行微区元素分析，11-31号元素的所有K系元素能谱。酷塞目北京办公室驰奔          按照扫描电镜加速电压30KV，过压比为4计算，能量在10kev以上的特征X-ray就不适合采用K系来进行定量。采用L系或者M系x-ray，可进行有效激发，由于能谱的分辨率通常为130ev左右（MnK系能谱峰半高宽），意味着两个特征X射线的能量小于130ev，谱峰将会出现重叠，而这种重叠是大量存在的。探测器无法从物理意义上区分重叠部分的X射线到底来自哪个元素，给定性和定量代来错误或者误差。幸运的是，并不是所有材料都存在大量的重叠峰，因此可以采用各种理论算法进行特别区分，剥离重叠峰，等数据处理；可以用能量分辨率为10ev以下的波谱仪进行更加精确的特征X-ray的定量分析。酷塞目北京办公室驰奔  EDS/WDS组合分析的图谱酷塞目北京办公室驰奔   EDS/WDS组合图谱中硫（S）元素峰位内同时检出铅（Pb）的局部放大图 EDS/WDS组合图谱中锡（Sn）元素的组峰内同时检出锑（Sb）的局部放大图五、俄歇电子：Auger电子，带有原素特征能量的电子。 酷塞目北京办公室驰奔         1、定义：电子跃迁复位的去激过程所放出的能量再次使原子的电子激发出具有特征能量的电子，则称这种具有特征能量的电子为俄歇电子。                                                                                           俄歇电子发射过程酷塞目北京办公室驰奔          内层电子激发及其复位所释放能量，或者产生该元素的特征X射线，或者产生俄歇电子，这两个过程是互斥事件。如果产生特征X射  线的几率是ωx，产生俄歇电子的几率是ωA,则有如下关系存在：酷塞目北京办公室驰奔  ωx＋ωA＝1酷塞目北京办公室驰奔  实验表明，产生上述两种互斥过程的几率是同物质的原子序数Z有关，对于轻元素（当Z<32时），ωA>ωx；对于重元素（当Z>33时），ωA<ωx；而当Z=32～33时，ωA＝ωx。因此，对于重元素的成分分析，宜采用X射线信息，反之，对于轻元素的成分分析，宜采用俄歇电子信息。酷塞目北京办公室驰奔      2、俄歇电子出射深度和空间分辨率：在相互作用区中，产生的特征X-ray和Auger电子具有相同的分布，但X-RAY和Auger穿过样品到达样品表面的后续过程是完全不同的条件下发生的。Auger电子发生非弹性散射和能量损失的几率特别大，对于能量在50ev-2kev范围内的Auger电子，非弹性平均自由程约为0.1-2nm，因此仅有在1纳米表面薄层内的原子发射的Auger电子保持特征能量逃离样品。而在作用区较深部位发射的Auger电子，也能逃离样品，但它们损失的能量不确定，无法从背底中分辨出来。俄歇电子谱技术是一种表面显微分析方法，取样深度与作用区的深度尺度无关。优于背散射电子可以产生Auger电子，所以俄歇电子的横向空间分辨率部分决定于被散射电子的发射区直径。    3、俄歇电子探测器：   电子能量分析器酷塞目北京办公室驰奔                                 俄歇电子能谱酷塞目北京办公室驰奔               扫描电镜形貌图像  酷塞目北京办公室驰奔               元素面分布图 六、阴极荧光：酷塞目北京办公室驰奔  1、定义：阴极荧光是当电子束轰击固体样品时,有些材料中的某些元素被激发光（如矿物，生物，半导体），光谱范围在紫外，可见或红外波段所发射的电磁辐射，这种现象可以被用来检测矿物，半导体和生物样品中痕量元素（ppm级别，用X射线波谱WDS或者X射线能谱EDS都是不能实现的）的分布。酷塞目北京办公室驰奔      成因：可以通过固体的电子能带理论来解释阴极发光现象。这些材料的特点是具有一个所有的电子能态都被占据满的价带和一个空的导带；价带和导带之间有一能量间隔为Egap的禁带。当高能束电子在这种材料中受到非弹性散射时，充满价带的电子可以提升到导带，使得价带留下空穴，而导带多出一个电子，形成电子-空穴对。当没有偏压使得电子-空穴分离，电子和空穴可能复合，与Egap相等的多余能量以光子的形式释放出来。由于带间隔是严格确定的，所以光子携带特征能量。酷塞目北京办公室驰奔  2、阴极荧光的出射深度和范围：韧制辐射的区域，都可以产生CL，因而CL的空间分辨率很低。但相对光学显微镜的分辨率要高，与作用区的尺寸相关。酷塞目北京办公室驰奔  3、成像机制：电子--空穴的衰减受到样品中杂质原子或者晶体物理缺陷影响，因而引起光子能量和辐射强度的改变。    扫描电镜阴极荧光成像原理和光学显微镜阴极荧光的原理一样，酷塞目北京办公室驰奔       扫描电镜需要阴极荧光CL附件：主要是对可见光等进行分析观察。与热阴极光学荧光显微镜类似。     光学显微镜也需要CL附件：主要是电子枪（冷阴极或者热发射）附件和真空系统（冷阴极用低真空系统，热阴极用高真空系统）等。光学荧光显微镜照片酷塞目北京办公室驰奔                阴极荧光波谱                                 阴极荧光CL照片                             扫描电镜样品SE形貌照片七、电子束感生电流：EBIC（ElectronBeamInducedCurrent） 酷塞目北京办公室驰奔  当扫描电镜电子束作用于半导体器件时，如果电子束穿透半导体表面，电子束电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动，但如果该位置没有电场作用，它们将很快复合湮灭（发射阴极荧光），若该位置有电场作用（如晶体管或集成电路中的pn结），这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对，空穴将向p型侧移动，电子将向n型侧移动，这样将有一灵敏放大器可检测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流（EBIC）[1～3]。由于pn结的耗尽层有最多的多余载流子，故在电场作用下的电子空穴分离会产生最大的电流值，而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制，故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。         酷塞目北京办公室驰奔   EBIC成像有加偏压和不加偏压两种成像方式，由于加偏压成像时需要计算匹配电阻和电容的大小，且需要将输入端口置于固定状态，故在实际应用中大多采用无偏压成像。利用无偏压EBIC成像，可以清晰地观察到pn结的位置。       EBIC成像原理图  酷塞目北京办公室驰奔                       扫描电镜EBIC图像 扫描电镜EBIC图像 酷塞目北京办公室驰奔   八、电声信号:  该信号在扫描电子显微镜上的应用是我国首创。（以上海硅酸盐研究所殷庆瑞教授为主；另外南京大学声学所也进行了大量理论和实验研究。总体上处于非商品化发展阶段）酷塞目北京办公室驰奔          扫描电声显微镜（SEAM）是由电子光学、电声和压电传感、弱信号检测、图像处理以及计算机等多项高新技术构成的一种高分辨率声学显微成像仪器。它兼具电子显微术高分辨率和声学显微术非破坏性内部成像的特点，可原位同时观察电子显微像和声学显微像。此显微镜可用于金属和陶瓷材料的应力分析，半导体材料和电子元器件的位错和界面缺陷显示，信息功能材料的电畴、磁畴及其随外场变化的动态行为观察，多晶材料（薄膜、涂层）晶粒、晶界以及内部缺陷的检测。酷塞目北京办公室驰奔  　　扫描电声成像系统有力地增强和扩展了普通扫描电镜的功能，是一种适合于科研、教学和工业应用的新型显微成像技术，可方便地装备在其它类型的扫描电镜上。扫描电声是把电子显微术和声学显微术集成为一体的一种新型的显微成像方法，具有电子显微术高分辨率和声学显微术内部成像的特点，工作模式非常类似于普通的SEM。酷塞目北京办公室驰奔  成果技术指标：      酷塞目北京办公室驰奔  工作频率：20kHz-1MHz酷塞目北京办公室驰奔  　　*工作电压：小于等于50V酷塞目北京办公室驰奔  　　*分辨率：横向小于等于0.3um，纵向小于等于0.16um酷塞目北京办公室驰奔  　　*实时观察二次电子像和分层电声像酷塞目北京办公室驰奔  　　电声显微镜及其相关器件和材料已在国内有关研究单位和工业部门得到应用，并出口美国、德国、日本、荷兰、新加坡、台湾等国家和地区，取得了良好的经济效益和社会效益，该项目将理论研究、材料制备、器件设计、仪器研制与实际应用相结合，发明了拥有自主知识产权的实用化新仪器，推动了相关材料、器件及显微成像技术领域的发展。酷塞目北京办公室驰奔  　　扫描电声显微镜（SEAM）是一种多功能、高分辨率显微成像仪器。该成果获得了具有自主知识产权的四项国家发明专利和一项国外发明专利，是国内外至今唯一实现商品化的电声显微镜，总体技术指标和功能处于国际先进水平。其中电声图像的横向分辨率、纵向分辨率、探测器灵敏度和图像质量处于国际领先。