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CS2N60(BR2N60) N-CHANNEL MOSFET/N沟道MOS晶体管
用途: 用于高功率DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
VDSS 600
2.0
1.3
6.0
±30
120
5.4
2.0
54
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
W
℃
ID(Tc=25℃)
ID(Tc=100℃)
IDM
VGSS
EAS
EAR
IAR
PD(Tc=25℃)
TJ,TSTG -55 to 150
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
Unit
V
Test Conditions Min
600
Typ Max
BVDSS VGS=0V ID=250μA
VDS=600V VGS=0V 1.0
100
±0.1
4.0
5.0
μA
μA
μA
V
IDSS
VDS=480V TC=125℃
VGS=±30V VDS=0V IGSS
VGS(th)
RDS(on)
gFS
VSD
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
VDS=VGS
VGS=10V
VDS=40V
VGS=0V
ID=250μA
ID=1.0A
ID=1.0A
IS=2.0A
2.0
4.0
2.05
Ω
S
1.4
420
46
6.0
30
60
60
70
V
320
35
4.5
8.0
23
25
28
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
td(off)
tf
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CS2N60(BR2N60)
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