光刻培训

电路图形——掩膜版——光刻胶——芯片 „芯片图形的转移和实现 EDA设计 投影和离子束曝光 光刻 刻蚀/注入 „ 光刻是通过光化 合反应，将掩膜版上 的电路图图形暂时转 移到覆盖在半导体晶 片上的光刻胶，然后 利用光刻胶为掩膜， 对下方材料选择性加 工（刻蚀或注入）， 从而在半导体晶片上 获得相应电路图形 光刻的基本原理 负性光刻 正性光刻 „光刻术语 „ 1.分辨率：将硅片上两个相邻特征图形区别 开来的能力 „ 2.套准精度：光刻要求硅片 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面存在的图案 与掩膜版上的图形对准，此特性指标就是 套准精度 „ 3.关键尺寸：硅片上形成图形的实际尺寸即 特征尺寸，最小的特征尺寸即关键尺寸 „ 4.工艺宽容度：光刻始终如一的处理符合特 定要求产品的的能力。追求最大的工艺宽 容度 „ 5.光谱：能量要满足激活光刻胶并将图形从 掩膜版中转移到硅片上的要求。 紫外光源（uv） 汞灯 光刻胶的类型与光刻工艺 „ 光刻胶的类型—两种光刻工艺 „ 又名（光致）抗蚀剂，光阻、photoresist 曝光后溶解性的变化 优缺点 正 胶 不溶——可溶 显影后光刻胶上的图形 与掩膜版上图形一致 分辨率高，对比度高，线条边缘清 晰，在深亚微米（1um）工艺中占 主导地位 负 胶 可溶——不溶 …..相反 和硅片有良好的粘附性和抗蚀性， 针孔少，感光度高但显影时会变形 和膨胀，分辨率2um左右。 CD变化 „负胶光刻图形变化差 0.8～1.0um „正胶光刻图形变化差 0um „光刻胶的组分和感光原理 1。光刻胶的物理特性 分辨率、对比度、敏感度、粘滞性、粘附性、抗蚀 性等 a.分辨率：形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率 越高 b.对比度：光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度 c.敏感度：在硅片表面光刻胶中形成一个良好图形所 需要的 一定波长光的最小能量值 d.粘滞性：光刻胶的流动特性 e.粘附性：光刻胶粘附于衬底的强度。 2。基本组分： 感光剂、增感剂和溶剂 3。感光原理 1）负胶： 典型：KPR(聚乙烯醇肉桂酸脂) 聚合硬化：线性——网状 2）正胶： 典型：DNQ(重氮萘醌) 光分解 光刻的基本 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 „前处理 „ 1.脱水：片架式坚膜烘箱 200℃ „ 2.OAP（HMDS） 两类：高温 低温 作用：增加黏附力 正胶与负胶的区别 原理: 有机氯硅烷 六甲基二硅胺烷（HMDS) „涂胶 „ 目的：在硅片表面获得一定厚度且均匀的光刻 胶。 „ 方法：旋转涂胶 „涂胶参数 „滴胶量：与光刻胶的黏度有关 „厚度：与转速及胶粘度有关 „均匀性：高的旋转加速度变化斜率及滴胶 位置 „前烘（软烘） „ 目的：通过加热去处光刻胶中的溶剂，改进其于 硅片表面的粘附性及缓和光刻胶内部应力。 „ 方法 „曝光 „ 目的：对光刻胶进行选择性光化学反应，将掩膜 版图形转移到光刻胶。 „ 方法： „ 1。接触式(PLA501) z 设备简单 z 70年代中前期 z 掩膜版和硅片直接接触， 掩膜版寿命短 z 图形缺陷多，颗粒沾污大 z 分辨率：〉5um z 应用：分立器件，SSI „ 2。接近式曝光 z 距硅片表面2~10um z 无直接接触，无损伤， 沾污少，更长的掩膜寿 命 z 分辨率>3um z 应用：分立器件， SSI,MSI „ 3。（扫描）投影式 (MPA500/600) z 利用透镜把掩膜版上的 图形1：1的投影到硅片 上 z 减少了对操作者依赖, 沾污少，无边缘衍射 z 分辨率：>1um „ 4。步进重复式(STEPPER) z 将掩膜版上的图形缩小4X,5X,10X倍后投 影到硅片表面的光刻胶上。 z 掩膜图形更精确和易制作，实现更小图形 z 采用投影式掩膜版（1或几个芯片图形）以 步进方式多次重复曝光 z 分辨率：大约0.35um 曝光后烘(PEB) „ PEB的作用 提高黏附性并减少驻波 „ PEB与软烘的关系 „ 显影 „ 目的：显现图形 „ 方法：浸没式、喷淋式、PUDDLE 浸没－正胶显影台 喷淋－ETN6000、SSI超声波、AIO PUDDLE－SVG series、AIO „显影参数 „温度：23±0.1℃ „时间 „液量 „浓度：正胶2.38% „清洗 „排风 PUDDLE显影 PUDDLE显影方式的注意点： 液温 浸润 背面吹氮 背清 冲水甩干 „坚膜（后烘、 Hard Bake） „目的： z 1）蒸发光刻胶中的溶液，固化和稳定光 刻胶性质； z 2）提高光刻胶的抗蚀能力和抗注入能 力； z 3）提高光刻胶与硅片表面的粘附性； „方法：同前烘，通常热板烘烤，温度略高 于前烘。(正胶：120℃；负胶：160℃） „显影检查 „ 检查的内容：对准精度、关键尺寸 （CD）、图形缺陷等 „ 不合格的硅片将去胶重新返工： z 光刻胶上的图形式临时的； z 方法：聚光灯检查、显微镜检查 五点检查 „光刻的关键问题 „ 1。衍射 „ 光的波粒二象性 „ Lmin>λ/2,波长越短，分辨 率越高 „ 2。数值孔径（NA） „ 反应透镜收聚衍射光的能力 „ 3。焦深（DOF） „ 成像时得到最好分辨率的焦 距 „ 4。硅片表面起伏对分辨率的 限制 „下一代光刻技术 „极紫外光（EUV ）λ=10~14nm „电子束光刻 λ=0.04nm „离子束光刻 λ=0.0001nm „ X-射线 λ=4nm 结束„ 谢谢！ 光刻工艺培训 设备 原理 工艺 1、生产线的分布及组成部分 4 寸 线 5 寸 线 前 处 理 匀 胶 曝 光 显 影 检 查 2、工艺分类 负胶光刻工艺 正胶光刻工艺 正胶、负胶工艺的选择 2.1 CD变化差 负胶光刻图形变化差 0.8～1.0um 正胶光刻图形变化差 0um 2.1区别 作业流程－前处理1 氧化膜的三种类型 作业流程－前处理2 前处理：片架式坚膜烘箱 OAP（HMDS） 两类：高温 低温 作用：增加黏附力 原理: 有机氯硅烷 六甲苯二硅氧烷 作业流程－匀胶1 涂布原理：离心力作用 涂布结构： 上 料 架 C O A T E R 下 料 架 Soft bake 作业流程－匀胶2 45/60 ETN6000 SVG88series结构区 别及影响 涂布因素 转速 加速度 滴胶状态 回吸 排风 EBR（T&B) CUPRINSE 因素的影响 作业流程－匀胶3 曝光前烘 作用：溶剂挥发、胶膜干燥 温度与时间的选择 作业流程－曝光1 光学曝光方法分类 光 学 曝 光 方 式 接 触 式 投 影 式 硬接触 软接触 真空压紧 喷气压紧 1:1投影曝光 缩小投影曝光 1:1DSW 透镜光学系统 反射镜光学系统 1/2 1/5 1/10 作业流程－曝光2 接触式曝光：PLA501 曝光的氮气氛围，保持较高的留膜率 优点： 缺点：均匀性 光刻版 作业圆片图形 不适合正胶作业 分辨率 作业流程－曝光3 1:1投影式曝光：MPA500/600 负胶留膜受氧的影响降低 缺点：负胶光刻胶厚 分辨率低 优点：正胶分辨率高 节省光刻版 均匀性 圆片表面 最佳套刻精度 作业流程－曝光4 5:1步进式曝光：ASML STEPPER 最佳套刻精度 作业流程－显影1 显影原理： 4－甲基氢氧化铵 2.38％ 23±0.1℃ 显影结构： 上 料 架 D E V E L O P 下 料 架 P E B Hard Bake 作业流程－显影2 显影方式： 浸没－正胶显影台 喷淋－ETN6000、SSI超声波 PUDDLE－SVG series 作业流程－显影3 PUDDLE显影方式的注意点： 液温 浸润 背面吹氮 背清 冲水甩干 PEB的作用 消除驻波效应 Soft Bake 与PEB的关系 Hard Bake 作业流程－聚酰亚胺 作用：电介质隔离 平坦化 材料：光敏性－HTR100、HTR50 非光敏性－PI （K60） 显影检查 5点检查规则 表面状态 图形情况 曝光图形线宽控制 检查的作用 光刻1. ppt 关于艾滋病ppt课件精益管理ppt下载地图下载ppt可编辑假如ppt教学课件下载triz基础知识ppt 光刻的基本原理� 光刻胶的类型与光刻工艺 CD变化 光刻的基本流程 þÿ 曝光后烘(PEB) PUDDLE显影�� PUDDLE显影方式的注意点：� 液温 浸润 背面吹氮 背清 冲水甩干�� 结束 光刻2.PPT 光刻工艺培训 1、生产线的分布及组成部分 2、工艺分类 2.1 CD变化差 2.1区别 作业流程－前处理1 作业流程－前处理2 作业流程－匀胶1 作业流程－匀胶2 作业流程－匀胶3 作业流程－曝光1 作业流程－曝光2 作业流程－曝光3 作业流程－曝光4 作业流程－显影1 作业流程－显影2 作业流程－显影3 作业流程－聚酰亚胺 显影检查