反激式开关电源 RCD吸收电路的设计
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对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天
讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主 MOS管最大反峰，又要 RCD吸收回路功耗最小）
在讨论前我们先做几个假设，
① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；
② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；
③ 在调整 RCD回路前主变压器和 MOS管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算：
一﹑首先对MOS管的 VD进行分段：
ⅰ，输入的直流电压 VDC；
ⅱ，次级反射初级的 VOR；
ⅲ，主MOS管 VD余量 VDS；
ⅳ，RCD吸收有效电压 VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管 VD的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压 VDC。
在计算 VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择 AC265V，即 DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次级反射初级的 VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依 Vo =5.25V计算），
二极管 VF为 0.525V（此值是在 1N5822的资料中查找额定电流下 VF值）．
VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns
ⅲ，主MOS管 VD的余量 VDS．
VDS是依MOS管 VD的 10%为最小值．如 KA05H0165R的 VD=650应选择 DC65V．
VDC＝VD* 10%
ⅳ，RCD吸收 VRCD．
MOS管的 VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下 VRCD的最大值。实际选取的 VRCD应为最大值的 90%（这里主要是考虑到
开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于 VOR的 1.3倍．（如果小于 1.3倍，则主 MOS管的 VD值选择就太低了）
③ MOS管 VD应当小于 VDC的 2倍．（如果大于 2倍，则主 MOS管的 VD值就过大了）
④ 如果 VRCD的实测值小于 VOR的 1.2倍，那么 RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由 VRCD1和 VOR组成的
ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整 VRCD值
首先假设一个 RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载
的原则。在试验时应当严密注视 RC元件上的电压值，务必使 VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立
即断电，待将 R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解
电容“＋”极的 RC一点上，测试点接到 RC另一点上）
一个合适的 RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低 VRCD就越高，负载越重 VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时 VRCD的试验值
如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压
时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
五﹑RCD吸收电路中 R值的功率选择
R的功率选择是依实测 VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
编后语：
RCD吸收电路中的 R值如果过小，就会降低开关电源的效率。然而，如果 R值如果过大，MOS管就存在
着被击穿的危险。
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