材料化学导论xpjing@pku.edu.cn Feb., 2011
第二章 无机材料的制备化学
1.高温固体扩散法
2.软化学合成法和拓扑合成
3.电化学合成法
4.高温高压合成法
5.小颗粒粉体制备法
6.烧结过程
7.薄膜的制备
8.单晶的制备
9.有机化学在无机材料制备中的作用
合成与制备
材料化学导论
第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
高温固体扩散法是无机材料制备中最常用的方法
- 操作简便,成本低。
固体反应与溶液反应的区别
溶液 – 离子、分子水平混合
固体 – 颗粒粒晶微米量级,扩散克服晶格阻力
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材料化学导论
反应起始界面
Mg2+
Al3+
MgO
MgO
Al2O3
Al2O3
3x/4
x/4
反应界面
第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
固体反应的过程 (MgO + Al2O3→ MgAl2O4)
MgAl2O4产物层
MgO/MgAl2O4界面:
4MgO + 2Al3+ - 3Mg2+
→ MgAl2O4
MgAl2O4/Al2O3界面:
4Al2O3 + 3 Mg2+ - 2Al3+
→ 3MgAl2O4
成核困难,扩散困难
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材料化学导论
第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
1( )dx k
dt x
固体反应的过程
100 2000
20
15
10
5
0
1500C
1400C
1300C
时间 / h
x
2
1
0
6
/
c
m
2
1( )dx k
dt x
2x kt
以上结果是考查单晶NiO和Al2O3
反应生成NiAl2O4的过程得出的。
Why? 反应量与时间和温度
的关系
促进反应的条件:
高温、长时、小颗粒、研磨混匀、压紧(压片)、助溶剂等
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第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
BaO
Nd2O3 TiO2
0.8
0.6
0.4
0.2
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
BaTiO3
Ba2TiO4
BaNd2O4
Nd2TiO5
T1 – T4
Nd2Ti2O7 Nd4Ti9O24
113
114
T1: Ba6Ti17O40
T2: Ba4Ti13O30
T3: BaTi4O9
T4: Ba2Ti9O20
Ba6Nd2Ti4O17
113: BaNd2Ti3O10
114: BaNd2Ti4O12
原料酸碱性对固体反应的影响
BaO Nd2O3 TiO2
碱性增强
酸性增强
BaNd2O4很难获得纯相
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第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
实验过程
混合:研磨: <20 g 瓷研钵 玛瑙研钵
球磨: 大量生产 球磨机
行星磨(高速球磨机)
行星磨
球磨机 玛瑙球
球磨罐
玛瑙研钵试剂: MgO MgCO3 (碱式)
Al2O3 Al(OH)3
颗粒粒径 微米量级 研磨 1m
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第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
实验过程
反应容器: 坩埚 反应舟
材料 - - Al2O3(刚玉)SiO2(石英)
Ni Au Pt
Pt 与 BaO 反应 不能用王水洗涤
刚玉坩埚
Pt 坩埚
刚玉舟
石英坩埚
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第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
加热反应
反应温度 – 一般为反应物熔点的70 – 80%
MgO–Al2O3 <1300C 观察不出明显的反应
1400 ~ 1600 C 反应可进行
反应时间 – 数小时 ~ 数周
压片 反复研磨 反复加热
控制气氛 保持离子的特定价态
助熔剂
小结
箱式高温炉
管式高温炉
隧道窑炉
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第二章 无机材料的制备化学
1. 高温固体扩散法
产物分析
结构分析 – X-射线衍射
形貌分析 – SEM TEM STM
组成分析 – EDX XRF
性能分析 – 光 电 磁
及 各种谱学方法
X-射线粉末衍射仪
透射电子显微镜 TEM
交流阻抗谱仪 扫描电子显微镜 SEM
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第二章 无机材料的制备化学
2. 软化学合成法和拓扑合成
共沉淀法可以提高原料混合的均匀程度,提高反应速率,
降低反应温度,对固体扩散法是一个重要的改善
磁性材料
Zn2+ + 2Fe3+ + 4(COOH)2 = ZnFe2 [(COO)2]4 + 8H+
ZnFe2 [(COO)2]4 = ZnFe2O4 + 4CO2 + 4CO (加热)
荧光材料
2Y3+ (5 mol % Eu3+) + 3(COOH)2 (YEu)2[(COO)2]3 + 6H+
(YEu)2[(COO)2]3 (YEu)2O3 + 3CO2 + 3CO (加热)
共沉淀法合成反应前驱体 (Precursor)
软化学合成(Chimie Douce)的两层含义
增加原料混合的均匀性,提高反应速率(降低温度和时间)
在温和的反应条件下,获得特定结构的材料
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第二章 无机材料的制备化学
溶胶-凝胶法合成反应前驱体
无机材料中很多是硅酸盐、钛酸盐、铌酸盐等,这些材料
的酸根离子都有水解形成三维网状结构的性质,为该方法
的实现提供了可能
该方法可使反应原料在原子水平上混匀,加快反应速度,
降低反应温度
一般以醇盐为原料,在适当的pH下水解,随后缓慢脱水
示意反应式
水解:M1-(OR)m + mH2O M1-(OH)m + mROH
M2-(OR)n + nH2O M1-(OH)n + nROH
缩聚:M1-(OH)m + M2-(OH)n (OH)m-1-M1-O-M2-(OH)n-1
逐渐缩聚成为三维网状结构
2. 软化学合成法和拓扑合成
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第二章 无机材料的制备化学
溶胶-凝胶法合成反应前驱体
控制条件缓慢水解干燥,可以制成均匀透明的光学玻璃
干燥到一定程度加热脱水,可以制成纳米粉体(几十纳
米到几百纳米)
利用纳米粉体可以经过低温快速烧结获得致密陶瓷
一些固相反应不能得到的低温物相可以利用这种方法获
得,如X1-Y2SiO5
2. 软化学合成法和拓扑合成
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第二章 无机材料的制备化学
拓扑脱水法
Na2WO3 + HCl + H2O 3WO3H2O (水热,120ºC)
3WO3H2O (缓慢加热到420ºC) WO3 (六方)
前驱体与产物之间存在密切的结构关系
WO6 H2O
420ºC
m-WO3 h-WO33WO3H2O
2. 软化学合成法和拓扑合成
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第二章 无机材料的制备化学
拓扑还原法
280ºC 2days
温和条件
SrFeO2.875 (Fe3+ +Fe4+)
Nature 450, 1062 (2007)
SrFeO2 (Fe2+)
CaH2
SrFeO2 Fe2+
d6 反铁磁性
VO O2- 导电性
2. 软化学合成法和拓扑合成
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第二章 无机材料的制备化学
3. 电化学合成法
除热能外,电能也是推动固体反应的能量形式。电池中的
电极材料多为插层化合物,导电离子在层间可以较为自由
的移动。但这些材料刚性差,加热分解,不易在高温下反
应。可以在较低的温度下使用电能控制或推动反应进行。
e
金属Li
高分子材料
粘附的TiS2
非水溶剂 (二氧戊烷)
+ Li+ 盐 (LiClO4)
Li+
TiS2 LiTiS2
STi S
Ti
Li
S
S
Li+
阳极:Li Li+ + e-
阴极:TiS2 + Li+ LixTiS2
电化学法制备 LixTiS2
2.5V反向电压
降低反应速度
STi S
STi S
Ti
Li
S
S
TiSS
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第二章 无机材料的制备化学
3. 电化学合成法
通过电化学的推动使La2CuO4中产生的Oi成为超导材料
阳极:
2CuCu + 2OH- = Oi” + 2CuCu + H2O + 2e-
阴极:
O2 + 2e- + H2O = 2OH-
La2CuO4 + O2 La2CuO4+x
e
金属PtLa2CuO4
1 M NaOH
OH-
O2
电化学法制备 La2CuO4+x
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第二章 无机材料的制备化学
4. 高温高压合成法
水热合成法
0 100 200 300400 500
1
2
0
P
/
k
b
a
r
T / C
A B
C
10
30
50
60
7090 80
水热合成中,水处在密闭体系中,并处于高
于沸点的温度,体系处在高压状态。
水的作用 – 转递压力 提高原料溶解度
适合制备高温下不稳定的物相
水热反应釜
水热反应体系中,压力与温度的关系
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第二章 无机材料的制备化学
4. 高温高压合成法
水热合成法
水热合成法制备石英单晶
* 石英单晶的用途:
雷达、声纳仪、
压电传感器、X-射线单色器
* 制备条件:1.0 M NaOH 介质,
1.7 kbar
多晶原料
NaOH溶液
(1.0 M )
籽晶
热端
400C
冷端
360C
水热法制备石英单晶
水热法生长的
石英单晶
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4. 高温高压合成法
水热合成法制备石英单晶
石英单晶 样品
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水热釜
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第二章 无机材料的制备化学
4. 高温高压合成法
水热合成法
硼酸盐溶剂热法制备多硼酸盐
高温下多硼酸盐不稳定,不
能用高温法合成,用水热法
合成了多种多硼酸盐,如
GdB5O9, Gd2B12O21
有机溶剂热合成法(中国科
大,钱逸泰院士研究组)
800
1000
1200
1400
1600
1800
0 20 40 60 80 100
温
度
/
C
B2O3 mole%
La3BO6
LaBO3
LaB3O6
La2O3-B2O3体系相图
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4. 高温高压合成法
高温高压合成
化学家虽然在分子或原子水
平对物质进行构建,但一般
来说,人们还不能对每 一个
分子进行操作。因而人们能
做的是控制热力学宏观参数
(温度、压力等)。
水热:<几个kbar <500 C
地质学家发展的方法:
近1000 C,从 kbar 到 Mbar
实现高压的方法:
机械法:反向砧板装置
水压法:向体系中加注高压水
爆炸法:实现瞬时高压
大多数无机材料是在常压
下合成的。化学家对常压
高温下的无机物的反应认
识较多,而对高温高压下
的反应认识较少。
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4. 高温高压合成法
高温高压合成
碳化硅
单晶压砧
压力机
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第二章 无机材料的制备化学
4. 高温高压合成法
高温高压合成
高温高压反应的特点
* 高压下合成的物相比常压下合成的物相有更大的密度
* 可以形成独特的高配位数结构 SiO2 四配位石英高压
成为六配位(八面体)斯石英
* 高压下,一些异常的氧化态离子变的稳定,如Cr4+、
Cr5+、Cu3+、Ni3+ 和Fe4+
实际应用:石墨 金刚石
化学家在这一领域的研究还是很不够的,有望获得新的结
果,因为增加了一种调控参数。当然化学家倾向于“软”
化学方法。
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第二章 无机材料的制备化学
4. 高温高压合成法
高温高压合成
表 一些材料常压相和高压相的比较
材料分子式
常压结构和
阳:阴离子配位数
转变条件
P (kbar), T (C)
高压结构和
阳:阴离子配位数
C
CdS
KCl
SiO2
Li2MoO4
NaAlO2
石墨 3
纤锌矿 4:4
岩盐 6:6
石英 4:2
硅铍石 4:4:3
有序纤锌矿 4:4:4
130
30
20
120
10
40
3000
20
20
1200
400
400
金刚石 4
岩盐 6:6
CSCl 8:8
金红石 6:3
尖晶石 6:4:4
有序岩盐 6:6:6
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第二章 无机材料的制备化学
5.小颗粒粉体制备法
合成和制备无机材料的传统方法 – 高温固体扩散
法,颗粒大,形貌不易控制
科学技术的发展,不仅对材料的物相有要求,对粉
体的形貌也有的要求
制备纳米尺度的小颗粒是当前的热门课题
制备纳米颗粒的方法很多,这里仅举几例
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第二章 无机材料的制备化学
5.小颗粒粉体制备法
溶胶-凝胶法 (sol-gel法)
一般以醇盐为原料,在适当的pH下水解,制成溶胶;
随后控制条件缓慢脱水干燥,可以制成均匀透明的光学
玻璃;
干燥到一定程度加热脱水,可以制成纳米粉体(几十纳
米到几百纳米);
利用纳米粉体可以经过低温快速烧结获得致密陶瓷
防止团聚(硬团聚,软团聚),分散性好的颗粒。
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5.小颗粒粉体制备法
TiCl4 蒸发器 H2O 蒸发器
预热管
反应室
碱液
产物
加热体
保温材料
气体出口
载气入口
气相分解反应
TiCl4 + 4H2O Ti(OH)4 + 4HCl TiO2 + 2H2O
气相分解法制备纳米TiO2示意图
载气入口
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第二章 无机材料的制备化学
5.小颗粒粉体制备法
微乳液法
乳浊液:液1 + 液2 + 表面活性剂,微米液滴,热力学亚稳
态,不透明或半透明
微乳液:液1 + 液2 + 表面活性剂 + (助表面活性剂),
液滴 < 0.1m,热力学稳定态,透明,丁铎尔效应,
选择合适微乳体系
BaFe12O19为例
表 制备BaFe12O19纳米粉体的微乳液组成表:
水相 油相 表面活性剂 助表面活性剂
微乳液1 0.01M Ba(NO3)2
+0.12M Fe(NO3)3
n-octane CTAB 1-butanol
微乳液2 0.19M (NH4)2CO3 n-octane CTAB 1-butanol
质量分数 0.34 0.44 0.12 0.10
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5.小颗粒粉体制备法
微乳液法
微乳液 I 微乳液 II
将微乳液I 和 II混合
水相
(NH4)2CO3
水相
Ba(NO3)2
& Fe(NO3)3
微乳液滴的
碰撞、结合
沉淀生成
(碳酸钡铁沉淀)
沉淀
微乳液法制备纳米分体示意图
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第二章 无机材料的制备化学
6.烧结过程 (sintering)
粉末:荧光粉,塑料添加剂
薄膜:一些光学、电学材料
单晶:激光晶体、非线性光学晶体等
陶瓷:导电材料、介电材料、磁性材料等
无机材料制备不仅要获得相应的物相,还要获得合适的形态
无机材料的应用形态
烧结过程
烧结是陶瓷材料制备过程中的重要环节
烧结过程:
* 颗粒间接触面积扩大,并逐渐形成晶粒间界
* 连通气孔 孤立气孔 绝大部分气孔从配体中排出
* 最终形成致密,有一定强度,几何形状,物理性能的整体
烧结温度: 70 – 80 % 材料的熔点温度
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第二章 无机材料的制备化学
6.烧结过程 (sintering)
反应体系表面能的降低是推动烧结过程
的基本动力
高温下,晶粒表面有一层软膜
晶粒靠近,接触部分会发生微小的变形,
表面减少 S,表面能下降 S (为材料
的表面能)
球形颗粒内外压力差:
P = P内 – P外 = 2 /r
(r 晶粒的半径)
烧结的原理
r2
r1
烧结过程示意图
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6.烧结过程 (sintering)
Kelvin 公式
ln Pr / P0 = 2 M / RT r
P0 为平面材料表面的饱和蒸气压
Pr 为表面的半径为 r 的球面颗粒饱和
蒸气压
r1 处 r1 < 0 Pr1 < P0
r2 处 r2 > 0 Pr2 > P0 Pr2 > Pr1
物质由 r2 处向 r1 处迁移
烧结的原理
r2
r1
烧结过程示意图
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第二章 无机材料的制备化学
6.烧结过程 (sintering)
二次再结晶过程及阻碍其发展的方法
烧结的原理
大小颗粒接触大小肥皂泡
50 3
4
10 6
烧结后期晶粒长大示意图
作用:
大晶粒越过杂质及气孔不
断长大,将气孔包裹在其
中,不能使陶瓷的密度进
一步增加
阻碍方法:
粉体颗粒大小均匀
不要过长时间烧结
添加惰性物质颗粒
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第二章 无机材料的制备化学
7.薄膜的制备
阴极溅射法
物理方法
薄膜形态的材料在现代科学技术中
十分重要,特别是对电子元器件的微型
化起着关键的作用
真空蒸发法
- V +
惰性气体入口阴极及靶材
衬底及阳极
抽气口 接真空泵
蒸发源
衬底钟罩
磁控溅射仪
真空: 10-1 – 10-2 mmHg 真空: 10-6 mmHg
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第二章 无机材料的制备化学
7.薄膜的制备
溶胶-凝胶 + 旋涂法 (sol-gel + spin coating)
制备Sc-ZrO2离子导体薄膜
溶胶:Sc(NO3)3 + ZrOCl + H2O + 乙醇 + 聚乙二醇 (PEG)
旋涂制膜: 溶胶+ Si基片
脱水:400 C
烧结:900 C
化学方法
旋涂仪
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7.薄膜的制备
化学方法
制备Y2O3:Eu3+ 荧光膜
原料:稀土乙酰丙酮络合物 Yacac + Euacac
溶剂:乙酰丙酮 + 异丙醇
喷雾制膜:450 C - 500 C 热台
高温烧结:1300 C
喷雾热分解法 (Spray Pyrolysis)
载气:
N2, CO2
或空气
溶液
喷雾器
衬底
热台
(450 ~ 500C)
喷雾热分解法示意图
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8.单晶的制备
很多材料是以单晶形态被使用的,如激光晶体、非线性光学
晶体、单晶硅。
很多材料应用形态为粉末、陶瓷,但做为基础研究,常常制
成单晶,样品这样可以避免晶粒表面,晶界的干扰,更好地
理解材料性能的微观机理。
生长单晶的基本原理是控制材料在熔点附近缓慢结晶。
生长单晶有四类基本方法:
由纯物质制备,由溶液中制备,由熔体中制备,由气相制备
虽然人们已发展了多种制备单晶的方法,但生长每一种单晶
仍需根据单晶的组成及对单晶的要求通过实验确定生长方法
和生长条件
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第二章 无机材料的制备化学
8.单晶的制备
由纯物质生长单晶
材料应有明显的熔点,固液同组成
有时先制备成粉末,再制备单晶
有多种制备方法,如坩埚下降法、
无坩埚区熔法、提拉法等
坩埚
绝热层加热线圈
原料熔体
单晶晶种
提拉杆
AM
含有固液异组成相的二元示意相图 提拉法示意图
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8.单晶的制备
由纯物质生长单晶
提拉法(Czochraski 法) 制备YAG:Nd
Y3Al5O12:Nd
原料: Y2O3,Nd2O3,Al2O3
340 – 400 g
加热条件: 200kHz, 10kW 高频炉
条件: 1970 C3 C
提拉速度: 1.2 – 1.6 mm / h
旋转速率: 40 – 50 rpm
结果: d = 16mm
l = 110mm
单晶硅
单晶YAG:Nd
提拉炉炉膛
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8.单晶的制备
太阳炉制备高纯硅
发明者:中科院物理所
陈应天 研究员
纯度: 稳定获得6.5N
碳排放: 1/20 -1/30
甘肃电力投资集团投资
甘肃电投日新应天科技
有限公司
50台投入生产
1吨/台年 单晶硅棒 聚光太阳能电池
第四代太阳炉
太阳炉无坩埚冶炼
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8.单晶的制备
助熔剂法生长单晶
材料与助熔剂应有如图的相关系
可以降低单晶生长的温度
等温蒸发法和缓慢降温法
简单二元体系示意相图
A B
SA+ SB
L+ SA L+ SB
L
温
度
降温法
等温蒸发法
缓慢降温法制备Y3Al5O12 (YAG)
原料: Y2O3 3.4 mole% Al2O3 7.0 mole%
助熔剂:PbO 41.5 mole% PbF2 48.1 mole%
条件: 1150 C 24 hrs
4 C/hr 降温 750 C 用稀HNO3 洗去助熔剂
结果: 晶体直径 3 – 13mm 1 – 1.5 g
收率 60 – 70 %
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8.单晶的制备
助熔剂法生长单晶
蒸发法制备MgAl2O4
原料: MgO 80.6 g (15.7 mole%)
Al2O3 204.0 (15.7 mole%)
助熔剂:PbF2 2100 g (67.4 mole%)
B2O3 10.0g (1.0 mole%)
条件: 铂坩埚,盖上开一个小孔
缓慢加热到1250 C (8 hrs)
10 – 15 天内缓慢蒸发
用稀HNO3 洗去助熔剂
结果: 晶体直径 ~ 10mm
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第二章 无机材料的制备化学
9.有机化学在无机材料制备中的作用
软化学方法 硬化学方法
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xpjing@pku.edu.cn Feb., 2011
材料化学导论
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无机材料的研究方法
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