Nand-Flash存储器介绍及编程

Nand-Flash存储器介绍及编程 Nand-Flash存储器 1概述 NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程序代码的存储中。Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发展;而NAND-flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。但NAND-flash存储器需要特殊的接口来操作，因此它的随机读取速度不及Nor-flash存储器。二者以其各自的特点，在不同场合发挥着各自的作用。 NAND-flash存储器是flash存储器的一种技术规格，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案，因而现在得到了越来越广泛的应用。例如体积小巧的U盘就是采用NAND-flash存储器的嵌入式产品。 由于NAND-flash(非线性flash)存储器内部结构不同于Nor-flash(线性flash)存储器，因此对它的读写操作也有较大的区别。BF533中没有像支持SDRAM一样提供直接与NAND-flash存储器的接口，读写的过程要靠软件编程来完成。本实验将以东芝公司的TC58DVM82A1FT芯片为例，介绍NAND-flash存储器芯片的读写 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 和时序。 2 实验内容和目标 包括以下几点。 2 编写程序，读出器件的识别码(ID)。 3 对NAND-flash的一个或若干个块进行擦除操作。 4 在被擦除的一个或若干个块写入数据。 5 将写入的数据读出并进行验证。 6 查找坏块。 3 NAND-flash介绍及编程指导 NAND-flash存储器中的宏单元彼此相连，仅第一个和最后一个Cell分别与Work Line和BIT Line相连，因此NAND-flash 架构 酒店人事架构图下载公司架构图下载企业应用架构模式pdf监理组织架构图免费下载银行管理与it架构pdf 的存储容量较Nor-flash架构的 高。NAND-flash存储器的容量较大，改写速度快，主要应用在大量资料的存储， 如嵌入式产品中，包括数码相机、MP3随身听记忆卡等。 1(器件特性及引脚 器件特性如下: 供电电源 2.7~3.6V 存储空间组织 (32M+1024K)b×8 数据寄存器 (512+16)b×8 自动编程和擦除 页编程 每页(512+16)B 块擦除 每块(16K+512)B 页读操作 , 任意操作时间 10s 串行页操作 50ns 快速写周期时间 , 写入时间 200s 块擦除时间 2ms 命令、地址、数据复用I/O口。 硬件数据保护 当电源波动时，写入/擦除操作自动中止。 可靠性 耐久力 可经受100k次擦写; 数据保存 10年 命令寄存器操作。 智能回拷贝。 采用唯一ID号保护版权。 封装 48脚TSOP I。 引脚图 各引脚功能描述如下 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 所示: 2(器件内部组织结构 TC58DVM82A1FT的容量为264Mb，存储空间的组织是由65536个页(行)、 每页中528个字节(列)的方式构成。备用的16列位于地址512,527。TC58DVM82A1FT还将存储空间分为块(block)，每一块由32个页构成。因此TC58DVM82A1FT中一共有2048个块。这种“块—页”的结构，恰好能满足文件系统中划分簇和扇区的结构 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 。 TC58DVM82A1FT的内部结构及地址形式如图所示。 读和写都以页为单位进行操作。擦除是基于块进行操作的。 TC58DVM82A1FT的地址通过8位端口传送，这样，有效地节省了引脚的数量，并能够保持不同密度器件引脚的一致性，允许系统可以在电路不做改动的情况下升级为高容量存储器件。 由TC58DVM82A1FT的CLE和ALE信号线实现I/O口上指令和地址的复用。指 WECE令、地址和数据都通过拉低和从I/O口写入器件中。有一些指令只需要一个总线周期完成，例如，复位指令、读指令和状态读指令等;另外一些指令，例如页写入和块擦除，则需要2个周期，其中一个周期用来启动，而另一个周期用来执行。表中显示了TC58DVM82A1FT具备的指令。 3(页读操作 在初始上电时，器件进入缺省的“读方式1模式”。在这一模式下，页读操作通过将00h指令写入指令寄存器，接着写入三个地址(1个列地址，2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存，下面的页读操作就不需要再重复写入指令了。 B写入指令和地址后，处理器可以通过对信号线R/的分析来判断该操作是否完成。如果信号为低电平，表示器件正“忙”;为高电平，说明器件内部操作完成， RE要读取的数据被送入了数据寄存器。外部控制器可以在以50ns为周期的连续脉冲信号的控制下，从I/O口依次读出数据。 连续页读操作中，输出的数据是从指定的列地址开始，直到该页的最后一个列地址的数据为止。 读取流程: 读取操作示意图: 代码示例: bool Read_NANDFlash(unsigned short Block_Address,unsigned short Page_Address) { int i; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13)|(Page_Address << 8); //块地址和页地址作为参数传入函数，又分别左移13位和8位赋给共用体中的Value这样实际是将地址 赋给了A0,A24 Write_Command(0x00); // 写入命令00h Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A0_A7, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0x03); while(!Wait_NAND_RADY()); //等待NANDFlash准备完毕 for(i = 0;i<512;i++) //读取一页的512字节 { Verify_Table[i] = *pNAND_BaseaAddr; delay(100); } NAND_Finish(); return true; } 4(写入操作 TC58DVM82A1FT的写入操作也以页为单位。写入之前必须先擦除，否则写入将出错。 页写入周期总共包括3个步骤:写入串行数据输入指令(80h)，然后写入三个字节的地址信息，最后串行写入数据。 串行写入的数据最多为528字节，它们首先被写入器件内的页寄存器，接着器件进入一个内部写入过程，将数据从页寄存器写入存储宏单元。 串行数据写入完成后，需要写入“页写入确认”指令10h，这条指令将初始化器件的内部写入操作。如果单独写入10h而没有前面的步骤，则10h不起作用。10h写入之后，TC58DVM82A1FT的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序，这是系统控制器就可以去做别的事了。 内部写入操作开始后，器件自动进入“读状态寄存器”模式，在这一模式下， CEREB当、为低电平时，系统就可以读取状态寄存器。系统可以通过检测R/的输出，或读状态寄存器的状态位(I/O7)来判断内部写入是否结束。在器件进行内部写入操作时，只有读状态寄存器指令和复位指令会被响应。当页写入操作完成，应该检测写状态位(I/O1)的电平。 内部写校验只对1没有成功地写为0的情况进行检测。指令寄存器始终保持着读状态寄存器模式，直到其它有效的指令写入指令寄存器为止。 写入流程: 写入操作示意图 代码示例: bool Page_Program(unsigned short Block_Address,unsigned short Page_Address) { int i; unsigned char NAND_Data; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13)|(Page_Address << 8); //块地址和页地址作为参数传入函数，又分别左移13位和8位赋给共用体中的Value这样实际是将地址赋给了 A0,A24 Write_Command(0x80); // 写入命令80h Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A0_A7, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0x03); delay(100); for(i = 0;i<512;i++) // 向一页中写入512字节 { *pNAND_BaseaAddr = Test_Data_Table[i]; delay(100); } Write_Command(0x10); // 写入命令10h delay(100); while(!Wait_NAND_RADY()); // 等待NANDFlash准备完毕 delay(100); Write_Command(0x70); // 写入命令70h(用于读状态寄存器) delay(100); NAND_Data = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash中状态寄存器的值 NAND_Finish(); if(NAND_Data != 0xc0) //验证读取的值是否为C0，即I/O1为0表示操作成功，I/O7为1表示芯片忙状态结束 { return false; } else { return true; } } 5(块擦除 擦除操作是以块为单位进行的。擦除的启动指令为60h，随后，块地址的输入通过两个时钟周期完成。这时只有地址位A14到A24是有效的，A9到A13则被忽略。块地址载入之后是擦除确认指令D0h，它用来初始化内部擦除操作。擦除确认命令用来防止外部干扰产生擦除操作的意外情况。器件检测到擦除确认命令 WE输入后，在的上升沿启动内部写控制器开始执行擦除和擦除校验。内部擦除操作完成后，应该检测一下写状态位(I/O1)，从而了解擦除操作是否有错误发生。 块擦除流程: Start Write 60h Write Block Address Write D0h Read Status Register No I/O7=1? or R/B=1? Yes No I/O1=0?Erase Error Yes Erase Completed 块擦除操作示意图: 代码示例: bool Block_Erase(unsigned short Block_Address) { unsigned char NAND_Data; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13); //块地址作为参数传入函数，左(向高位)移13位赋给共用体中的Value，这样实际是将地址赋给了A13,A23 Write_Command(0x60); // 写入命令90h Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0, 0x02); Write_Command(0xd0); // 写入命令d0h delay(100); while(!Wait_NAND_RADY()); // 等待NANDFlash准备完毕 Write_Command(0x70); // 写入命令70h(用于读状态寄存器) delay(100); NAND_Data = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash中状态寄存器的值 NAND_Finish(); if(NAND_Data != 0xc0) //验证读取的值是否为C0，即I/O1为0表示操作成功，I/O7为1表示芯片忙状态结束 { return false; } else { return true; } } 6(读状态寄存器 TC58DVM82A1FT包含一个状态寄存器，该寄存器反映了写入或擦除操作是否完成，或写入和擦除操作是否无错。写入70h指令，启动读状态寄存器周期。 CERE状态寄存器的内容将在或的下降沿处送出至I/O端口。下表显示了状态寄存器中每位的定义。 I/On 状态 定义 写入擦除 “0”:成功写入/擦除 “1”:在写入/擦除中出错 I/O2 保留 “0” I/O3 “0” I/O4 “0” I/O5 “0” I/O6 “0” I/O7 器件操作 “0”:忙 “1”:准备好 I/O8 写保护 “0”:保护 “1”:未保护 I/O9~16 未用 忽略 器件一旦接收到读状态寄存器的指令，它就将保持在状态寄存器读状态，直到有其它的指令输入。因此，如果在任意读操作中采用了状态寄存器读操作，则在连续页读的过程中，必须重发00h或50h指令。 读状态示意图: 代码示例: bool Read_State(void) { Write_Command(0x70); // 写入命令70h delay(100); NAND_Data = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash中状态寄存器的值 NAND_Finish(); if(NAND_Data != 0xc0) //验证读取的值是否为C0，即I/O1为0表示操作成功，I/O7为1表示芯片忙状态结束 { return false; } else { return true; }} 7(读器件ID TC58DVM82A1FT器件具有一个产品鉴定识别码(ID)，系统控制器可以读出这个ID，从而起到识别器件的作用。读ID的步骤是:写入90指令，然后写入一个地址00h。在两个读周期下，厂商代码和器件代码将被连续输出至I/O口。 同样，一旦进入这种命令模式，器件将保持这种命令状态，直到接收到其它的指令为止。 读器件ID示意图: 其中制造商代码为0x98，器件代码为0x75，因此，TC58DVM82A1FT的ID为 0x9875。相类似的，容量为64MB的TC58DVM92A1FT的ID则为0x9876。 代码示例: bool Read_Chip_ID(void) { Write_Command(0x90); // 写入命令90h Write_Address(0x00,0x00,0x00,0x01); // 写入地址0x00 delay(1000); Chip_ID0 = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash一个周期输出的值(制造商代码) delay(100); Chip_ID1 = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash另一周期输出的值(设备代码) delay(100); NAND_Finish(); // 结束NANDFlash操作 if(Chip_ID0 != 0xec) // 验证制造商代码 { return false; } else if(Chip_ID1 != 0x75) // 验证设备代码 { return false; } else { return true; } } 8(复位 器件提供一个复位指令(RESET)指令，通过向指令寄存器写入FFh来完成 对器件的复位。当器件处于任意读模式、写入或擦除模式的忙状态时，发送复位 指令可以使器件中止当前的操作，正在被修改的存储器宏单元的内容不在有效， WP指令寄存器被清零并等待下一条指令的到来。当为高时，状态寄存器被清为 C0h。 代码示例: void Reset_NAND(void) { Write_Command(0xff); while(!Wait_NAND_RADY()); NAND_Finish(); } 4 电路连接原理图 电路连接 I/O8连接BF533的D0,D7。 其中I/O1, 5 程序代码 void Init_EBIU(void) // 初始化外部总线 { *pEBIU_AMBCTL0 = 0x7bb07bb0; *pEBIU_AMBCTL1 = 0xfffcfff0; *pEBIU_AMGCTL = 0x000f; } void Init_SDRAM(void) //初始化SDRAM { //SDRAM Refresh Rate Control Register *pEBIU_SDRRC = 0x00000817; //SDRAM Memory Bank Control Register *pEBIU_SDBCTL = 0x00000013; //SDRAM Memory Global Control Register *pEBIU_SDGCTL = 0x0091998d; } //////////////////////////////////////////////////////// //写命令 //////////////////////////////////////////////////////// void Write_Command(unsigned char command) { Set_CE(0); Set_CLE(1); if(command == 0x10) { Write_NAND_FLASH(command); } else { Write_NAND_FLASH(command); Set_CLE(0); } } //////////////////////////////////////////////////////// //写地址 //////////////////////////////////////////////////////// void Write_Address(unsigned char NAND_Address0,unsigned char NAND_Address1, unsigned char NAND_Address2, unsigned char Valid_Address) { Set_ALE(1); if(Valid_Address == 1) { Write_NAND_FLASH(NAND_Address0); } else if(Valid_Address == 2) { Write_NAND_FLASH(NAND_Address0); Write_NAND_FLASH(NAND_Address1); } else { Write_NAND_FLASH(NAND_Address0); Write_NAND_FLASH(NAND_Address1); Write_NAND_FLASH(NAND_Address2); } Set_ALE(0); } //////////////////////////////////////////////////////// //等待NANDFlash准备完毕 //////////////////////////////////////////////////////// bool Wait_NAND_RADY(void) { while(*pFIO_FLAG_D != 0x0200) { *pFIO_INEN = 0x0000; ssync(); *pFIO_FLAG_C = 0; ssync(); *pFIO_INEN = 0x0200; } return true; } //////////////////////////////////////////////////////// //结束NANDFlash操作 //////////////////////////////////////////////////////// void NAND_Finish(void) { Set_CE(1); Set_CLE(0); Set_ALE(0); Command_Status = 0; } //////////////////////////////////////////////////////// //写NANDFlash(本程序中用于地址写入) //////////////////////////////////////////////////////// void Write_NAND_FLASH(unsigned char Write_Data) { *pNAND_BaseaAddr = Write_Data; delay(100); } //////////////////////////////////////////////////////// //设置NANDFlash片选信号CE //////////////////////////////////////////////////////// void Set_CE(bool state) { if(!state) { Command_Status = Command_Status | CLR_CE1; *pNAND_CtrlBaseaAddr = Command_Status; } else { Command_Status = Command_Status & SET_CE1; *pNAND_CtrlBaseaAddr = Command_Status; } delay(100); } //////////////////////////////////////////////////////// //设置NANDFlash命令锁存使能信号CLE //////////////////////////////////////////////////////// void Set_CLE(bool state) { delay(100); if(!state) { Command_Status = Command_Status & CLR_CLE; *pNAND_CtrlBaseaAddr = Command_Status; } if(state) { Command_Status = Command_Status | SET_CLE; *pNAND_CtrlBaseaAddr = Command_Status; } delay(100); } //////////////////////////////////////////////////////// //设置NANDFlash地址锁存使能信号ALE //////////////////////////////////////////////////////// void Set_ALE(bool state) { delay(100); if(!state) { Command_Status = Command_Status & CLR_ALE; *pNAND_CtrlBaseaAddr = Command_Status; } if(state) { Command_Status = Command_Status | SET_ALE; *pNAND_CtrlBaseaAddr = Command_Status; } delay(100); } /////////////////////////////////////////////////////////// //Main() /////////////////////////////////////////////////////////// void main(void) { int i; //Init_PLL(); // 初始化锁相环 Init_EBIU(); // 初始化总线 Init_SDRAM(); // 初始化SDRAM //Init_TEST_DATA_BUFFER(); // 初始化测试数据 Reset_NAND(); // NAND Flash复位 LedMode1(); // 用LED指示程序开始运行 NAND_Address_Table.Value = 0x0; // 初始化NAND Flash的写入地址 if(!Read_Chip_ID()) // 读取芯片ID { while(1); } /* for(i=0; i<0x3F480; i++) // <--| 填充SDRAM { // | 更改循环变量可以改变要填充的 *(pSdramStartAdr+i) = 0xAAAA; // | 起始地址和数量 } */ //ReadFromSDRAM(0x00,256); // <--| 将SDRAM中的数据写入NAND Flash // | 参数:(起始块，块数量) /* for(i=0; i<32; i++) // <--| 擦除连续的块 { // | 更改循环变量可以改变要擦除的 Block_Erase(i); // | 起始块和块数量 } */ WriteToSDRAM(0x00,256); // <--| 将NAND Flash中的数据写入SDRAM // | 参数:(起始块，块数量) BGRtoRGB(); // 调整BGR为RGB //CreatInvalidBlockTable(); // <--| 查找坏块，结果写入数组 // | NandInvalidTable[]，数组中某元素值为1 // | 则说明对应的块为坏块 delay(1000); LedMode2(); // 用七段数码管指示程序结束运行 while(1); } //////////////////////////////////////////////////////// //以下为基本函数 //////////////////////////////////////////////////////// //////////////////////////////////////////////////////// // NAND Flash复位 //////////////////////////////////////////////////////// void Reset_NAND(void) { Write_Command(0xff); while(!Wait_NAND_RADY()); NAND_Finish(); } //////////////////////////////////////////////////////// // 读取芯片ID //////////////////////////////////////////////////////// bool Read_Chip_ID(void) { Write_Command(0x90); // 写入命令90h Write_Address(0x00,0x00,0x00,0x01); // 写入地址0x00 delay(1000); Chip_ID0 = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash一个周期输出的值(制造商代码) delay(100); Chip_ID1 = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash另一周期输出的值(设备代码) delay(100); NAND_Finish(); // 结束NANDFlash操作 if(Chip_ID0 != 0xec) // 验证制造商代码 { return false; } else if(Chip_ID1 != 0x75) // 验证设备代码 { return false; } else { return true; } } //////////////////////////////////////////////////////// //块擦除 //////////////////////////////////////////////////////// bool Block_Erase(unsigned short Block_Address) { unsigned char NAND_Data; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13); //块地址作为参数传入函数，左(向高位)移13位赋给共用体中的Value，这样实际是将地址赋给了A13,A23 Write_Command(0x60); // 写入命令60h Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0, 0x02); Write_Command(0xd0); // 写入命令d0h delay(100); while(!Wait_NAND_RADY()); // 等待NANDFlash准备完毕 Write_Command(0x70); // 写入命令70h(用于读状态寄存器) delay(100); NAND_Data = *pNAND_BaseaAddr; // 读取NANDFlash中状态寄存器的值 NAND_Finish(); if(NAND_Data != 0xc0) //验证读取的值是否为C0，即I/O0为0表示成功擦除，I/O6为1表示芯片忙状态结束 { return false; } else { return true; } } //////////////////////////////////////////////////////// //页写入 //////////////////////////////////////////////////////// bool Page_Program(unsigned short Block_Address,unsigned short Page_Address) { int i; unsigned char NAND_Data; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13)|(Page_Address << 8); //块地址和页地址作为参数传入函数，又分别左移13位和8位赋给共用体中的Value这样实际是将地址赋给了A0,A24 Write_Command(0x80); Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A0_A7, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0x03); delay(100); for(i = 0;i<512;i++) // 向一页中写入512字节 { *pNAND_BaseaAddr = Test_Data_Table[i]; delay(100); } Write_Command(0x10); delay(100); while(!Wait_NAND_RADY()); delay(100); Write_Command(0x70); delay(100); NAND_Data = *pNAND_BaseaAddr; NAND_Finish(); if(NAND_Data != 0xc0) { return false; } else { return true; } } //////////////////////////////////////////////////////// //页读取 //////////////////////////////////////////////////////// bool Read_NANDFlash(unsigned short Block_Address,unsigned short Page_Address) { int i; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13)|(Page_Address << 8); Write_Command(0x00); Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A0_A7, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0x03); while(!Wait_NAND_RADY()); for(i = 0;i<512;i++) //读取一页的512字节 { Verify_Table[i] = *pNAND_BaseaAddr; delay(100); } NAND_Finish(); return true; } //////////////////////////////////////////////////////// //读取页高16字节 //////////////////////////////////////////////////////// bool Read_SpareField(unsigned short Block_Address,unsigned short Page_Address) { int i; NAND_Address_Table.Value = (Block_Address << 13)|(Page_Address << 8); Write_Command(0x50); Write_Address(NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A0_A7, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A9_A16, NAND_Address_Table.NAND_Address.NAND_Address_A17_A24, 0x03); while(!Wait_NAND_RADY()); for(i = 0;i<16;i++) { SpareField[i] = *pNAND_BaseaAddr; delay(100); } NAND_Finish(); return true; } //////////////////////////////////////////////////////// //读取SDRAM中的数据，写入NAND Flash //参数:(要读取的起始块地址，要读取的块的数量) //////////////////////////////////////////////////////// bool ReadFromSDRAM(unsigned short NANDStartBlock,unsigned short NumOfBlock) { int block, page, k; unsigned short Block_n_Address; unsigned short Page_n_Address = 0; unsigned char Column_n_Address = 0; for(block=0; block>8; } if(!Page_Program(Block_n_Address,Page_n_Address)) // 将数组中的数据写入NANDFlash { while(1); } } } return true; } //////////////////////////////////////////////////////// //将NAND Flash中的数据写入SDRAM //////////////////////////////////////////////////////// bool WriteToSDRAM(unsigned short NANDStartBlock,unsigned short NumOfBlock) { int block, page, k; unsigned short Block_n_Address; unsigned short Page_n_Address = 0; unsigned char Column_n_Address = 0; unsigned short tempH = 0, tempL = 0; for(block=0; block 记录 混凝土 养护记录下载土方回填监理旁站记录免费下载集备记录下载集备记录下载集备记录下载 坏块 } else NandInvalidTable[i] = 0; delay(100); //NAND_Address_Table.Value += NandFLASHBlockIncrease; delay(100); } delay(100); } //////////////////////////////////////////////////////// //延时 //////////////////////////////////////////////////////// void delay(unsigned int DelayValue) { int i; for(i=0;i> 8; R1 = data2; B2 = data2 >> 8; G2 = data3; R2 = data3 >> 8; data1 = G1; data1 = (data1 << 8) | R1; data2 = R2; data2 = (data2 << 8) | B1; data3 = B2; data3 = (data3 << 8) | G2; *(pSdramStartAdr + i) = data1; *(pSdramStartAdr + i + 1) = data2; *(pSdramStartAdr + i + 2) = data3; } } 程序功能: 1 读取芯片ID; 2 读任意块的任意页的主数据区; 3 读任意块的任意页的附加数据区; 4 写任意块的任意页的主数据区; 5 坏块查找; 6 连续页的读取与存储; 7 将NANDFlash中的数据写入SDRAM中; 8 将SDRAM中的数据写入NANDFlash中; 将SDRAM中的BGR数据转换成RGB数据