BLT53A-Ver1.0-Notel

Tachyonics Semiconductors 产品规格书 UHF power transistor BLT53A BLT53A U波段功率放大器 Tachyonics Semiconductors UHF power transistor 最大限制值 与最大限制 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 系统等同 (IEC 134). 产品规格书 BLT53A SYMBOL VCBO VCEO VEBO PARAMETER CBO CEO EBO CONDITIONS E极开路 B极开路 C极开路 − − − MIN. MAX. 20 10 3 V V V UNIT IC, IC(AV) C极电流 DC 或平均值 − 1.5 A ICM Ptot Tstg Tj 10 C极电流 总散耗 存储温度 焊接操作温度 MCD192 峰值 f  1 MHz RF 模式 Tmb = 25 C 50 − − −65 − 3.5 15.5 150 200 A W C C MCD193 handbook, halfpage IC (A) 1 10−1 1 Tmb = 25oC 70oC 10 102 handbook, halfpage Ptot (W) 40 30 20 10 0 0 (3) (2) (1) 40 80 120 160 VCE (V) (1) 连续 DC 模式. (2) 连续 RF 模式 (f= 1MHz). Tmb (oC) Fig.2 DC 走势. 热阻特性 SYMBOL 参数 (3) 短时间失配模式 (f= 1MHz). Fig.3 Power 负载线. 条件 最大. 单位 Rth j-mb(RF) May-2010 器件焊接在基板上 2 Ptot = 15.5 W; Tmb = 25 C 3 K/W Tachyonics Semiconductors UHF power transistor 特性曲线 温度 = 25 C. 产品规格书 BLT53A 标志 参数 条件 最小 典型. 最大. 单位 V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICES hFE fT Cc Cre Cc-mb 80 handbook, halfpage hFE 60 40 20 0 C-B 击穿电压 C-E 击穿电压 E-B 击穿电压 C-E 漏电流 DC 电流增益 频率 集电极电容 反馈电容 集电极安装电容 MCD194 发射极开路; IC = 20 mA 基极开路; IC = 40 mA 集电极开路; IE = 4 mA VBE = 0; VCE = 10 V VCE = 5 V; IC = 1.2 A VCE = 6 V; IE = 1 A VCB = 6 V; IE = Ie = 0; f = 1 MHz VCE = 6 V; IC = 0; f = 1 MHz f = 1 MHz 50 handbook, halfpage Cc (pF) 40 30 20 10 0 20 10 3 − 25 − − − − − − − − − 3 24 17 1.2 − − − 1 − − − − − MCD195 V V V mA GHz pF pF pF 0 VCE = 5 V. 2 4 6 IC (A) 0 IE = ie = 0; f = 1 MHz. 4 8 VCB (V) 12 Fig.4 DC 电流增益 与集电极电流, 典型值。 May 2010 3 Fig.5 集电极电容 与集电极电压,典型值。. Tachyonics Semiconductors 产品规格书 UHF power transistor BLT53A 应用参考*******3.7V----433M---1W********** RF性能， 测试温度= 25 C，共射电路架构。 输入功率 f (MHz) VCE (V) PL (W) Gp (dB) c (%) Ibset (ma) 18.5dBm 433 3.7 1 ≥15 >50 330 应用原理图： EVB 测试开发板： May 2010 4 Tachyonics Semiconductors 产品规格书 UHF power transistor BLT53A 应用参考*******5.5V----433M-----2W********** RF性能， 测试温度= 25 C，共射电路架构。 输入功率 f (MHz) VCE (V) PL (W) Gp (dB) c (%) Ibset (ma) 18.5dBm 433 5.5 2 ≥15 >50 280 应用原理图： EVB 测试开发板： UHF power transistor BLT53A 封装信息： 参考应用： AN1： BLT53A LAYOUT指导 AN2： SI4432+BLT53A 3.7V 1W 433M AN3： A7102+BLT53A 3.7V 1W 433M IDQ 200 ma AN4： SI4432+BLT53A 5V 2W 433M IDQ 200 ma AN5： CC1100+BLT53A 5V 1W 433M 样品RMB:3.x元 ！注意：以上规格书由代理商“NEO Technology”翻译。以上报价由“NEO Technology”提供。 如有技术或者商务上问题，请联系“NEO Technology” 。 QQ: 756135995 邮箱：obport@qq.com 6 May-2010 1 B E C E � 描述： BLT53A是一个基于硅工艺的功率放大器,提供从DC-3G的大带宽的操作支持。 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 为超薄、超小SOT89封装，BLT53A提供完整的输入输出接近50欧姆的内部匹配。 BLT53A具有极高的效率，在6V的供电、433M工作频率下输出36dbm(3W)的时候电源效率达到65%。 BLT53A内部有一个抗ESD保护二极管，可以很好的对抗ESD，避免器件的损坏。 BLT53A非常适合于某些数传系统中，在一些特定的场合可能会需要2W 的通信功率，比如抄 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 手持机、安防、水文测控、航模等应用。使用BLT53A可以非常迅速获得需要的功率、从而达到您需求的通信距离。 BLT53A使用非常简单，实现超低BOM成本，并且提供多个频率下的参考应用设计，如配合SI4432 3.7V输出1W，配合A7102C 5.5V输出2W,等。具体请参考以下Application Note。 AN1： BLT53A LAYOUT指导 AN2： SI4432+BLT53A 3.7V 1W 433M AN3： A7102+BLT53A 3.7V 1W 433M AN4： SI4432+BLT53A 5.5V 2W 433M AN5： CC1100+BLT53A 5.5V 1W 433M 应用 • 315M--ISM数传 • 433M--ISM数传 • 915M--ISM数传 • 对讲机 • 航模遥控 • 抄表系统 性能 • 效率 - 65% 433M (35.0 dBm) • 简单外围 • 高功率输出达35dbm(3W) • 高增益=18db • 电流 - 0.20 A 433M@ (30.0 dBm,3.7V) - 0.20 A 433M (35 dBm,7V) • 50 Ω 输入/输出阻抗 •小型通用SOT89封装 仅仅需要1个Lchoke电感 EVB 测试开发板，同步发售，可以让你迅速的评估PA性能是否符合自己系统要求。 EVB 测试开发板，同步发售，可以让你迅速的评估PA性能是否符合自己系统要求。