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flash存储器设备flash存储器设备 1、flash简介 它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写,功耗很小。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。 在目前所有的非易失性存储器(PROM、EPROM、EEPROM和Flash)中,唯有Flash存储器几乎拥有现今讲究个性化的用户所需要的所有优点:掉电数据不丢失、远较EPROM快速的数据存取时间、电可擦除、容量大、在线...

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flash存储器设备 1、flash简介 它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言,Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点,又有很高的存取速度,而且易于擦除和重写,功耗很小。目前其集成度已达4MB,同时价格也有所下降。 在目前所有的非易失性存储器(PROM、EPROM、EEPROM和Flash)中,唯有Flash存储器几乎拥有现今讲究个性化的用户所需要的所有优点:掉电数据不丢失、远较EPROM快速的数据存取时间、电可擦除、容量大、在线(系统内)可编程、价格低廉、以及足够多的擦写次数(一百万)和可靠性等,已成为新一代 如数字相机和MP3播放机)的首选存储器。 嵌入式应用( Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点,但它是机电设备,有机械磨损,可靠性及耐用性相对较差,抗冲击、抗振动能力弱,功耗大。由于Flash Memory集成度不断提高,价格降低,使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大,价格还不够便宜。因此主要用于 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 可靠性高,重量轻,但容量不大的便携式系统中。 单片Flash MCU 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 的最大优点是可大大缩小以往两芯片方案所需占用的PCB面积,它符合未来小型化系统设计大趋势,因此其前景最为广阔。此外,它还具有存储器内容不易被剽窃和低功耗两大优势,其最大弱点是成本相对较高和目前可提供给用户的Flash容量还较小,大都只有几十K字节。因此短期内单片Flash MCU仍将主要面向那些对空间和功耗要求较高的小型嵌入式应用。目下主要供应商有Motorola、Philips、NEC、Atmel、Microchip、Hitachi和SST。据Atmel MCU产品部总监Jim Panfil介绍,Atmel很多MCU都含有128KB以上Flash存储器,且每月的市场需求量很大。如Atmel的AT91 ARM THUMB MCU集成了16Mb Flash存储器。 2、rom、ram和flash的区别 rom:只读存储器,数据存储后一般不会被修改(特别是MASK(掩膜)ROM,),掉电后数据仍然存在,可长期保存数据 ram:是随机存取存储器,读写极快,用于CPU处理数据时的临时存放,掉电就什么都没有了。 flash:这里指闪存,可多次擦写,速度不及RAM,掉电后数据不会丢失,可长期保存数据。 ROM是只读存储设备,它有断电后数据不丢失的优点;而RAM是可读写的随即存储设备,但断电后数据全部丢失,无法保存住。 真正的ROM擦写很麻烦,有一种方式是电擦除可编程ROM(即EEPROM),通常也只是用来配置一些基本参数,而不是用来存储程序的。因此,后面又出现了非易失性RAM(即nvram)和flash器件,既可以方便的通过CPU程序直接写入新的内容(代码或数据),又可以断电后不丢失数据,只是有个寿命限制,比如flash在擦写10万次以上后就会失效。 3、flash与ram中数据的访问 如果将训练 模板 个人简介word模板免费下载关于员工迟到处罚通告模板康奈尔office模板下载康奈尔 笔记本 模板 下载软件方案模板免费下载 ram中断数据存储到flash中,你在使用这些数据时就会比较慢。因为访问ram的速度远远大于访问flash的速度。为了保存训练样本的数据断电后不丢失可以用flash存储。 设计过程一般是这样的: 第一次生成的训练样板用写flash的方式保存到flash中。识别时还是使用RAM中的数据。 第二次上电时,程序设计首先将flash中的训练样板数据读到ram中,识别则还是使用ram中的数据。 4、嵌入式设计时应该考虑的flash 在嵌入式系统中,通常采用flash作为程序代码、文件系统(配置文件/日志文件等)等的存储部件,断电后不会丢失程序和配置参数如系统的日期和时间,主板上存储器的容量,硬盘的类型和数目,显卡的类型等参数;一旦开电启动, 堆栈段等频繁需要'改写'的CPU将flash中的代码搬移到RAM中运行,数据段/ 部分在RAM中分配,这样可以避免频繁改写flash而导致flash寿命用尽;只有用户修改配置文件或升级程序才擦写flash,对这种操作10万次的寿命足够实用了;而有些厂家将重要的告警事件日志在flash里,为了保存给工程师查错使用,但这些必须慎重设计,以免减少flash寿命。 5、如何对独立式Flash进行系统内编程? 目前的解决办法有二:一是将MCU初始引导代码和Flash编程算法预先装入与Flash并行的二级存储器(如EPROM、EEPROM、Flash或SRAM)中,Intel和AMD为此所做的一个改进就是在其Flash中增加了专用的可锁定的引导块;二是供应商引入了带有2脚或4脚JTAG接口的串行Flash,用户可借助外部编程仪器或PC通过JTAG接口绕过MCU直接对Flash进行编程,缺点是速度太慢;设计在线编程(ISP)Flash并不如想像般容易,因为存在着一个基本限制:MCU不能对存储程序代码的Flash空间进行擦除或编程。
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