光电子技术第三版安毓英刘继芳等著习题答案完整版(20220210160806)

第一章设在半径为Rc的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S，以下图。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。解：因为，ddSRc21cosr2sinddS0l0且l0Rc21第题图l02Rc2所以eIed2Ie1l0Rc2l02以下图，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。解：亮度定义:d强度定义:Ied可得辐射通量：e?s?AcLel0deLeAscossd?s?cA在给定方向上立体角为：Accosc第题图dl02deLeAscosscosc则在小面源在?Ac上辐射照度为：Eel02dA若是有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度Le均相同，试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐照度。答：由Led得dLedAdcosdAcosdAcos，且d2r2dl2rdrl则辐照度：EeLe020dLe2l2r2霓虹灯发的光是热辐射吗？不是热辐射。霓虹灯发的光是电致发光，在两头搁置有电极的真空充入氖或氩等惰性气体，当两极间的电压增添到必定数值时，气体中的原子或离子遇到被电场加快的电子的轰击，使原子中的电子遇到激发。当它由激发状态答复到正常状态会发光，这一过程称为电致发光过程。从黑体辐射曲线图能够看出，不一样温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长?m随温度T的高升而减小。试由普朗克热辐射公式导出。答：这一关系式称为维恩位移定律，此中常数为?10-3m?K。普朗克热辐射公式求一阶导数，令其等于0，即可求的。黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M。试有普朗克的辐射公式导出M与温度T的四次方成正比，即M常数T4这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，此中常数为-824?10W/mK解答：教材P9，并拜见大学物理有关内容。常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。你知道这是按什么划分的吗？按色温划分。10vdv为频次在v~vdv间黑体辐射能量密度，d为波长在d间黑体辐射能量密度。已知试求。解答：v8hv3c3exphvkBT1，由C，经过全微分进行计算。假如激光器和微波器分别在λ=10μm，λ=500nm和ν=3000MHz输出一瓦的连续功率，问每秒钟从激光上能级向下能级跃迁的粒子数分别是多少？解答：hCPNPNhv，设一对激光能级为E2和E（1g2=g1），相应的频次为ν（波长为λ），各能级上的粒子数为n2和n1。求1）当ν=3000MHz，T=300K时，n2/n1=？2）当λ=1μm，T=300K时，n2/n1=？3）当λ=1μm，n2/n1=温度T=？。解答：n2g2eE2E1kT,E2E1hv,Cn1g113试证明，因为自觉辐射，原子在E2能级的均匀寿命s1A21。解答：参赐教材P1214焦距f是共焦腔光束特征的重要参数，试以f表示w0wzRz，，，V000。因为f和w0是一一对应的，因此也能够用作为表征共焦腔高斯光束的参数，试以w0表示f、wz，Rz，V000。解答：w0f2wwzw01zfV0001Lw02sL2,fL222Rzf2fzfzfzz今有一球面腔，R1=，R2=-1m，L=。试证明该腔为稳固腔；并求出它的等价共焦腔的参数。解答：g11LR1g21LR2稳固强条件：0g1g21，求出g1和g2为腔参数。某高斯光束w0=，求与束腰相距，10m和1000m远处的光斑w的大小及波前曲率半径R。解答：w0f2wwzw01zfRzf2zfzfzzf第二章何为大气窗口，试剖析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减要素。答：对某些特定的波长，大气体现出极为激烈的汲取。光波几乎没法经过。依据大气的这类选择汲取特征，一般把近红外划分红八个区段，将透过率较高的波段称为大气窗口。何为大气湍流效应，大气湍流对光束的流传产生哪些影响？答：是一种无规则的旋涡流动，流体质点的运动轨迹十分复杂，既有横向运动，又有纵向运动，空间每一点的运动速度环绕某一均匀值随机起伏。这类湍流状态将使激光辐射在流传过程中随机地改变其光波参量，使光束质量遇到严重影响，出现所谓光束截面内的强度闪耀、光束的曲折和漂移（亦称方向颤动）、光束弥散畸变以及空间相关性退化等现象，统称为大气湍流效应。3．关于3m晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y和z轴方向的感觉主折射率及相应的相位延缓（这里只求外场加在x方向上）解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即nx=ny=n0、nz＝ne。它所属的三方晶系3m点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为：0221302213ij0033由此可得铌酸锂晶体在外加电场后的折射05151002200率椭球方程为：(1EE)x2(1EE)y2(1E)z22(EyzExz)2Exy1n0222y15z22y13zne133z51zx22xn02（1）0轴方向通光，即有E=E=0,且E≠0。晶体主轴x,y要发生旋转，上zyx式变为：x2y2z2251Exxz222Exxy1（2）222nxnynz因51Ex1，且光流传方向平行于z轴，故对应项可为零。将坐标轴绕z轴旋转角度α获取新坐标轴，使椭圆方程不含交错项，新坐标轴取为xcossinx'，z=z’（3）ysincosy'将上式代入2式，取45o除去交错项，得新坐标轴下的椭球方程为：122Exx'2122Exy'2z'21（4）n02n02ne2可求出三个感觉主轴x’、y’、z’（仍在z方向上）上的主折射率变为：nx'n01n0322Ex2ny'n01n0322Ex（5）2nz'ne可见，在x方向电场作用下，铌酸锂晶体变为双轴晶体，其折射率椭球z轴的方向和长度基本保持不变，而x,y截面由半径为n0变为椭圆，椭圆的长短轴方向x’y’相对本来的xy轴旋转了450，转角的大小与外加电场的大小没关，而椭圆的长度nx，ny的大小与外加电场Ex成线性关系。当光沿晶体光轴z方向流传时，经过长度为l的晶体后，因为晶体的横向电光效应（x-z），两个正交的偏振重量将产生位相差：2(nx'ny')l2n0322Exl（6）若d为晶体在x方向的横向尺寸，VxExd为加在晶体x方向两端面间的电压。经过晶体使光波两重量产生相位差（光程差/2）所需的电压Vx，称为“半波电压”，以V表示。由上式可得出铌酸锂晶体在以（x-z）方式运用时的半波电压表示式：Vd（7）l2n0322由（7）式能够看出，铌酸锂晶体横向电光效应产生的位相差不单与外加电压称正比，还与晶体长度比l/d有关系。所以，实质运用中，为了减小外加电压，往常使l/d有较大值，即晶体往常被加工成修长的扁长方体。4．一块45度-z切割的GaAs晶体，长度为L，电场沿z方向，证明纵向运用时的相位延缓为2n3r41EL。解：GaAs晶体为各向同性晶体，其电光张量为：000000000（1）63004104100041轴加电场时，Ez＝E，Ex=Ey=0。晶体折射率椭球方程为：x2y2z2241Exy1（2）n2n2n2经坐标变换，坐标轴绕z轴旋转45度后得新坐标轴，方程变为：141Ex'2141Ey'2z'2（3）n2n2n21可求出三个感觉主轴x’、y’、z’（仍在z方向上）上的主折射率变为：nx'n1n341E2ny'n1n341E（4）2nz'n纵向应用时，经过长度为L的晶体后，两个正交的偏振重量将产生位相差：2(nx'ny')L2n341EL（5）何为电光晶体的半波电压？半波电压由晶体的那些参数决定？答：当光波的两个垂直重量Ex?，Ey?的光程差为半个波长（相应的相位差为?）时所需要加的电压，称为半波电压。6．在电光晶体的纵向应用中，假如光波偏离z轴一个远小于1的角度流传，证明因为自然双折射惹起的相位延缓为Ln0n02122cne2，式中L为晶体长度。解：1cos2sin2，得nen01n0212no2ne21ne2ne22自然双折射惹起的相位延缓：2n0neLLn0n02122cne2若取vs=616m/s，n=，fs=10MHz，?0=?m，试估量发生拉曼-纳斯衍射所同意的最大晶体长度Lmax=?解：由公式计算。答案：。8利用应变S与声强Is的关系，证明一级衍射光强I1与入射光强I0226I11LPn2IsJ1212之比为I020cos1s（近似取4）解答：I12Ln6P2sinIsI220s作近似？？用公式由布拉格衍射方程直接计算，答案：sinθB=一束线偏振光经过长L=25cm，直径D=1cm的实心玻璃，玻璃-5外绕N=250匝导线，通有电流I=5A。取韦尔德常数为V=?10（?）/cm?T，试计算光的旋转角?。解：由公式和计算。答案：’归纳光纤弱导条件的意义。答：从理论上讲，光纤的弱导特征是光纤与微波圆波导之间的重要差异之一。实质使用的光纤，特别是单模光纤，其混杂浓度都很小，使纤芯和包层只有很小的折射率差。所以弱导的基本含义是指很小的折射率差就能构成优秀的光纤波导构造，并且为制造供给了很大的方便。14．光纤色散、带宽和脉冲展宽之间有什么关系？对光纤传输容量产生什么影响？P802）答：光纤的色休会使脉冲信号展宽，即限制了光纤的带宽或传输容量。一般说来，单模光纤的脉冲展宽与色散有以下关系：即因为各传输模经历的光程不一样而惹起的脉冲展宽。单模光纤色散的因由有下列三种：资料色散、波导色散和折射率散布色散。光脉冲展宽与光纤带宽有必定关系。实验表示光纤的频次响应特性H(f)近似为高斯型，如图2-23所示。fc是半功率点频次。显然有所以，fc称为光纤的3dB光带宽。光纤的色散和带宽对通讯容量的影响：光纤的色散和带宽描述的是光纤的同一特征。此中色散特征是在时域中的表现形式，即光脉冲经过光纤传输后脉冲在时间坐标轴上展宽了多少；而带宽特征是在频域中的表现形式，在频域中关于调制信号而言，光纤能够看作是一个低通滤波器，当调制信号的高频重量经过光纤时，就会遇到严重衰减，以下图。往常把调制信号经过光纤流传后，光功率降落一半(即3dB)时的频次(fc)的大小，定义为光纤的带宽(B)。因为它是光功率降落3dB对应的频次，故也称为3dB光带宽。可用下式表示。光功率老是要用光电子器件来 检测 工程第三方检测合同工程防雷检测合同植筋拉拔检测方案传感器技术课后答案检测机构通用要求培训 ，而光检测器输出的电流正比于被检测的光功率，于是：从上式中能够看出，3dB光带宽对应于6dB电带宽。光波水下传输有那些特别问题？答：主若是想法战胜这类后向散射的影响。举措以下：⑴适合地选择滤光片和检偏器，以分辨无规则偏振的后向散射和有规则偏振的目标反射。⑵尽可能的分开发射光源和接收器。⑶采纳如图2-28所示的距离选通技术。当光源发射的光脉冲朝向目标流传时，接收器的快门封闭，这时朝向接收器的连续后向散射光便没法进入接收器。当水下目标反射的光脉冲信号返回到接收器时，接收器的快门忽然翻开并 记录 混凝土 养护记录下载土方回填监理旁站记录免费下载集备记录下载集备记录下载集备记录下载 接收到的目标信息。这样就能有效的战胜水下后向散射的影响。第三章一纵向运用的KDP电光调制器，长为2cm，折射率n=，工作频次为1000kHz。试求此岁月在晶体中的渡越时间及惹起的相位延缓。解：渡越时间为：?d=nL/c相位延缓因子：在电光调制器中，为了获取线性调制，在调制器中插入一个?/4波片，波片的的轴向怎样设置最好？若旋转?/4波片，它所供给的直流偏置有何变化？答：其快慢轴与晶体的主轴x成45?角，从而使和两个重量之间产生?/2的固定相位差。3．当电场反向施加时，晶体挨次绕z轴旋转90度，或电场相同，则光轴重合。假如一个纵向电光调制器没有起偏器，入射的自然光可否获取光强度调制？为何？解答：不可以获取强度调制。自然光经过电光调制器后，不可以形成固定相位差。一个PbMoO4声光调制器，对He-Ne激光进行调制。已知声功率Ps=1W，声光互相作用长度L=，换能器宽度H=，M2=?10-15s3/kg，试求PbMoO4声光调制器的布喇格衍射效率？解答：I1sin2LLMPsI02H2s计算可得％一个驻波超声场会对布喇格衍射光场产生什么影响？给出造成的频移和衍射方向。解答：新的光子沿着光的散射方向流传。依据动量守恒和能量守恒定律：kskikd，即kskikd（动量守恒）dsi（能量守恒）（能量守恒）——衍射级有关于入射光发生频次挪动,依据光波矢量的定义，能够用矢量图来表示上述关系，以下图图中ks2为声波矢量，ki22为入射光波矢量。sic'kd22fsc'为衍射光波矢量。d因为fs，s在1010Hz以下，υ在1013Hz以上，所以衍射光的频次偏f移能够忽视不计。则dsii在上边的等腰三角形中布拉格条件：ks2kisinBisinB2s和书中推导的布拉格条件相同。入射光的布拉格角只由光波长，声波长决定。7.用PbMoO4晶体做成一个声光扫描器，取n=，M2=?10-15s3/kg，换能器宽度H=。声波沿光轴方向流传，声频fs=150MHz，声速vs=?105cm/s，光束宽度d=，光波长?=?m。⑴证明此扫描器只好产生正常布喇格衍射；⑵为获取100%的衍射效率，声功Ps率应为多大？⑶若布喇格带宽?f=125MHz，衍射效率降低多少？⑷求可分辨点数N。解：⑴由公式证明不是拉曼-纳斯衍射。⑵，，答案功率为。⑶若布喇格带宽?f=125MHz，衍射效率降低多少？，⑷用公式和计算。答案：148。第四章1比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特色等方面的差异。答：光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器汲取光子后，直接惹起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。因为，光子能量是h，h是普朗克常数,是光波频次，所以，光子效应就对光波频次表现出选择性，在光子直接与电子互相作用的状况下，其响应速度一般比较快。光热效应和光子效应完整不一样。探测元件汲取光辐射能量后，其实不直接惹起内部电子状态的改变，而是把汲取的光能变为晶格的热运动能量，惹起探测元件温度上涨,温度上涨的结果又使探测元件的电学性质或其余物理性质发生变化。所以，光热效应与单光子能量h的大小没有直接关系。原则上，光热效应付光波频次没有选择性。不过在红外波段上，资料汲取率高，光热效应也就更激烈，所以宽泛用于对红外线辐射的探测。因为温度高升是热累积的作用，所以光热效应的响应速度一般比较慢，并且简单受环境温度变化的影响。值得注意的是，此后将要介绍一种所谓热释电效应是响应于资料的温度变化率，比其余光热效应的响应速度要快得多，并已获取日趋宽泛的应用。 总结 初级经济法重点总结下载党员个人总结TXt高中句型全总结.doc高中句型全总结.doc理论力学知识点总结pdf 采纳光电探测器的一般原则。答：用于测光的光源光谱特征一定与光电探测器的光谱响应特征般配；考虑时间响应特征；考虑光电探测器的线性特征等。224已知Si光电池光敏面积为5?10mm，在1000W/m光照下，开路电压u0.55V,光电流i12mA.2(1)在（200~700）W/m光照下，保证线性电压输出的负载电阻和电压变化值；（2）假如取反偏压V=，求负载电阻和电压变化值；（3）假如希望输出电压变化量为，怎么办？解答：（1）RL0.6uoci，uOC'uOC2.6lnP'P2）在上边计算公式中，减去一个反偏电压再计算。3）增大负载电阻和扩大光照变化范围。假如Si光电二极管敏捷度为10uA/uW，结电容为10pF，光照功率为5uW时，拐点电压为10V，偏压40V，光照信号功率Pt52costW，试求：1）线性最大输出功率条件下的负载电阻；2）线性最大输出功率；3）响应截止频次。解答：SP''P02gu''（1）GPu''2VuHMSP''P02Gpg（2）PH1GLuH2M2fc12RLCj（3）ishv16证明??NEPeSNRNEP2hvfs0PePsn0Pn2efisPs第五章以表面沟道CCD为例，简述CCD电荷储存、转移、输出的基来源理。CCD的输出信号有什么特色？答：构成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器。正如其余电容器相同，MOS电容器能够储存电荷。假如MOS构造中的半导体是P型硅，当在金属电极（称为栅）上加一个正的阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处的电势（称为表面势或界面势）发生相应变化，周边的P型硅中多半载流子——空穴被排挤，形成所谓耗尽层，假如栅电压VG超出MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，因为电子在那边的势能较低，我们能够形象化地说：半导体表面形成了电子的势阱，能够用来储存电子。当表面存在势阱时，假若有信号电子（电荷）到达势阱及其周边，它们便能够齐集在表面。跟着电子到达势阱中，表面势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描绘为电子渐渐填补势阱。势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，即表面势的大小，而表面势又随栅电压变化，栅电压越大，势阱越深。假如没有外来的信号电荷。耗尽层及其周边地区在必定温度下产生的电子将渐渐填满势阱，这类热产生的少量载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下产生的载流子。所以，电荷耦合器件一定工作在瞬态和深度耗尽状态，才能储存电荷。以典型的三相CCD为例说明CCD电荷转移的基来源理。三相CCD是由每三个栅为一组的间隔密切的MOS构造构成的阵列。每相隔两个栅的栅电极连结到同一驱动信号上，亦称时钟脉冲。三相时钟脉冲的波形以以下图所示。在t1时刻，φ1高电位，φ2、φ3低电位。此时φ1电极下的表面势最大，势阱最深。假定此时已有信号电荷（电子）注入，则电荷就被储存在φ1电极下的势阱中。t2时刻，φ1、φ2为高电位，φ3为低电位，则φ1、φ2下的两个势阱的空阱深度相同，但因φ1下边储存有电荷，则φ1势阱的实质深度比φ2电极下边的势阱浅，φ1下边的电荷将向φ2下转移，直到两个势阱中拥有相同多的电荷。t3时刻，φ2仍为高电位，φ3仍为低电位，而φ1由高到低转变。此时φ1下的势阱渐渐变浅，使φ1下的节余电荷持续向φ2下的势阱中转移。t4时刻，φ2为高电位，φ1、φ3为低电位，φ2下边的势阱最深，信号电荷都被转移到φ2下边的势阱中，这与t1时刻的状况相像，但电荷包向右挪动了一个电极的地点。当经过一个时钟周期T后，电荷包将向右转移三个电极地点，即一个栅周期（也称一位）。所以，时钟的周期变化，即可使CCD中的电荷包在电极下被转移到输出端，其工作过程从成效上看近似于数字电路中的移位存放器。电荷输出构造有多种形式，如“电流输出”构造、“浮置扩散输出”构造及“浮置栅输出”构造。此中“浮置扩散输出”构造应用最宽泛，。输出构造包含输出栅OG、浮置扩散区FD、复位栅R、复位漏RD以及输出场效应管T等。所谓“浮置扩散”是指在P型硅衬底表+面用V族杂质扩散形成小块的n地区，当扩散区不被偏置，即处于浮电荷包的输出过程以下：VOG为必定值的正电压，在OG电极下形成耗尽层，使φ3与FD之间成立导电沟道。在φ3为高电位时期，电荷包储存在φ3电极下边。随后复位栅R加正复位脉冲φR，使FD区与RD区交流，因VRD为正十几伏的直流偏置电压，则FD区的电荷被RD区抽走。复位正脉冲过去后FD区与RD区呈夹断状态，FD区拥有必定的浮置电位。以后，φ3转变为低电位，φ3下边的电荷包经过OG下的沟道转移到FD区。此时FD区（即A点）的电位变化量为：式中，QFD是信号电荷包的大小，C是与FD区有关的总电容（包含输出管T的输入电容、散布电容等）。CCD输出信号的特色是：信号电压是在浮置电平基础上的负电压；每个电荷包的输出据有必定的时间长度T。；在输出信号中叠加有复位时期的高电平脉冲。据此特色，对CCD的输出信号进行办理时，许多地采纳了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及克制噪声。何谓帧时、帧速？两者之间有什么关系？答：达成一帧扫描所需的时间称为帧时Tf(s)，单位时间达成的帧数称为帧速（帧／s）：。用凝望型红外成像系统察看30公里远，10米×10米的目标，若红外焦平面器件的像元大小是50μm×50μm，假定目标像占4个像元，则红外光学系统的焦距应为多少？若红外焦平面器件是128×128元，则该红外成像系统的视场角是多大？答：水平及垂直视场角：一目标经红外成像系统成像后供人眼察看，在某一特色频次时，目标对照度为,大气的MTF为，探测器的MTF为，电路的MTF为，CRT的MTF为，则在这一特色频次下，光学系统的MTF起码要多大？答：红外成像系统A的NETDA小于红外成像系统B的NETDB，可否定为红外成像系统A对各样光景的温度分辨能力高于红外成像系统B，试简述原因。答：不可以。NETD反应的是系统对低频光景（均匀大目标）的温度分辨率，不可以表征系统用于观察较高空间频次光景时的温度分辨性能。试比较带像加强器的CCD、薄型背向照明CCD和电子轰击型CCD器件的特色。答：带像加强器的CCD器件是将光图像聚焦在像加强器的光电阴极上，再经像加强器加强后耦合到电荷耦合器件（CCD）上实现微光摄像（简称ICCD）。最好的ICCD是将像加强器荧光屏上产生的可见光图像经过光纤光锥直接耦合到一般CCD芯片上。像加强器内光子－电子的多次变换过程使图像质量遇到损失，光锥中光纤光栅干预波纹、折断和耦合损失都将使ICCD输出噪声增添，对照度降落及动向范围减小，影响成像质量。敏捷度最高的ICCD摄像系统可工作在10-6lx靶面照度下。薄型、背向照明CCD器件战胜了一般前向照明CCD的缺点。光从反面射入，远离多晶硅，由衬底向长进行光电变换，大批的硅被光刻掉，在最上方只保存集成外接电极引线部分极少的多晶硅埋层。因为避开了多晶硅汲取，CCD的量子效率可提升到90％，与低噪声制造技术相联合后可获取30个电子噪声背景的CCD，相当于在没有任何-4加强手段下照度为10lx（靶面照度）的水平。只管薄型背向照明CCD-6器件的敏捷度高、噪声低，但当照度低于10lx（靶面照度）时，只能依靠图像加强环节来提升器件增益，战胜CCD噪声的限制。电子轰击型CCD器件是将背向照明CCD看作电子轰击型CCD的“阳极”，光电子从电子轰击型CCD的“岁月极”发射直接“近贴聚焦”到CCD基体上，光电子经过CCD反面进入后，硅耗费入射光子能量产生电子空穴对，从而发生电子轰击半导体倍增，电子轰击过程产生的噪声比用微通道板倍增产生的噪声低得多，与它获取的3000倍以上增益对比是微不足到的。电子轰击型CCD器件采纳电子从“岁月极”直接射入CCD基体的成像 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 ，简化了光子被多次变换的过程，信噪比大大提升，与ICCD对比，电子轰击型CCD拥有体积小、重量轻、靠谱性高、分辨率高及对照度好的长处。第六章试说明自汇聚彩色显像管的特色。答：精美直列式电子枪；开槽荫罩和条状荧光屏；精美环形偏转线圈。2以下图，光在向列液晶中流传，且，试剖析当位相差为0，/4,π/2,3π/4,π,5π/4,3π/2,7π/4和2π时，输出光的偏振状态。答：线偏振光、椭圆偏振光、圆偏振光、椭圆偏振光、线偏振光、椭圆偏振光、圆偏振光、椭圆偏振光、线偏振光3试比较TN－LCD和STN－LCD的特色。答：TN－LCD利用了歪曲向列相液晶的旋光特征，液晶分子的歪曲角为90o，它的电光特征曲线不够陡峻，因为交错效应，在采纳无源矩阵驱动时，限制了其多路驱动能力。STN－LCD的歪曲角在180o—240o范围内，曲线陡度的提升同意器件工作在许多的扫描行数下，利用了超歪曲和双折射两个效应，是鉴于光学干预的显示器件。STN-LCD所用的液晶资料是在特定的TN资猜中增添少许手征性液晶以增添它的歪曲程度，盒厚较薄，一般5-7μm。STN-LCD的工艺流程基本上和TN-LCD近似，但因为STN-LCD是鉴于光干预效应的显示器件，对盒厚的不均匀性要求＜μm(TN-LCD只需求＜μm)，不然就会出底色不均匀，预倾角要求达到3o～8o，电极精美，器件尺寸较大，所以其规模生产难度较TN-LCD大很多。试说明充气二极管伏安特征中击穿电压和放电保持电压的概念。答：曲线AC段属于非自持放电，在非自持放电时，参加导电的电子主若是由外界催离作用（如宇宙射线、放射线、光、热作用）造成的，当电压增添，电流也随之增添并趋于饱和，C点以前称为暗放电区，放电气体不发光。跟着电压增添，抵达C点后，放电变为自持放电，气体被击穿，电压快速降落，变为稳固的自持放电（图中EF段），EF段被称为正常辉光放电区，放电在C点开始发光，不稳固的CD段是欠正常的辉光放电区，C点电压Vf，称为击穿电压或着火电压、起辉电压，EF段对应的电压VS称为放电保持电压。试说明注入电致发光和高场电致发光的基来源理。答：注入电致发光是在半导体PN结加正偏压时产生少量载流子注入，与多半载流子复合发光。高场电致发光是将发光资料粉末与介质的混淆体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间，外施电压，由电场直接激励电子与空穴复合而发光