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2008年11月微纳电子技术第45卷第11期 - 中国半导体行业协会

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2008年11月微纳电子技术第45卷第11期 - 中国半导体行业协会2008年11月微纳电子技术第45卷第11期 - 中国半导体行业协会 “微纳电子技术”2008年第11期 专家论坛 P621-InP中的深能级杂质与缺陷(续) 纳米器件与技术 P627-GeSi/Si共振隧穿二极管 P635-小发散角量子阱激光器研究 纳米材料与结构 P639-MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究 P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能的影响 MEMS器件与技术 P647-RF MEMS开关的发展现状 P654-Research Progress of Passiv...

2008年11月微纳电子技术第45卷第11期  - 中国半导体行业协会
2008年11月微纳电子技术第45卷第11期 - 中国半导体行业协会 “微纳电子技术”2008年第11期 专家论坛 P621-InP中的深能级杂质与缺陷(续) 纳米器件与技术 P627-GeSi/Si共振隧穿二极管 P635-小发散角量子阱激光器研究 纳米材料与结构 P639-MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究 P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能的影响 MEMS器件与技术 P647-RF MEMS开关的发展现状 P654-Research Progress of Passive Micromixers 显微、测量、微细加工技术与设备 P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制方法 P668-CMP承载器的初步研究 微电子器件与技术 P672-高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展 P677-RFID中EEPROM时序及控制电路 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 市场 Invensense公司获得1 900万美元C系列基金 Yole 报告 软件系统测试报告下载sgs报告如何下载关于路面塌陷情况报告535n,sgs报告怎么下载竣工报告下载 2008年轻引擎和微微投影仪市场 手机MEMS产业的机遇 美新(MEMSIC)公布2008年第一季度财政总况 专家论坛 P621-InP中的深能级杂质与缺陷(续) 121孙聂枫,赵有文,孙同年 (1.中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室, 石家庄050051;2. 中国科学院半导体研究所,北京100083) 纳米器件与技术 P627-GeSi/Si共振隧穿二极管 1,2,3郭维廉 (1.天津工业大学信息与通讯学院,天津300160;2.专用集成电路国家重点实验室, 石家庄050051;3.天津大学电子信息工程学院,天津300072) 摘要:GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/Si RTD、应力型GeSi/Si RTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/Si RITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/Si RTD器件结构。 关键词:GeSi/Si共振隧穿二极管;GeSi/Si异质结;GeSi/Si带间共振隧穿二极管;能带结构;材料结构 P635-小发散角量子阱激光器研究 1,221221,21,2李雅静,安振峰,陈国鹰,王晓燕,赵润,杜伟华,王薇 (1. 河北工业大学信息工程学院,天津300130; 2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051) 摘要:使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角,得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型,获得了垂直发散角的理论值,垂直方向远场发散角减小为28.6?;使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱激光器的近场光斑及远场分布,垂直方向远场发散角减小为16?。实验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角,理论结果与实验测试获得的发散角基本一致,实现了降低发散角的要求,获得了小发散角量子阱激光器。 关键词:量子阱激光器;极窄波导;模式扩展;波导结构;发散角 纳米材料与结构 P639-MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究 刘波,袁凤坡,尹甲运,刘英斌,冯震,冯志宏 (专用集成电路国家级重点实验室, 石家庄050051) 摘要:报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及?/?比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜 X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5 μm×5 μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484 nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104 nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205 nm和266 nm,且都非常陡峭。 关键词:AlGaN; 金属有机化学气相淀积; ,射线衍射;原子力显微镜;透射光谱 P643-透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能的影响 a,b,ca,ba,b,ca,ba,b梁庆,徐刚,甄恩明,陈丽华,苗蕾 (中国科学院a.广州能源研究所;b.可再生能源与天然气水合物重点实验室, 广州510640; c.研究生院, 北京100039) 摘要:在介绍透明导电薄膜光学性质的基础上,分别讨论了不同情况下,太阳能平板集热器盖板采用镀有透明导电薄膜的玻璃对集热器的光热转换效率和保温性能的影响。结果表明,当集热器吸热板表面没有覆盖选择性吸收涂层,在盖板玻璃下表面镀有透明导电薄膜可以在一定温度范围内提高集热器的转换效率和保温性能,而当吸热板已覆盖有选择性吸收涂层时,盖板玻璃再镀透明导电薄膜,集热器辐射热损则减少很少,甚至不足以补偿由于玻璃透过率降低而增加的光反射损失,在这种情况下,盖板不宜再采用镀有透明导电薄膜的玻璃。 关键词:透明导电薄膜;选择性涂层;光学特性;平板集热器;热效率 MEMS器件与技术 P647-RF MEMS开关的发展现状 严春早,许高斌,叶刘晓 (合肥工业大学应用物理系,合肥230009) 摘要:RF MEMS开关是其各种组件、系统级应用中最基本的器件之一, 具有低损耗、低功耗、线性化好、尺寸小及易集成等特点。对各种开关 驱动机制的特点进行了比较,指出具体驱动机制的选取应符合实际应用 的需求;在和传统pin开关、FET开关相比较的基础上,总结了RF MEMS 开关的优缺点,概述了其目前的应用领域以及面临的主要问题;最后介 绍了目前国内外RF MEMS开关研究状况。通过对国内外一些经典RF MEMS开关范例的简述,展望了RF MEMS开关未来的发展趋势。 关键词:射频微机电系统;开关;驱动机制;可靠性;发展趋势 P654-Research Progress of Passive Micromixers Yang Yan, Chen Zhuo, Zhou Ping (School of Energy Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083,China) Abstract:A general review is made on research of passive micromixers,including typical mixing element principles,mixer configurations,microfabrications and numerical simulations.Some main passive micromixing principles,such as the multi-laminating,chaotic advection,split-recombining,fluid twisting and flattening, and the circulation flow are studied,respectively.Emphases are put on the micromixers using combined mixing principle to achieve high mixing efficiency in low Re regime.These mixers generally improve the mixing efficiency by other simple outside effects,such as using the centrifugal force,geometry constriction and three-inlet structure,multi-inlet structure to increase flows periodically.As the request of low Re and high viscosity growing,more and more attention is paid on the design and research of combined SAR micromixers,in which the split-recombining elements can cause rotation of fluid and the geometry constriction structure adopted can cut down the diffusion distance at the same time.These dramatically improve the mixing efficiency,however make the microfabrication more difficult. Key words:passive micromixer; mixing principles; high mixing efficiency; multi-lamination; chaotic advection; split-recombining. 显微、测量、微细加工技术与设备 P662-扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制方法 王昭,吴世法 (大连理工大学 近场光学与纳米技术研究所,辽宁大连116024) 摘要:在动态原子力与近场光学扫描显微镜中,探针与样品的间距关系到分辨率以及扫描速度这两个最重要参数的性能。在对几种主要的动态原子力/扫描近场光学组合显微镜的探针/样品间距控制模式分析的基础上,认为提高探针Q值是提高扫描显微镜分辨率的有效方法。但是,对采用检测控制探针振幅模式,期望在提高分辨率的同时加快扫描成像速度是不可实现的,因而限制了其发展的空间。而在检测控制探针频率模式下,提高探针Q值,可有效提高扫描探针显微镜的分辨率,且不会制约扫描成像速度的提高。该结论为将来的纳米操作和纳米超高密度光存储的实用化提供了可能,对大连理工大学近场光学与纳米技术研究所研制的原子力与光子扫描隧道组合显微镜(AF/PSTM)的改进和产业化具有积极意义。 关键词:动态原子力显微镜;近场扫描光学显微镜;间距控制;控制模式;扫描速度;分辨率 P668-CMP承载器的初步研究 周国安,柳滨,王学军,种宝春,詹阳 (中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京101601) 摘要:在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题, 对200 mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。 关键词:化学机械平坦化;边缘效应;多区域控制;承载器;保持环 微电子器件与技术 P672-高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展 张文飞,贺英,谌小斑 (上海大学 材料科学与工程学院 高分子材料系,上海201800) 摘要:大功率LED的发光强度大,产生的热量多,其产生的短波光辐射也比小功率发光二极管大,对LED封装材料提出了新的要求。综述了发光二极管封装用透镜胶的研究现状,根据发光二极管对高分子封装材料研发的要求,着重介绍了国内外为提高有机硅封装材料的导热性、耐热性、透光性以及耐紫外线辐射和关于材料折射率的调节方法等方面所做的最新研究成果和现状。对透镜胶研发过程中的重点和难点进行了分析,认为找到合适的填料和合适的方法把填料填入有机硅基体,或者在有机硅聚合物链上引入某些基团来改善封装材料的性能是研发的关键。 关键词:发光二极管;封装胶;有机硅;导热性;透明性;折光率 P677-RFID中EEPROM时序及控制电路设计 程兆贤,戴宇杰,张小兴,吕英杰,樊勃 (南开大学微电子所,天津300457) 摘要:RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35 μm CMOS工艺, 电源电压为3.3 V,仿真结果显示,3.3 V电源供电时,擦写编程电流为45 μA,读数据工作电流为3 μA,读数据周期为300 ns,具有低功耗、高速度的特性。 关键词:射频识别卡;电可擦可编程只读存储器;时序;控制电路;模拟仿真 市场 Invensense公司获得1 900万美元C系列基金 消费应用的移动传感解决 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 提供商Invensense有限公司宣布获 得1 900万美元C系列风险投资资金。这轮募集活动由新投资商Sierra Ventures领头,参与者包括Aetiman Ventures、 Partech International 及 Qualcomm Ventures等公司。一些战略投资商也参与了C系列投资,包括Foxconn和InventecAppliances Corp、Skylake Ventures、NTT DoCoMo 、DoCoMo Capital及VentureTech Alliance。Sierra Ventures 公司的总监Ben Yu将加入Invensense董事会。这轮募集将使目前Invensense的总资金达到3 800万美元。投资资金的最新注入将加快公司下一阶段的成长,以促进公司业务的开展和产品战略的形成。Invensense将扩展其销售业务来支持新消费者,并将开发出一系列世界一流的基于多轴嵌入式智能陀螺仪和加速度计的集成移动传感解决新方案。这些产品将致力于满足便携式消费者电子产品市场快速增长的需求,在下一代应用中增加许多技术创新点,如3D游戏和触摸屏移动手机。 Yole报告2008年轻引擎和微微投影仪市场 Yole Développement公司和Chipworks公司联合发表了一系列关于轻引擎和微微投影仪市场、德州仪器公司新DLP器件技术的报告。第二个来自Chipworks公司的报告分析了先前一代和当前一代DLP器件之间的不同之处,并强调了TI在晶圆级封装和像素大小上所取得的进展。 到目前为止,德州仪器公司一直主导着基于MEMS技术的显示器市场,估计其销售额已超过800亿美元。TI的销售额主要由投影仪市场驱动,而用于RPTV(背投电视)的器件正在努力实现LCD和PDP技术。 Chipworks技术情报事业部领导者、公司副总裁Gary Tomkins讲到,他们通过拒用陶瓷封装实现了封装成本的降低,并且通过缩小微镜的物理尺寸减少了晶圆的利用。TI的研发部门一直在努力保持其竞争力,TI DLP技术具有创造一个全新的微微投影仪市场空间的潜力。为了达到这一目标,技术必须朝进一步降低成本和实现更小的晶圆级封装的方向迈进。 根据Yole Développement的逆向成本分析,TI的新WLP方法将使成本降低50%(从400美元降到200美元)。Yole Développement,Micronews主编Eric Mounier博士说:“这并不会挫伤进入该市场的新投资者的积极性~这些解决方案将有望实现成本更低、体积更小的器件进入微微投影仪市场。” 新Yole 报告“轻引擎和微微投影仪市场”对每个应用(都需要综 合采用MEMS和固态照明技术)从市场和产业链角度进行了描述,涉及的应用包括RPTV、微微投影仪、HUDs、HMDs、条码读取器和微光谱仪。报告也讲述了目前用于混合固态照明和MOEMS的策略,解决了一些公开的技术问题,讨论了一些如封装、热管理、性价比、绿色激光器寿命和市场切入点等问题。 手机MEMS产业的机遇 手机产业:目前手机产业被视为未来5年内MEMS器件发展的最大机遇。现在尚未找到关于MEMS传感器和执行器合适的项目以渗透到整个无绳电话市场,但是其他10多种器件已经处于蓬勃发展的阶段,如2003年上市的硅麦克风和FBAR/BAW滤波器上涨趋势强劲,已经进入发展成熟阶段。MEMS加速仪预计会沿袭同样的发展路线,其他五种MEMS产品如微自动对焦、微变焦、陀螺仪和压控变容器现在都处于起始阶段。 搂氏声学公司(Knowles Acoustics)的MEMS麦克风自2003年上市起一直保持着良好的增长势头,安华高科技(Avago Technologies)的FBAR双工器技术在WCDMA前端组件中的快速应用,都不失为MEMS器件成为功能性替代产品的成功典范。Yole Développement公司对每种新型潜力产品都做了详细的分析,勘察了MEMS领衔企业如何定位,从而在活跃的无绳手机市场获取最大利润。结果显示,Siimple公司致力于微自动对焦,德国爱普科斯(EPCOS)和Wispry专注于压控变容器,德国斯迪姆(STM)、美国模拟器件公司(ADI)、德国博世(Bosch)、 美国Kionix 和InvenSense则看好惯性集成。 MEMS面临着复杂的无绳手机产业挑战。一方面MEMS制造商都关注价格、功率和规格的恰当定位以便更好地进入手机产品市场;同时也面临着巨大的挑战,即如何做好产品规划以确保有效地将其MEMS器件应用到无绳手机中。此外,无绳手机制造商目前面临的MEMS产品研发周期与IC产品极为不同,迫切希望找到可以信赖的MEMS合作伙伴从而实现他们的MEMS手机产品蓝图。 Yole Développement公司预测手机市场MEMS组件CAGR增长率约为40%。2007年仅硅麦克风、FBAR/BAW滤波器和加速仪三种MEMS器件在手机市场中的销售收益总额就已达4.4亿美元,到2012年市场销售收益额有望超过25亿美元。 销售收益额的增长点主要在于新开发的替代产品和新增功能。预计 MEMS器件将成为手机产业研发新产品的主要动力。估计到2012年,新产品将占MEMS市场总份额的60%。 2008年7月Yole Développement公司发布了用于无绳手机的MEMS器件专项报告。该报告主要关注MEMS器件在手机产品应用中的扩展情况以及搂氏声学公司(Knowles Acoustics)和安华高科技(Avago Technologies)等领衔企业如何使其销售额由100万美元跃为5 000万美元。 加速仪市场:据Yole Développement公司分析自2003年内置多轴加速仪的日本三菱手机(Mitsubishi)首次上市以来,业绩平平,直到2007年市场才有了活力。现在MEMS加速仪手机应用市场增长最快,2006—2012年 CAGR增长率将超过150%,到2011年将占MEMS加速仪市场总销售份额的55%。随着技术的发展手机增加了很多其他功能,如步程计、图像转换功能、游戏和硬盘保护系统。过去的一年半中发生了两件重大事件:手机和游戏产业极大推动了动态传感器件的发展,任天堂(Nintendo)凭借Wii和其新型动态传感无线手柄为该产业的发展铺平了道路;手机和游戏手柄开始采用动态传感器融合技术:日本索尼(Sony)PS3游戏手柄融合了三维加速仪和陀螺仪,日本夏普(Sharp)手机内置了3D磁力计。几乎所有的动态传感产品都要用到三维加速仪,因此消费加速仪市场目前处于发展初期。 期望值较大的制造商如ADI预计在未来5年内手机装配率增长将超过50%。设计师把加速仪安装到一个高端的移动装置上,改善了用户的界面性能。不过,加速仪作为主要的驱动仪器安装到低端手机听筒上功能就完全不同了,比如可构成智能电源管理系统。 日本与其他国家的手机技术具有很大差异,他们的三维加速仪配置速率也不同。日本的技术应用范围相对较广,但还没有成为行业 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 。 苹果凭借其产品优雅的外观设计和良好的工作性能,成功地抓住了顾客,以上两点也是当今手机MEMS加速仪的流行趋势。苹果手机刚刚上市一周年, iPhone能否为真正的特洛伊木马搭起平台,在未来几个月内加速其他无绳手机的转型,人们将拭目以待。 手机加速仪正处于蓬勃的发展时期,其未来如何将取决于手机制造商和通信运营商能否利用它取得较好的业绩。其他6种MEMS器件在不久的未来也将面临同样的挑战。近期Yole Développement公司一直关注这个复杂而又充满活力的产业,并在七月发布了最新的题为“2008年手机MEMS”市场 调查报告 行政管理关于调查报告关于XX公司的财务调查报告关于学校食堂的调查报告关于大米市场调查报告关于水资源调查报告 。 美新(MEMSIC)公布2008年第一季度财政总况 美新(MEMSIC)第1季度收益为630万美元,与2007年相比同期增长了45%;GAAP第一季度净收益为150万美元,与2007年相比同期增长了97%。 MEMS器件供应商美新公司是第一家采用标准COMS工艺流程把微机械系统和混合信号处理电路结合到一块芯片上的公司。2008年3月31日公司公布了第一季度的财政总况,第一季度收益为630万美元,与2007年相比同期增长了45%;GAAP第一季度净收益为150万美元,2007年第一季度的净收益为77.9万美元。不以GAAP为准,即不包括约33.9万美元的股份激励费用,净收益为190万美元;2007年第一季度不以GAAP为准,即不包括5.7万美元的股份激励费用,净收益为83.6万美元。2008年第二季度,美新预计收益在700,730万美元,其中不包括奥运火炬项目相关的收益,追加的订单收益包括在第三季度内。 www.cqssclt.com
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分类:工学
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