三星系列芯片引脚图[精品]
三星系列芯片引脚图 :D
三星系列手机在国内的销量很大~拥有众多的用户~所以其元件代换在维修界是一个热点话
题
快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题
~现将三星系列手机的字库引脚图整理如下~希望能对各位同仁有所帮助:
三星系列手机的字库均采用日本夏普公司所生产的LRS系列CCSP存储器~该系列存储器是将一定容量的SRAM堆叠封装在FLASH上~从而大大的缩小了存储器
的封装体积~目前~这种存储器已经成为了手机中存
储器的主流封装形式。
一、
A100/A188/A110/A300/A388/A308/A400/A408/N100/N
188/N200/N288/N300/N400/N500/R208/R210/R220的
字库:
LRS1341,LRS1342,LRS1370,LRS1337L,LRS1337D,LRS1
337
二
T200/T208/S100/S108/S200/S208/S105/S300/S308
的字库:LRS1395
三、N600/N608/N620/N628的字库:LRS1383
四、T100/T108/T108+的字库:LRS1387~LRS1806
五、引脚说明,以LRS1395为例,:
引脚标识前面标有F的表示该引脚是FLASH专用引脚~
标有S的表示该引脚是SRAM专用引脚~未特别标明的
表示该引脚为FLASH和SRAM公用。若引脚标识上面划
有一短线则表明该引脚为低电平有效。
1。地址总线:A0 to A16~A18~A19公用,F-A17~F-A20~F-A21为FLASH专用地址线,S-A17~SRAM专用地址线。LRS1395的容量为:4M*16*2,128M FLASH,1M*16,16M SRAM
2。数据总线:DQ0 to DQ15共16根数据线~FLASH与SRAM公用
3。控制总线:
F1,2-CE:FLASH片使能,片选,信号~低电平有效 S-CE1:SRAM片使能,片选,信号~低电平有效 S-CE2:SRAM片使能,片选,信号~高电平有效 F-OE:FLASH输出使能,读,信号~低电平有效 S-OE:SRAM输出使能,读,信号~低电平有效 F-WE:FLASH写入使能,写,信号~低电平有效 S-WE:SRAM写入使能,写,信号~低电平有效 S-LB:SRAM低位字节使能信号~低电平有效~选择DQ0,DQ7
S-UB:SRAM高位字节使能信号~低电平有效~选择DQ8,DQ15
F-RST:FLASH复位,电源关闭,信号~低电平有效。低电平时~FLASH进入掉电状态,高电平时~进入正常的读写状态。
F-WP:FLASH写保护信号~低电平有效。低电平时~
FLASH的锁定块不能进行解除锁定或读写~而只能读写非锁定块,高电平时屏蔽锁定功能。
F-RY/BY:FLASH状态输出脚~高电平时~FLASH处于准备好的状态~可进行读写操作,低电平时~FLASH处于忙状态~FLASH的数据线呈高阻状态~不能读写数据。
4。供电线:
F-VCC:FLASH工作电源
S-VCC:SRAM工作电源
F-VPP:FLASH监视电源
GND:接地
5。其他:
NC:空脚
T1 , T4:测试引脚~使用时应悬空