的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低

的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低 1. 答:电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱～容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低泄漏电容～当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过? 20 的击穿电压～所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏～应注意以下几点: ? 一般在不用时将其三个电极短接, ? 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地～测试时所有仪器外壳必须接地, ? 电路中～栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 ? 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压...

的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低 1. 答:电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱～容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低泄漏电容～当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过? 20 的击穿电压～所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏～应注意以下几点: ? 一般在不用时将其三个电极短接, ? 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地～测试时所有仪器外壳必须接地, ? 电路中～栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 ? 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 2. 答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻～IGBT是电压驱动型器件～IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR 驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿～并有一定的过冲～这样可加速开通过程～减小开通损耗～关断时～驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流～并加反偏截止电压～以加速关断速度。 GTO 驱动电路的特点是:GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度～且一般需要在整个导通期间施加正门极电流～关断需施加负门极电流～幅值和陡度要求更高～其驱动电路通常包括开通驱动电路～关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力 MOSFET 驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻～驱动功率小且电路简单。 3. 答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压～du/dt 或过电流和di/dt～减小器件的开关损耗。 RCD 缓冲电路中～各元件的作用是:开通时～Cs经Rs放电～Rs起到限制放电电流的作用,关断时～负载电流经VDs从Cs分流～使du/dt 减小～抑制过电压。

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