半导体名词解释(27)

1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率（yield）稳定良好。2. 200mm，300mmWafer代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为200mm,直径为300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer,工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。4. 我们为何需要300mm?答：wafersize变大，单一wafer上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13um的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um->0.25um->0.18um ->0.15um->0.13um代表着每一个阶段工艺能力的提升。7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N,P-typewafer?答：N-typewafer是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例如：B、In)的硅片。8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子    注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 ，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。9. 一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数(masklayer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(masklayer)代表什幺意义？答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um的逻辑产品为1P6M(1层的Poly和6层的metal)。而光罩层数（masklayer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.10. Wafer下线的第一道步骤是形成startoxide和zerolayer?其中startoxide的目的是为何？答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。11.    为何需要zerolayer?答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,各层次之间以zerolayer当做对准的基准。12.    Lasermark是什幺用途?WaferID又代表什幺意义?答：Lasermark是用来刻waferID,WaferID就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。13.    一般硅片的制造(waferprocess)过程包含哪些主要部分？答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14.    前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)②阱区离子注入（wellimplant）用以调整电性③栅极(polygate)的形成④源/漏极（source/drain）的形成⑤硅化物(salicide)的形成15.    STI是什幺的缩写?为何需要STI?答：STI:ShallowTrenchIsolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔,避免两个组件间的短路.16.    AA是哪两个字的缩写?简单说明AA的用途?答：ActiveArea,即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。17.    在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？答：①STIetch（刻蚀）的角度；②STIetch的深度；③STIetch后的CD尺寸大小控制。(CDcontrol,CD=criticaldimension)18.    在STI的形成步骤中有一道lineroxide（线形氧化层）,lineroxide的特性功能为何？答：Lineroxide为1100C,120min高温炉管形成的氧化层，其功能为：①修补进STIetch造成的基材损伤；②将STIetch造成的etch尖角给于圆化(cornerrounding)。19.    一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤?功能为何？答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：①WellImplant：形成N,P阱区；②ChannelImplant：防止源/漏极间的漏电；③VtImplant：调整Vt（阈值电压）。20.    一般的离子注入层次（Implantlayer）工艺制造可分为那几道步骤?答：一般包含下面几道步骤：①光刻(Photo)及图形的形成；②离子注入调整；③离子注入完后的ash(plasma(等离子体)清洗)④光刻胶去除（PRstrip）21.    Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?答：①Gateoxide(栅极氧化层)的沉积；②Polyfilm的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；③Poly图形的形成(Photo)；④Poly及SiON的Etch；⑤Etch完后的ash(plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PRstrip）；⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。22.    Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？答：①Poly的CD(尺寸大小控制；②避免Gateoxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23.    何谓Gateoxide(栅极氧化层)?答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gateoxide,可调节栅极电压对不同器件进行开关24.    源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?答：①LDD的离子注入（Implant）；②Spacer的形成；③N/PIMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：RapidThermal Anneal)。25.    LDD是什幺的缩写?用途为何?答：LDD:LightlyDopedDrain.LDD是使用较低浓度的源/漏极,以防止组件产生热载子效应的一项工艺。26.    何谓Hotcarriereffect(热载流子效应)?答：在线寛小于0.5um以下时,因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应,此热载子效应会对gateoxide造成破坏,造成组件损伤。27.    何谓Spacer?Spacer蚀刻时要注意哪些地方？答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remainoxide(残留氧化层的厚度)28.    Spacer的主要功能?答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;②作为ContactEtch时栅极的保护层。29.    为何在离子注入后,需要热处理(ThermalAnneal)的工艺?答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;②使注入离子扩散至适当的深度;③使注入离子移动到适当的晶格位置。30.    SAB是什幺的缩写?目的为何？答：SAB：Salicideblock,用于保护硅片表面，在RPO(ResistProtectOxide) 的保护下硅片不与其它Ti,Co形成硅化物(salicide)31.    简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?答：①SAB光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。②remainoxide(残留氧化层的厚度)。32.    何谓硅化物(salicide)?答：Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix,一般来说是用来降低接触电阻值（Rs,Rc）。33.    硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些?答：①Co(或Ti)TiN的沉积；②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。④第二次RTA (用来形成Ti的晶相转化,降低其阻值)。34.    MOS器件的主要特性是什幺？答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。35.    我们一般用哪些参数来评价device的特性？答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk(breakdown)值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.36.    什幺是Idsat?Idsat代表什幺意义？答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.37.    在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?答：PolyCD(多晶硅尺寸)、GateoxideThk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vtimp.条件、LDDimp.条件、N/Pimp.条件。38.    什幺是Vt?Vt代表什幺意义？答：阈值电压（ThresholdVoltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 结束后有一步骤为WAT，其目的为何?答：WAT(waferacceptancetest),是在工艺流程结束后对芯片做的电性测量，用来检验各段工艺流程是否符合 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 。（前段所讲电学参数Idsat,Ioff,Vt,Vbk(breakdown),Rs,Rc就是在此步骤完成）61.    WAT电性测试的主要项目有那些?答：①器件特性测试；②Contactresistant(Rc)；③Sheetresistant(Rs)；④Breakdowntest；⑤电容测试；⑥Isolation(spacingtest)。62.    什么是WATWatch系统?它有什么功能?答：Watch系统提供PIE工程师一个工具,来针对不同WAT测试项目,设置不同的栏住产品及发出Warning警告标准,能使PIE工程师早期发现工艺上的问题。63.    什么是PCMSPEC?答：PCM(Processcontrolmonitor)SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格,狭义而言则是指WAT测试参数的规格。64.    当WAT量测到异常是要如何处理?答：①查看WAT机台是否异常,若有则重测之②利用手动机台Doubleconfirm③检查产品是在工艺流程制作上是否有异常记录④切片检查65.    什么是EN?EN有何功能或用途?答：由CE发出,详记关于某一产品的相关信息(包括TechnologyID,ReticleandsomesplitconditionETC….)或是客户要求的事项(包括HOLD,Split,Bank,Runtocomplete,Package….),根据EN提供信息我们才可以建立Processflow及处理此产品的相关动作。66.    PIE工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?答：①CheckMES系统,察看自己Lot情况②处理inlineholdlot.(defect,process,WAT)③分析汇总相关产品inline数据.(rawdata&SPC)④分析汇总相关产品CPtest结果⑤参加晨会,汇报相关产品信息67.    WAT工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?答：①检查WAT机台Status②检查及处理WATholdlot③检查前一天的retestwafer及量测是否有异常④是否有新产品要到WAT⑤交接事项68.    BR工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?答：①Passdown②Reviewurgentcasestatus③CheckMESissueswhichreportedbymoduleandline④Reviewdocumentation⑤Reviewtaskstatus69.    ROM是什幺的缩写?答：ROM:Readonlymemory唯读存储器70.    何谓YE?答：YieldEnhancement良率改善71.    YE在FAB中所扮演的角色？答：针对工艺中产生缺陷的成因进行追踪，数据收集与分析，改善评估等工作。进而与相关工程部门工程师合作提出改善 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 并作效果评估。72.    YE工程师的主要任务？答：①降低突发性异常状况。(Excursionreduction)②改善常态性缺陷状况。(Baselinedefectimprovement)73.    如何reduceexcursion?答：有效监控各生产机台及工艺上的缺陷现况,defectlevel异常升高时迅速予以查明，并协助异常排除与防止再发。74.    如何improvebaselinedefect?答：藉由分析产品失效或线上缺陷监控等资料，而发掘重点改善目标。持续不断推动机台与工艺缺陷改善活动，降低defectlevel使产品良率于稳定中不断提升75.    YE工程师的主要工作内容？答：①负责生产过程中异常缺陷事故的追查分析及改善工作的调查与推动。②评估并建立各项缺陷监控(monitor)与分析系统。③开发并建立有效率的缺陷工程系统，提升缺陷分析与改善的能力。④协助module建立off-linedefectmonitorsystem,以有效反应生产机台状况。76.    何谓Defect?答：Wafer上存在的有形污染与不完美，包括①Wafer上的物理性异物（如：微尘，工艺残留物，不正常反应生成物）。②化学性污染（如：残留化学药品，有机溶剂）。③图案缺陷（如：Photo或etch造成的异常成象，机械性刮伤变形，厚度不均匀造成的颜色异常）。④Wafer本身或制造过程中引起的晶格缺陷。77.    Defect的来源？答：①素材本身：包括wafer,气体，纯水，化学药品。②外在环境：包含洁净室，传送系统与程序。③操作人员：包含无尘衣，手套。④设备零件老化与制程反应中所产生的副生成物。78.    Defect的种类依掉落位置区分可分为?答：①Randomdefect:defect分布很散乱②clusterdefect:defect集中在某一区域③Repeatingdefect:defect重复出现在同一区域79.    依对良率的影响Defect可分为?答：①Killerdefect=>对良率有影响②Non-Killerdefect=>不会对良率造成影响③Nuisancedefect=>因颜色异常或filmgrain造成的defect,对良率亦无影响80.    YE一般的工作流程?答：①Inspectiontool扫描wafer②将defectdata传至YMS③检查defect增加数是否超出规格④若超出规格则将wafer送到reviewstationreview⑤确认defect来源并通知相关单位一同解决81.    YE是利用何种方法找出缺陷(defect)?答：缺陷扫描机(defectinspectiontool)以图像比对的方式来找出defect.并产出defectresultfile.82.    Defectresultfile包含那些信息?答：①Defect大小②位置,坐标③Defectmap83.    DefectInspectiontool有哪些型式？答：Brightfield&DarkField84.    何谓Brightfield?答：接收反射光讯号的缺陷扫描机85.    何谓Darkfield?答：接收散射光讯号的缺陷扫描机86.    Brightfield与Darkfield何者扫描速度较快?答：Darkfield87.    Brightfield与Darkfield何者灵敏度较好?答：Brightfield88.    Reviewtool有哪几种？答：Opticalreviewtool和SEMreviewtool.89.    何为opticalreviewtool?答：接收光学信号的opticalmicroscope.分辨率较差,但速度较快,使用较方便90.    何为SEMreviewtool?答：SEM(scanningelectronmicroscope)reviewtool接收电子信号.分辨率较高但速度慢,可分析defect成分,并可旋转或倾斜defect来做分析91.    ReviewStation的作用?答：藉由reviewstation我们可将Inspectiontool扫描到的defect加以分类,并做成分析,利于寻找defect来源92.    YMS为何缩写?答：YieldManagementSystem93.    YMS有何功能?答：①将inspectiontool产生的defectresultfile传至reviewstation②回收reviewstation分类后的资料③储存defect影像94.    何谓Samplingplan?答：即为采样频率,包含:①    那些站点要Scan②每隔多少Lot要扫1个Lot③每个Lot要扫几片Wafer④每片Wafer要扫多少区域95.    如何决定那些产品需要scan?答：①现阶段最具代表性的工艺技术。②有持续大量订单的产品。96.    选择监测站点的考虑为何？答：①以Zonepartition的观念，两个监测站点不可相隔太多工艺的步骤。②由yieldlossanalysis手法找出对良率影响最大的站点。③容易作线上缺陷分析的站点。97.    何谓Zonepartition答：将工艺划分成数个区段，以利辨认缺陷来源。98.    Zonepartition的做法？答：①应用各检察点既有的资料可初步判断工艺中缺陷主要的分布情况。②应用既有的缺陷资料及defectreview档案可初步辨认异常缺陷发生的工艺站点。③利用工程实验经由较细的Zonepartition可辨认缺陷发生的确切站点或机台99.    何谓yieldlossanalysis?答：收集并分析各工艺区间所产生的缺陷对产品良率的影响以决定改善良率的可能途径。100.    yieldlossanalysis的功能为何？答：①找出对良率影响最大的工艺步骤。②经由killingratio的计算来找出对良率影响最大的缺陷种类。③评估现阶段可达成的最高良率。101.    如何计算killingratio?答：藉由defectmap与yieldmap的迭图与 公式 小学单位换算公式大全免费下载公式下载行测公式大全下载excel公式下载逻辑回归公式下载 的运算，可算出某种缺陷对良率的杀伤力。